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本发明提供一种改善电荷导致MOS管漏电的方法，提供衬底，在衬底上形成有金属层以及位于金属层上的层间介质层，在层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得部分层间介质层裸露，之后刻蚀裸露的层间介质层至金属层上以形成沟槽，沟槽的侧壁形成有聚合...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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