一种非易失静态随机存储器单元制造技术

本公开实施例中提供了一种非易失静态随机存储器单元，属于信息存储技术领域，具体包括：易失性SRAM存储器，易失性SRAM存储器包括锁存器和选通管；伪差分非易失NVM存储器，伪差分非易失NVM存储器包括一个大尺寸N型晶体管构成的耦合电容器、一个N型晶体管复用为电荷隧穿管和读取管，一个P型晶体管构成的读取管、并和N型复用读取管一起构成差分读取电路，三个晶体管的多晶栅连接在一起构成非易失存储数据的浮栅；两个隔离保护管，两个隔离保护管设置于易失性SRAM存储器和伪差分非易失NVM存储器之间。通过本公开的方案，降低了生产成本，提高了兼容性、存储密度和容量。存储密度和容量。存储密度和容量。

【技术实现步骤摘要】
一种非易失静态随机存储器单元


[0001]本公开实施例涉及信息存储
，尤其涉及一种非易失静态随机存储器单元。

技术介绍

[0002]目前，当前计算机系统中包括两类存储器，一类是掉电之后数据丢失的易失性存储器，主要是SRAM和DRAM，该类型存储器存取速度快，适合于芯片上电后数据的实时交换；另一类是掉电之后数据保持的非易失性存储器，主要是FLASH，该存储器写入数据很慢，所以不用于数据的实时交换，只用于数据的存储。计算机系统中通常是两类存储器并存来搭配使用，既保证数据的快速实时交换又保证系统掉电后数据保持。
[0003]非易失性静态随机存储器(NVSRAM)同时具有以上两种存储器的特性，既能够实现快速存取数据又能够在系统掉电后实现数据保持。传统的NVSRAM一般将一个SRAM单元和两个EEPROM或者FLASH单元(差分结构)组合起来。该方案主要有两个缺点，第一点，FLASH工艺为特殊工艺，需要增加10层左右的掩膜，成本高；另一点是SRAM单元需要和FLASH单元隔离，FLASH单元需要高压驱动，所以隔离需要更大的存储单元面积，这造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失静态随机存储器单元，其特征在于，包括：易失性SRAM存储器，易失性SRAM存储器包括锁存器和选通管；伪差分非易失NVM存储器，伪差分非易失NVM存储器包括一个大尺寸N型晶体管构成的耦合电容器、一个N型晶体管复用为电荷隧穿管和复用读取管，一个P型晶体管构成的读取管、并和N型复用读取管一起构成差分读取电路，三个晶体管的多晶栅连接在一起构成非易失存储数据的浮栅；两个隔离保护管，两个隔离保护管设置于易失性SRAM存储器和伪差分非易失NVM存储器之间，所述隔离保护管为N型晶体管。2.根据权利要求1所述的非易失静态随机存储器单元，其特征在于,所述锁存器包括两个P型晶体管和两个N型晶体管，两个P型晶体管和两个N型晶体管为互锁结构。3.根据权利要求2所述的非易失静态随机存储器单元，其特征在于,所述选通管包括两个N型晶体管。4.根据权利要求3所述的非易失静态随机存储器单元，其特征在于,所述两个P型晶体管还设置有电源端口VCCI。5.根据权利要求4所述的非易失静态随机存储器单元，其特征在于,所述伪差分非易失NVM存储器通过两个隔离保护管与易失性SRAM存储器连接于D，DB差分节点。6.根据权利要求5所述的非易失静态随机存储器单元，其特征在于,所述非易失静态随机存储器单元的操作模式包括STORE操作，RECALL操作，SRAM读操作，SRAM写操...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡磊，刘祥远，傅祎晖，陈强，杨国庆，谈斌，
申请(专利权)人：湖南融创微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：