一种带动态失调电压抵消的比较器电路制造技术

一种带动态失调电压抵消的比较器电路，涉及集成电路技术，本实用新型专利技术包括比较器电路和失调电压抵消电路，通过在比较器的输入级增加作为失调抵消电容的第一电容、第二电容以及作为开关的第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管来实现比较器动态失调电压的抵消，其中第一MOS管的源极通过第一电容连接到第五MOS管的漏极，第二MOS管的源极通过第二电容连接到第六MOS管的漏极，第五MOS管的漏极和第六MOS管的漏极连接形成参考点P

【技术实现步骤摘要】
一种带动态失调电压抵消的比较器电路


[0001]本技术涉及集成电路技术，特别涉及一种带动态失调电压抵消的比较器电路。

技术介绍

[0002]比较器是很多电路系统的核心模块，对整个系统的性能有很大影响。电压比较器用来比较两个模拟电压的大小，根据是否由时钟控制可以分为动态比较器和静态比较器。比较器的输入是两个模拟电压值V
ip
和V
in
，输出是一个数字判定值V
O
(或两个值V
OP
和V
ON
，两个值相反，互为高低电平)，例如当V
ip
>V
in
时，V
O
为高电平(即“1”)，反之，V
ip
<V
in
时，V
O
为低电平(即“0”)。理想比较器在输入相等时，输出为高低电平的概率相同。对于实际比较器，由于工艺实配、环境变化以及比较器本身结构等原因，存在比较器失调电压，只有当输入的两个模拟电压值之差等于失调电压时，输出高低电平的概率才会相等。比较器本身结构导致的失调误差可以通过电路结构进行改善和消除。工艺误差会导致器件的不匹配，一个比较器中所有差分对管间的不匹配贡献了比较器的静态失调误差。比较器失调电压与输入端的共模电平有关，变化的输入共模电平导致变化的比较器失调电压，称为动态失调电压。针对比较器中的静态失调电压，已经有多种失调抵消技术，例如输入失调存储和输出失调存储技术，但是目前针对比较器动态失调电压，没有太有效的方法。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种带动态失调电压抵消的比较器电路，实现比较器动态失调电压的抵消。
[0004]为了实现以上目的，本技术采用的技术方案为：一种带动态失调电压抵消的比较器电路，包括比较器电路和失调电压抵消电路，其中失调电压抵消电路包括第一电容、第二电容、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管；
[0005]比较器电路中的第三MOS管源极接VDD端、漏极和第一MOS管的漏极连接形成参考点D
i+
、栅极接第四控制端；第四MOS管源极接VDD端、漏极和第二MOS管的漏极连接形成参考点D
i
‑
、栅极接第四控制端；
[0006]比较器电路中的第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极作为比较器的两个输入端，第一MOS管的栅极接至二选一的第一控制端和第二控制端，其中第一控制端接共模电压V
cmi
，第二控制端接输入电压V
in+
，第二MOS管的栅极接至二选一的第一控制端和第三控制端，其中第一控制端接共模电压V
cmi
，第三控制端接输入电压V
in
‑
；
[0007]第一MOS管的源极通过第一电容连接到第五MOS管的漏极，第二MOS管的源极通过第二电容连接到第六MOS管的漏极，第五MOS管的漏极和第六MOS管的漏极连接形成参考点P
cb
；第五MOS管的源极接地，栅极接第四控制端；第六MOS管的源极接偏置电压Vb，栅极接第一控制端；第一MOS管的源极还接至第七MOS管的漏极，第七MOS管的源极接地，栅极接第五控制端；第二MOS管的源极还接至第八MOS管的漏极，第八MOS管的源极接地，栅极接第五控
制端。
[0008]本技术通过在比较器的输入级增加作为失调抵消电容的第一电容、第二电容以及作为开关的第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管来实现动态失调电压抵消。
[0009]本技术的有益效果是：
[0010]通过在传统比较器中增加失调抵消电容和开关，减小动态失调电压对比较器的影响；动态失调电压抵消电路不消耗额外的静态功耗；本技术可以应用在比较器、模数转换器、存储器感测等多种电路中，抵消动态失调电压的影响。
附图说明
[0011]图1是本技术带动态失调电压抵消的比较器电路图。
具体实施方式
[0012]为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行进一步的详细描述。
[0013]图1示出，本技术的一种具体实施方式是，一种带动态失调电压抵消的比较器电路，包括比较器电路1和失调电压抵消电路2，其中失调电压抵消电路2包括第一电容C+、第二电容C
‑
、第五MOS管M5、第六MOS管Mb、第七MOS管MR1、第八MOS管MR2；
[0014]比较器电路1中的第三MOS管M3源极接VDD端、漏极和第一MOS管M1的漏极连接形成参考点D
i+
、栅极接第四控制端Φ
L
；第四MOS管M4源极接VDD端、漏极和第二MOS管M2的漏极连接形成参考点D
i
‑
、栅极接第四控制端Φ
L
；
[0015]比较器电路1中的第一MOS管M1的栅极和第二MOS管M2的栅极作为比较器的两个输入端，第一MOS管M1的栅极接至二选一的第一控制端Φ1和第二控制端Φ2，其中第一控制端Φ1接共模电压V
cmi
，第二控制端Φ2接输入电压V
in+
，第二MOS管M2的栅极接至二选一的第一控制端Φ1和第三控制端Φ2’
，其中第一控制端Φ1接共模电压V
cmi
，第三控制端Φ2’
接输入电压V
in
‑
；
[0016]第一MOS管M1的源极通过第一电容C+连接到第五MOS管M5的漏极，第二MOS管M2的源极通过第二电容C
‑
连接到第六MOS管Mb的漏极，第五MOS管M5的漏极和第六MOS管Mb的漏极连接形成参考点P
cb
；第五MOS管M5的源极接地，栅极接第四控制端Φ
L
；第六MOS管Mb的源极接偏置电压Vb，栅极接第一控制端Φ1；第一MOS管M1的源极还接至第七MOS管MR1的漏极，第七MOS管MR1的源极接地，栅极接第五控制端Φ
R
；第二MOS管M2的源极还接至第八MOS管MR2的漏极，第八MOS管MR2的源极接地，栅极接第五控制端Φ
R
。
[0017]图中V
out+
和V
out
‑
是比较器电路的输出端。
[0018]本技术的工作原理和过程是：
[0019]第一步，在重置相位，第一控制端Φ1导通，共模电压V
cmi
输入到第一MOS管M1的栅极和第二MOS管M2的栅极，第一MOS管M1和第二MOS管M2也导通，从而对第一电容C+和第二电容C
‑
进行充电。同时，由于第一控制端Φ1导通，第六MOS管Mb也导通，第一电容C+和第二电容C
‑
的底部参考点P
cb
的电压V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带动态失调电压抵消的比较器电路，包括比较器电路(1)和失调电压抵消电路(2)，其特征在于：所述失调电压抵消电路(2)包括第一电容(C+)、第二电容(C
‑
)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(Mb)、第七MOS管(MR1)、第八MOS管(MR2)；所述比较器电路(1)中的第三MOS管(M3)源极接VDD端、漏极和第一MOS管(M1)的漏极连接形成参考点D
i+
、栅极接第四控制端(Φ
L
)；第四MOS管(M4)源极接VDD端、漏极和第二MOS管(M2)的漏极连接形成参考点D
i
‑
、栅极接第四控制端(Φ
L
)；所述比较器电路(1)中的第一MOS管(M1)的栅极和第二MOS管(M2)的栅极作为比较器的两个输入端，第一MOS管(M1)的栅极接至二选一的第一控制端(Φ1)和第二控制端(Φ2)，其中第一控制端(Φ1)接共模电压V
cmi
，第二控制端(Φ2)接输入电压V
in+
，第二MOS管(M2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢德智，
申请(专利权)人：成都环宇芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：