一种高性能低噪声放大器制造技术

本发明专利技术属于放大器技术领域，具体地而言为一种高性能低噪声放大器，包括Bypass通道电路，在控制电压为高电平时，工作在Bypass模式，射频信号输入端通过隔直电容C3馈入三个串联的耗尽型PHEMT管，并通过隔直电容C4馈至输出端RFOUT；当控制电压为低电平时，工作在LNA模式；信号放大电路，包括增强型PHEMT管M1，两端连接在射频信号输入端和输出端，对射频信号进行放大；线性度增强电路，与信号放大电路中增强型PHEMT管M1的源极连接，为增强型PHEMT管M1提供一个低的负栅源电压。本发明专利技术Bypass方案在输出功率增加至10dBm时增益下降量不到0.5dB。能够实现近两倍的线性度提升。能够实现近两倍的线性度提升。能够实现近两倍的线性度提升。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能低噪声放大器


[0001]本专利技术属于放大器
，具体地而言为一种高性能低噪声放大器。

技术介绍

[0002]在现代无线通信系统接收机中，为了能够抵抗大信号输入可能造成的通道饱和或信号压缩甚至器件损坏等不利影响，要求低噪声放大器芯片必须能够将输入端的大信号直接通向输出端，即Bypass功能，如图1所示。
[0003]在GaAs工艺下，Bypass通道常采用耗尽型PHEMT管（Depleted Mode）以实现超低损耗的射频开关，如图2所示。M3、M4、M5是3个串联的耗尽型PHEMT管，电阻R3、电阻R4、电阻R5分别为耗尽型PHEMT管M3、耗尽型PHEMT管M4、耗尽型PHEMT管M5的栅极偏置电阻，控制电压EN_BYP通过电阻R3、电阻R4、电阻R5将控制电压连接到耗尽型PHEMT管M3、耗尽型PHEMT管M4、耗尽型PHEMT管M5的栅极，以控制耗尽型PHEMT管M3、耗尽型PHEMT管M4、耗尽型PHEMT管M5的开启或关断状态。当EN_BYP为高电平时，耗尽型PHEMT管M3、耗尽型PHEMT管M4、耗尽型P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能低噪声放大器，其特征在于，包括：Bypass通道电路，在控制电压EN_BYP为高电平时，工作在Bypass模式，射频信号输入端RFIN通过隔直电容C3馈入三个串联的耗尽型PHEMT管，并通过隔直电容C4馈至输出端RFOUT；当控制电压EN_BYP为低电平时，工作在LNA模式；信号放大电路，包括增强型PHEMT管M1，两端连接在射频信号输入端RFIN和输出端RFOUT，对射频信号进行放大；线性度增强电路，与信号放大电路中增强型PHEMT管M1的源极连接，为增强型PHEMT管M1提供一个低的负栅源电压。2.按照权利要求1所述的高性能低噪声放大器，其特征在于，所述信号放大电路包括增强型PHEMT管M1，增强型逻辑管M7，电感Ls、电感Ld，隔直电容C1、隔直电容C2，电阻R1；其中，增强型PHEMT管M1的栅极通过隔直电容C1连接至射频信号输入端RFIN；增强型PHEMT管M1的漏极通过隔直电容C2连接至输出端RFOUT，并通过电感Ld连接到电源VDD；增强型PHEMT管M1的栅极通过电阻R1连接偏置电压Vb1，并连接在增强型逻辑管M7的漏极，所述增强型逻辑管M7的源极接地，所述增强型逻辑管M7的栅极接控制电压EN_BYP；增强型PHEMT管M1的源极通过电感Ls连接线性度增强电路。3.按照权利要求2所述的高性能低噪声放大器，其特征在于，所述线性度增强电路包括：增强型PHEMT管M...

【专利技术属性】
技术研发人员：项勇，陈浪，戈泽宇，刘辉，袁伟薯，汪智斌，
申请(专利权)人：苏州悉芯射频微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：