非易失性存储器件制造技术

在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括栅电极、沟道结构、多个单元接触插塞、线性金属图案和多个上接合焊盘。所述第二半导体芯片包括多个下接合焊盘、与所述沟道结构交叠的第一外围电路元件、与所述多个单元接触插塞交叠的第二外围电路元件以及与所述多个单元接触插塞交叠的第三外围电路元件。所述外围电路元件耦接到对应的单元接触插塞。所述第二上接合焊盘和所述第三上接合焊盘在所述第一方向上的宽度彼此不同，并且所述第二下接合焊盘和所述第三下接合焊盘在所述第一方向上的宽度彼此不同。方向上的宽度彼此不同。方向上的宽度彼此不同。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2022年2月4日提交的韩国专利申请第10
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2022
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0015073号的优先权以及于2022年6月30日提交的韩国专利申请第10
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2022
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0080715号的优先权，上述申请的公开内容以引用的方式全部并入本文。


[0003]本公开涉及存储器件，并且更具体地涉及通过以接合(bonding)方式将其中布置有存储单元的第一芯片连接到其中布置有外围电路的第二芯片而获得的三维(3D)非易失性存储器件。

技术介绍

[0004]相关存储器件可以用于存储数据并且可以包括易失性存储器件和非易失性存储器件。由于要求非易失性存储器件的高电容和微型化，已经开发出在垂直于外围电路的方向上布置存储单元阵列的相关3D存储器件。3D存储器件的示例可以包括其中布置有存储单元的第一半导体芯片和其中布置有外围电路的第二半导体芯片以接合方式彼此连接的芯片到芯片(C2C)存储器件。在C2C存储器件的情况本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括：多个栅电极，每个所述栅电极在第一方向上延伸并且在第二方向上堆叠；沟道结构，所述沟道结构在第一区域中沿所述第二方向延伸；多个单元接触插塞，所述多个单元接触插塞包括第一单元接触插塞、第二单元接触插塞和第三单元接触插塞，所述多个单元接触插塞中的每一个单元接触插塞在第二区域中耦接到所述多个栅电极中的对应栅电极；线性金属图案，所述线性金属图案在所述第一方向上延伸；以及多个上接合焊盘，所述多个上接合焊盘包括第一上接合焊盘、第二上接合焊盘和第三上接合焊盘；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括：多个下接合焊盘，所述多个下接合焊盘包括第一下接合焊盘、第二下接合焊盘和第三下接合焊盘；第一外围电路元件，所述第一外围电路元件与所述沟道结构交叠；第二外围电路元件，所述第二外围电路元件与所述多个单元接触插塞交叠；以及第三外围电路元件，所述第三外围电路元件与所述多个单元接触插塞交叠，其中，所述第一单元接触插塞通过所述线性金属图案、所述第一上接合焊盘和所述第一下接合焊盘耦接到所述第一外围电路元件，其中，所述第二单元接触插塞通过所述第二上接合焊盘和所述第二下接合焊盘耦接到所述第二外围电路元件，其中，所述第三单元接触插塞通过所述第三上接合焊盘和所述第三下接合焊盘耦接到所述第三外围电路元件，并且其中，所述第二上接合焊盘在所述第一方向上的宽度不同于所述第三上接合焊盘在所述第一方向上的宽度，或者所述第二下接合焊盘在所述第一方向上的宽度不同于所述第三下接合焊盘在所述第一方向上的宽度。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第二上接合焊盘在所述第一方向上的宽度大于所述第一上接合焊盘在所述第一方向上的宽度。3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第二下接合焊盘在所述第一方向上的宽度大于所述第一下接合焊盘在所述第一方向上的宽度。4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一上接合焊盘和所述第一下接合焊盘在所述第一方向上具有第一宽度，其中，所述第二上接合焊盘在所述第一方向上的宽度和所述第二下接合焊盘在所述第一方向上的宽度是第二宽度，并且其中，所述第二宽度大于所述第一宽度。5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述栅电极包括串选择线、多条字线和接地选择线，其中，所述第一单元接触插塞耦接到所述串选择线，其中，所述第二单元接触插塞耦接到所述多条字线中的一条字线和所述接地选择线，并且
其中，所述第三单元接触插塞耦接到所述多条字线中的另一条字线和所述接地选择线。6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一外围电路元件、所述第二外围电路元件和所述第三外围电路元件提供行译码器。7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一半导体芯片还包括：第四上接合焊盘，所述第四上接合焊盘设置在所述第一区域中并且耦接到所述沟道结构中的第一沟道结构；以及第五上接合焊盘，所述第五上接合焊盘设置在所述第一区域中并且耦接到所述沟道结构中的第二沟道结构，并且其中，所述第二半导体芯片还包括：第四下接合焊盘，所述第四下接合焊盘耦接到所述第四上接合焊盘；第五下接合焊盘，所述第五下接合焊盘耦接到所述第五上接合焊盘；第四外围电路元件，所述第四外围电路元件耦接到所述第四上接合焊盘；以及第五外围电路元件，所述第五外围电路元件耦接到所述第五下接合焊盘，并且其中，所述第四上接合焊盘在所述第一方向上的宽度不同于所述第五上接合焊盘在所述第一方向上的宽度，或者所述第四下接合焊盘在所述第一方向上的宽度不同于所述第五下接合焊盘在所述第一方向上的宽度。8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，所述第四外围电路元件和所述第五外围电路元件提供页缓冲器电路。9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一半导体芯片还包括：公共源极线，所述公共源极线在所述第一方向上延伸；至少一个接触插塞，所述至少一个接触插塞共同耦接到所述公共源极线；以及第四上接合焊盘，所述第四上接合焊盘耦接到所述至少一个接触插塞，并且其中，所述第二半导体芯片还包括：第四下接合焊盘，所述第四下接合焊盘耦接到所述第四上接合焊盘；以及第四外围电路元件，所述第四外围电路元件耦接到所述第四下接合焊盘，并且其中，所述第一上接合焊盘在所述第一方向上具有第一宽度，并且其中，所述第四上接合焊盘和所述第四下接合焊盘中的至少一者在所述第一方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度。10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述第四外围电路元件提供公共源极线驱动器。11.一种非易失性存储器件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括：多个栅电极，每个所述栅电极在第一方向上延伸并且在第二方向上堆叠；沟道结构，所述沟道结构在第一区域中沿所述第二方向延伸；单元接触插塞，每个所述单元接触插塞在第二区域中耦接到所述多个栅电极中的对应栅电极；第一上接合焊盘；以及第二上接合焊盘；以及
第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括：第一下接合焊盘；第二下接合焊盘；第一外围电路元件，所述第一外围电路元件与所述沟道结构交叠；以及第二外围电路元件，所述第二外围电路元件与所述单元接触插塞交叠，其中，所述单元接触插塞中的第一单元接触插塞通过所述第一上接合焊盘和所述第一下接...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵栢衡，边大锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：