【技术实现步骤摘要】
本申请属于数字集成电路设计领域，尤其涉及一种存储控制器访问地址重映射方法。
技术介绍
1、目前对于类似可读存储器(prom，programmable read-only memory)的非易失性存储器(一种特殊的计算机存储设备，其主要特点是在断电或电源故障的情况下能够保持数据的长期存储)集成设计，尤其是在各类高可靠加固的设计中，其存储体的资源占用率都是比较大的。因此，尽可能利用其存储空间，减少不必要的存储容量消耗十分重要。
2、而对于此类存储器生产过程中的可能出现的制造缺陷，往往需要增加冗余的存储数据块，以便在检测到生产制造缺陷时，进行存储器访问地址的重映射，将原本存在制造缺陷的存储地址重映射至预留的冗余存储数据块，从而提高存储器产品的制造良率。
3、目前的冗余存储数据块地址重映射方案，大多需要将存在制造缺陷的存储地址，以及对应的冗余存储数据块使能标志位保存至额外的专用存储空间。在进行存储器访问时，存储控制器需要先判断当前访问地址是否为该存储空间中保存的缺陷地址，以及冗余存储数据块使能标识位是否有效，然后决定是否将当前的访问地址重映射至对应的冗余存储数据块。此方案需要耗费额外的存储资源用于保存存在制造缺陷的存储地址，以及冗余存储数据块使能标志位，并且在可重映射的冗余数据块与缺陷数据块数量越多时，耗费的额外存储资源越多。
技术实现思路
1、本申请提供了一种存储控制器访问地址重映射方法，可以解决传统地址重映射方法内存消耗大的问题。
2、本申请提供了一
3、存储控制器将存储器中普通数据字的缺陷重映射标志位向量和冗余数据字的缺陷重映射标志位向量加载到自身的内部寄存器，在非易失性存储器存在制造缺陷时可对缺陷地址的访问进行地址重映射；
4、存储控制器根据冗余数据字的缺陷重映射标志位向量，分别计算获得冗余数据字中可用冗余数据字的数量和地址偏移向量；
5、存储控制器根据普通数据字的缺陷重映射标志位向量，计算普通数据字的地址重映射编号值；普通数据字的地址重映射编号值用于指示普通数据字是否进行访问地址重映射，以及进行访问地址重映射的目标冗余数据字地址；
6、存储控制器根据地址偏移向量和地址重映射编号值，计算普通数据字在地址重映射后的重映射地址；
7、存储控制器根据可用冗余数据字的数量和地址重映射编号值，对普通数据字进行访问地址重映射。
8、可选的，根据冗余数据字的缺陷重映射标志位向量，分别获取冗余数据字中可用冗余数据字的数量和地址偏移向量，包括：
9、依次判断冗余数据字的缺陷重映射标志位向量中各比特位的状态；冗余数据字的缺陷重映射标志位向量包括四个比特位，每个比特位的状态为零或一；
10、统计冗余数据字的缺陷重映射标志位向量中状态为零的比特位的数目，并将状态为零的比特位的数目作为可用冗余数据字的数量；
11、获取每个状态为零的比特位的地址偏移量，并将地址偏移量作为一地址偏移向量分量，得到地址偏移向量。
12、可选的，根据普通数据字的缺陷重映射标志位向量，计算普通数据字的地址重映射编号值，包括：
13、通过计算公式
14、rval[i]＝rval[i-1]+raf[i](0<i≤31,rval[0]＝raf[0])
15、得到第i个普通数据字的地址重映射编号值rval[i]；其中，raf[i]表示第i个普通数据字的缺陷重映射标志位向量。
16、可选的，根据地址偏移向量和地址重映射编号值，计算普通数据字在地址重映射后的重映射地址，包括：
17、通过计算公式
18、ra＝rba+roffset[(rval-1)]
19、得到当前访问地址的重映射地址ra；其中，rba表示冗余数据字片区的基地址。
20、本申请的上述方案有如下的有益效果：
21、本申请提供的存储控制器访问地址重映射方法，当检测到非易失性存储器存在制造缺陷时，可对缺陷重映射地址的访问进行地址重映射到正常的冗余备用数据字空间，存储控制器将普通数据字的缺陷重映射标志位向量和冗余数据字的缺陷重映射标志位向量加载到自身的内部寄存器，然后，根据冗余数据字的缺陷重映射标志位向量，分别获取可用冗余数据字的数量和地址偏移向量，再根据普通数据字的缺陷重映射标志位向量，计算普通数据字的地址重映射编号值，随后，根据地址偏移向量和地址重映射编号值，计算普通数据字在地址重映射后的重映射地址，最后根据可用冗余数据字的数量和地址重映射编号值，对普通数据字进行访问地址重映射。该存储控制器访问地址重映射方法相较于传统的址重映射方法，仅保存普通数据字及冗余数据字的缺陷重映射标志位，无需额外保存制造缺陷存储地址，便可进行访问地址重映射，减小了内存消耗，节省了存储资源。
22、本申请的其它有益效果将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
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1.一种存储控制器访问地址重映射方法，应用于非易失性存储器，所述非易失性存储器包括存储器和存储控制器，其特征在于，所述存储控制器访问地址重映射方法包括：
2.根据权利要求1所述的存储控制器访问地址重映射方法，其特征在于，所述根据所述冗余数据字的缺陷重映射标志位向量，分别获取所述冗余数据字中可用冗余数据字的数量和地址偏移向量，包括：
3.根据权利要求2所述的存储控制器访问地址重映射方法，其特征在于，所述根据所述普通数据字的缺陷重映射标志位向量，计算所述普通数据字的地址重映射编号值，包括：
4.根据权利要求3所述的存储控制器访问地址重映射方法，其特征在于，所述根据所述地址偏移向量和所述地址重映射编号值，计算所述普通数据字在地址重映射后的重映射地址，包括：
【技术特征摘要】
1.一种存储控制器访问地址重映射方法，应用于非易失性存储器，所述非易失性存储器包括存储器和存储控制器，其特征在于，所述存储控制器访问地址重映射方法包括：
2.根据权利要求1所述的存储控制器访问地址重映射方法，其特征在于，所述根据所述冗余数据字的缺陷重映射标志位向量，分别获取所述冗余数据字中可用冗余数据字的数量和地址偏移向量，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：徐蔚中，傅祎晖，陈强，杨柳江，
申请(专利权)人：湖南融创微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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