一种差分预失真功率放大器以及射频前端制造技术

本发明专利技术涉及移动通信技术领域，特别是涉及一种差分预失真功率放大器以及射频前端，在差分输入匹配电路和差分功率放大电路直之间，加入差分预失真电路，包括结构完全对称的P端预失真电路和N端预失真电路；差分预失真电路的P端与差分输入匹配电路的差分P端口、所述差分功率放大电路的输入P端三者连接，差分预失真电路的N端与差分输入匹配电路的差分N端口、差分功率放大电路的输入N端三者连接；将差分输入匹配电路输出的幅值相同、相位相反的两路差分信号分别经P端预失真电路和N端预失真电路处理后，分别输入差分功率放大电路的两路放大电路。本发明专利技术通过增加差分预失真电路，实现了低静态、高线性能、高效率的差分射频功率放大器电路。器电路。器电路。

【技术实现步骤摘要】
一种差分预失真功率放大器以及射频前端


[0001]本专利技术涉及移动通信
，特别是涉及一种差分预失真功率放大器以及射频前端。

技术介绍

[0002]随着第五代移动通信技术的推广，市场所需的射频前端产品的性能不断提高，需要射频前端模块的功放芯片有更高的线性输出功率，更好的线性回退，更低的静态损耗，更高的效率，更宽的带宽要求。
[0003]现有技术中，传统的预失真电路设计主要针对单端功率放大器（PA），且引入的预失真管需要外加电压控制，设计繁琐；如申请号为200980161948.9，具有线性预失真器的射频放大电路。
[0004]对于线性差分攻防来说，市场上应用较少，但差分电路的优势，却是单端功率放大器无法比拟的。对于管芯尺寸相同的功率放大器，相同输出功率下的差分阻抗是单端阻抗的4倍，这就意味着差分放大器有更小反射系数，更低的驻波比，适合宽带功率放大器设计。
[0005]对于线性差分电路来说，差分放大器输入输出的射频信号，幅度相同，相位相反，因而差分电路有着更好的屏蔽作用，对外部电磁干扰（EMI）和附近信号的串扰具有更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种差分预失真功率放大器，其特征在于，包括：射频输入端口；差分输入匹配电路，与射频输入端口连接，将输入信号转化为幅值相同、相位相反的第一差分信号和第二差分信号，分别由所述差分输入匹配电路的差分P端口和差分N端口输出；差分预失真电路，设置于差分输入匹配电路和差分功率放大电路之间，包括结构完全对称的P端预失真电路与N端预失真电路；差分功率放大电路，包括结构完全对称 、静态工作状态一致的第一放大电路和第二放大电路；差分输出匹配电路，与所述差分功率放大电路输出端连接；射频输出端口，与所述差分输出匹配电路输出端连接；其中，所述差分预失真电路的P端与所述差分输入匹配电路的差分P端口、所述差分功率放大电路的输入P端连接，将所述第一差分信号经所述P端预失真电路进行预失真处理后，输入所述第一放大电路；所述差分预失真电路的N端与所述差分输入匹配电路的差分N端口、所述差分功率放大电路的输入N端连接，将所述第二差分信号经所述N端预失真电路进行预失真处理后，输入所述第二放大电路。2.如权利要求1所述的差分预失真功率放大器，其特征在于，所述P端预失真电路与所述N端预失真电路相连，以电路中心对称点为虚地。3.如权利要求1所述的差分预失真功率放大器，其特征在于，所述P端预失真电路与所述N端预失真电路分别接地。4.如权利要求2或3所述的差分预失真功率放大器，其特征在于，所述P端预失真电路包括第一晶体管，所述N端预失真电路包括第二晶体管；所述差分预失真电路的P端为所述第一晶体管的栅极，所述差分预失真电路的N端为所述第二晶体管的栅极。5.如权利要求4所述的差分预失真功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管的栅极与所述差分功率放大电路的输入P端、所述第一晶体管的漏极相连接，并连接到所述第二晶体管的源极；所述第二晶体管的栅极与所述差分功率放大电路输入N端、所述第二晶体管的漏极相连接，并连接到所述第一晶体管的源极；形成所述差分预失真电路的闭环电路。6.如权利要求4所述的差分预失真功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管的栅极与所述差分功率放大电路的输入P端、所述第一晶体管的漏极相连接，所述第一晶体管的源极接地；所述第二晶体管的栅极与所述差分功率放大电路的输入N端、所述第二晶体管的漏极相连接，所述第二晶体管的源极接地；形成所述差分预失真电路的闭环电路。7.如权利要求5或6所述的差分预失真功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为双栅晶体管；所述第一晶体管的第一栅极与所述差分功率放大电路的输入P...

【专利技术属性】
技术研发人员：王源清，杨春伟，牛春宇，
申请(专利权)人：宜确半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：