一种真空样品舱及显微镜制造技术

本实用新型专利技术提供了一种真空样品舱及显微镜，涉及电子显微镜技术领域，解决了现有技术中在样品分析时存在的样品氧化、污染、裂片风险的问题。第一真空腔室开设有第一开口；第二真空腔室开设有第二开口，第二真空腔室与第一真空腔室密封连接并通过第二开口和第一开口相互连通；滑移装置连接样品台，滑移装置能够驱动样品台通过第一开口和第二开口在第一真空腔室内部和第二真空腔室内部之间进行转移；探针密封连接于第二真空腔室，用于测试位于第二真空腔室内的样品；测试显微镜密封连接于第二真空腔室，用于观察位于第二真空腔室内的样品。本实用新型专利技术与现有技术相比，可让样品在真空环境下实现原位分析，减少样品氧化、污染和裂片风险。裂片风险。裂片风险。

【技术实现步骤摘要】
一种真空样品舱及显微镜


[0001]本技术涉及电子显微镜
，具体的说，是一种真空样品舱及显微镜。

技术介绍

[0002]半导体芯片，例如集成电路芯片(IC)、分立器件等，在发生失效后通常需要对其做失效分析，分析的手法有无损和破坏性(PFA)两种方式；其中破坏性分析的主要流程是：去除芯片塑封体(decap)，取下裸露的芯片(die)，使用扫描电子显微镜(SEM)或聚焦离子束显微镜(FIB)观察die，使用电测设备对die进行电学性能测试、热点测试等；有时候需要在SEM下观察，找到对应失效分析的点位，或者使用FIB对线路进行修补，然后再在探针台下测量电学性能。
[0003]SEM和FIB在真空状态进行工作，其所采用的真空样品舱如申请公布号为CN111769025A的专利技术专利申请所公开的一种扫描电子显微镜的样品仓那样，为一个独立的真空系统。由于SEM或FIB与电测设备是两套独立的设备，且die是通过银胶或者碳胶带粘贴在SEM样品台上的，需要先从样品台上取下再放在电测设备的探针台上测试，在这个取放和转移过程中，样品容易氧化、污染，影响本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空样品舱，其特征在于：包括：第一真空腔室(1)，其一侧壁开设有第一开口；第二真空腔室(2)，其一侧侧壁开设有第二开口，所述第二真空腔室(2)与所述第一真空腔室(1)密封连接并通过所述第二开口和所述第一开口相互连通；样品台(3)；滑移装置，其连接所述样品台(3)，所述滑移装置能够驱动所述样品台(3)通过所述第一开口和所述第二开口在所述第一真空腔室(1)内部和所述第二真空腔室(2)内部之间进行转移；探针(5)，其密封连接于所述第二真空腔室(2)，所述探针(5)用于对位于所述第二真空腔室(2)内的样品进行电学测试；测试显微镜(6)，其密封连接于所述第二真空腔室(2)，所述测试显微镜(6)用于观察位于所述第二真空腔室(2)内的样品。2.根据权利要求1所述的一种真空样品舱，其特征在于：所述探针(5)设置有多个。3.根据权利要求1所述的一种真空样品舱，其特征在于：所述滑移装置包括轨道(4)和与所述轨道(4)连接的电动滑移驱动设备，所述轨道(4)自所述第一真空腔室(1)延伸至所述第二真空腔室(2)；所述样品台(3)活动连接于所述轨道(4)，所述电动滑移驱动设备连接所述样品台(3)用...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏惠，郭宏毅，罗九斌，
申请(专利权)人：张家港市集成电路产业发展有限公司，
类型：新型
国别省市：