基于SOI工艺的带隙基准电路制造技术

本发明专利技术涉及一种基于SOI工艺的带隙基准电路，采用带隙基准核心电路和驱动增强电路构成，带隙基准核心电路包括负反馈支路与正反馈支路。由此，可基于温度补偿技术，利用横向正偏二极管结电压之差的正温度特性，并且作用在电阻R2上产生对数特性的正温度系数电流，再通过高精度电流镜像电路，在电阻R3上产生正温度系数电压，并抵消横向正偏二极管结电压的负温度系数，实现了高精度温度补偿。采用源极驱动的方式进行电压输出，极大地提高基准电压的负载驱动能力。可复用带隙基准核心电路产生的偏置电流，以节省额外的电流消耗，从而实现低功耗。从而实现低功耗。从而实现低功耗。

【技术实现步骤摘要】
基于SOI工艺的带隙基准电路


[0001]本专利技术涉及一种电路构造，尤其涉及一种基于SOI（Silicon
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on
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Insulator，绝缘体上硅）工艺的带隙基准电路。

技术介绍

[0002]高精度带隙基准电压源广泛应用于多种电子设备和系统中。比如电源、数据转换器、片上系统等等。带隙基准电压源为电路与系统提供不随温度、电源和工艺波动的稳定基准电压，保证后续电路模块的精确工作，需满足一定精度设计；对温度波动不敏感、对电源的波动敏感度低。随着集成电路技术的发展，电路和系统对内部带隙基准电压源的性能要求越来越高。
[0003]为了解决带隙基准电压的负载驱动能力不足的问题，通常的方法是在带隙基准电压的后级额外增加一个缓冲器。这个缓冲器能够将带隙基准电压复制到缓冲器的输出端，同时又能增强其输出端电压的负载驱动能力，并且可以根据需要调整这个缓冲器的相关参数，以获得电路系统所需的负载驱动能力。
[0004]但是，目前常用的上述解决方法虽然能够一定程度上解决负载驱动能力不足的问题，但是也带来了很多缺点，具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于SOI工艺的带隙基准电路，其特征在于：采用带隙基准核心电路和驱动增强电路构成，所述带隙基准核心电路包括负反馈支路与正反馈支路，所述负反馈支路采用横向正偏二极管D1、横向正偏二极管D2、横向正偏二极管D3、横向正偏二极管D4、横向正偏二极管D5、横向正偏二极管D6、横向正偏二极管D7、横向正偏二极管D8，电阻R1、电阻R2和误差放大器OP组成，所述横向正偏二极管D1、横向正偏二极管D2、横向正偏二极管D3、横向正偏二极管D4、横向正偏二极管D5、横向正偏二极管D6、横向正偏二极管D7、横向正偏二极管D8相互并联，且与电阻R1、电阻R2串联；所述正反馈支路包括横向正偏二极管D9、电阻R3和误差放大器OP，所述电阻R3与横向正偏二极管D9串联，所述误差放大器OP的负端连入负反馈支路，所述误差放大器OP的正端连入正反馈支路；所述驱动增强电路采用横向正偏二极管D10、电阻R4、电容C1、P型MOS管MP1、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2构成，所述误差放大器OP的输出端连接P型MOS管MP1的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：项勇，陈浪，戈泽宇，刘辉，唐玖虎，汪智斌，
申请(专利权)人：苏州悉芯射频微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：