改善电荷导致MOS管漏电的方法技术

本发明专利技术提供一种改善电荷导致MOS管漏电的方法，提供衬底，在衬底上形成有金属层以及位于金属层上的层间介质层，在层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得部分层间介质层裸露，之后刻蚀裸露的层间介质层至金属层上以形成沟槽，沟槽的侧壁形成有聚合物；利用灰化工艺去除剩余的光刻胶层；利用湿法清洗去除残留的聚合物以及光刻胶层；利用等离子体中的离子中和湿法清洗中形成于金属层上的静电荷；利用紫外线灯照射裸露的金属层。本发明专利技术在湿法清洗后，采用离子中和湿法清洗中引入的静电荷，可有效改善MOS管漏电流的漏电现象。可有效改善MOS管漏电流的漏电现象。可有效改善MOS管漏电流的漏电现象。

【技术实现步骤摘要】
改善电荷导致MOS管漏电的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善电荷导致MOS管漏电的方法。

技术介绍

[0002]后道金属互连工艺中，屏蔽层(层间介质层)较厚，刻蚀工艺会产生较重的聚合物，往往需要长时间的湿法工艺方可有效去除；
[0003]请参阅图1，长时间的湿法工艺，药液与硅片会产生电荷，造成MOS漏电波动较大；
[0004]业界一般的做法是使用UVE(紫外线)照射及炉管合金消除电荷，但这两种方式均无法有效消除MOS管漏电异常波动。
[0005]为解决上述问题，需要提出一种新型的改善电荷导致MOS管漏电的方法。

技术实现思路

[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善电荷导致MOS管漏电的方法，用于解决现有技术中长时间的湿法工艺，药液与硅片会产生电荷，造成MOS漏电波动较大的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善电荷导致MOS管漏电的方法，包括：
[0008]步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善电荷导致MOS管漏电的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有金属层以及位于所述金属层上的层间介质层，在所述层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得部分所述层间介质层裸露，之后刻蚀裸露的层间介质层至所述金属层上以形成沟槽，所述沟槽的侧壁形成有聚合物；步骤二、利用灰化工艺去除剩余的所述光刻胶层；步骤三、利用湿法清洗去除残留的所述聚合物以及所述光刻胶层；步骤四、利用等离子体中的离子中和所述湿法清洗中形成于所述金属层上的静电荷；步骤五、利用紫外线灯照射裸露的所述金属层。2.根据权利要求1所述的改善电荷导致MOS管漏电的方法，其特征在于：步骤一中的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓红标，徐云，刘春玲，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：