本发明涉及射频集成电路领域，具体涉及一种具有谐波抑制网络的射频功率放大器，包括偏置电路分别连接到每级功率放大管的基极；射频扼流网络一端连接到每级功率放大管的集电极，另一端连接到电源VCC；输入匹配网络一端连接到射频输入端，一端连接到第一...

本发明涉及射频集成电路领域，具体涉及一种射频开关电路，所述射频开关包括：第一开关臂与第二开关臂，所述第一开关臂与第二开关臂的公共端口连接片上电路射频端口Port3，第一开关臂的另一端接第一输出端口Port1，第二开关臂的另一端接第二输出...

本发明涉及射频芯片功放技术领域，公开了一种高线性高效率的非对Doherty功率放大器。包括：输出匹配电路、驱动级功率单元、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路、载波功放功率单元、辅助功放功率单元、功率控制电路、电抗负载、50Ω负载以及包括...

本发明属于无线通信系统技术领域，为一种提升射频功率放大器性能的电路及方法，该电路包括：缓冲器Buffer1，输入端输入控制信号，输出端连接开关SW<subgt;1</subgt;，开关SW<subgt;1</su...

本发明属于放大器技术领域，具体地而言为一种高性能低噪声放大器，包括Bypass通道电路，在控制电压为高电平时，工作在Bypass模式，射频信号输入端通过隔直电容C3馈入三个串联的耗尽型PHEMT管，并通过隔直电容C4馈至输出端RFOUT...

本发明涉及一种基于SOI工艺的带隙基准电路，采用带隙基准核心电路和驱动增强电路构成，带隙基准核心电路包括负反馈支路与正反馈支路。由此，可基于温度补偿技术，利用横向正偏二极管结电压之差的正温度特性，并且作用在电阻R2上产生对数特性的正温度...

本发明涉及一种叠层ESD Power Clamp的偏置电压产生电路。包括：第一FET晶体管、第二FET晶体管、第三FET晶体管、第四FET晶体管，第一电阻、第二电阻，直流电源VDD，和输出电压Vx；其中直流电源VDD连接第一FET晶体管...

本发明涉及一种Bypass开关偏置电压产生电路。其中第一增强型FET晶体管的栅极与控制电压和第二增强型FET晶体管栅极相连，第一增强型FET晶体管的源极接地，漏极与第二电阻相连。第二增强型FET晶体管的栅极与控制电压和第一增强型FET晶...

本发明属于射频电路技术领域，涉及一种对温度不敏感的偏置电路，包括第一至第四晶体管，第一至第七电阻以及两个直流电源。其中第一、二、三晶体管形成HBT晶体管自适应偏置的反馈环路，当第一晶体管需要放大信号时，第二、三晶体管形成反馈环路，自动将...

本发明涉及一种基于耦合器结构的毫米波开关及设计方法，包括第一类SPST由第一耦合器和L

本发明公开了一种片上毫米波带通滤波器。包括：中心抽头环形谐振器、接地屏蔽层、第一MIM电容器与第二MIM电容器、输入馈线和输出馈线；中心抽头环形谐振器呈曲折线形状弯曲排列，一端包括一个弯曲端，另一端包括两个弯曲端，通过四组平行的指位于弯...

一种可调节的负载平衡功放结构，包括一个射频信号输入源、一个将射频信号输入源输入的射频信号分为两路同频率且相位相差180