DICE制造技术

本申请适用于数模混合器件抗辐照性能评估技术领域，提供了一种

【技术实现步骤摘要】
DICE结构触发器抗辐照性能的评估方法及相关设备


[0001]本申请属于数模混合器件抗辐照性能评估
，尤其涉及一种
DICE
结构触发器抗辐照性能的评估方法及相关设备
。

技术介绍

[0002]空间辐射环境中的高能粒子和射线能够对在轨运行的航天器电子系统产生辐射效应，严重威胁航天器的正常运行甚至会导致其失效
。
航天元器件的抗辐照性能好坏直接影响到整个航天器电子系统的可靠性高低
。
目前，基于
DICE
结构抗辐照性能优异的原因，许多专利和文献通过双互锁存储单元
(DICE
，
Dual Interlocked Storage Cell)
结构进行静态随机存取存储器
(SRAM
，
Static Random
‑
Access Memory)
单元
、
触发器
、
锁存器等电路的抗辐照加固
。
[0003]通常而言，抗辐照芯片设计后，会通过流片
(
试生产
)
，再进行辐照测试，芯片的抗辐照性能才得以验证
。
然而，由于芯片的设计周期长
、
辐照测试机昂贵且匮乏等原因，这导致现有的芯片抗辐照性能评估方法，存在的耗时长，成本高的问题
。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种
DICE
结构触发器抗辐照性能的评估方法及相关设备，可以解决目前
DICE
结构触发器抗辐照性能的评估方法耗时长，成本高的问题
。
[0005]第一方面，本申请提供了一种
DICE
结构触发器抗辐照性能的评估方法，包括：
[0006]确定目标
DICE
结构触发器电路中的敏感节点，并确定敏感节点对应的待建模器件；
[0007]根据预先设置的工艺参数信息，分别构建待建模器件的器件模型以及，目标
DICE
结构触发器电路中非敏感节点对应的电路模型；
[0008]根据器件模型和电路模型，搭建目标
DICE
结构触发器的实际电路；
[0009]对实际电路中器件模型对应的电路器件进行重离子辐照，并计算电路器件在重离子辐照前后的电压差值；
[0010]根据电压差值，对目标
DICE
结构触发器的抗辐照性能进行评估
。
[0011]可选的，待建模器件为反相器，敏感节点为反相器中单管的漏极
。
[0012]可选的，在根据预先采集的工艺参数信息，分别构建待建模器件的器件模型以及，目标
DICE
结构触发器模拟电路中非敏感节点对应的电路模型后，本申请提供的
DICE
结构触发器抗辐照性能的评估方法还包括：
[0013]分别绘制器件模型对应的第一电学特性曲线和电路模型对应的第二电学特性曲线；
[0014]对第一电学特性曲线和第二电学特性曲线进行校准
。
[0015]可选的，根据电压差值，对目标
DICE
结构触发器抗辐照性能进行评估，包括：
[0016]若电压差值等于零，则将目标
DICE
结构触发器的抗辐照性能评估为合格；
[0017]若电压差值不等于零，则将目标
DICE
结构触发器的抗辐照性能评估为不合格
。
[0018]第二方面，本申请提供了一种
DICE
结构触发器抗辐照性能的评估装置，包括：
[0019]建模器件确定模块，用于确定目标
DICE
结构触发器电路中的敏感节点，并确定敏感节点对应的待建模器件；
[0020]模型构建模块，用于根据预先设置的工艺参数信息，分别构建待建模器件的器件模型以及，目标
DICE
结构触发器电路中非敏感节点对应的电路模型；
[0021]电路搭建模块，用于根据器件模型和电路模型，搭建目标
DICE
结构触发器的实际电路；
[0022]辐照模块，用于对实际电路中器件模型对应的电路器件进行重离子辐照，并计算电路器件在重离子辐照前后的电压差值；
[0023]评估模块，用于根据电压差值，对目标
DICE
结构触发器的抗辐照性能进行评估
。
[0024]第三方面，本申请提供了一种终端设备，包括存储器
、
处理器以及存储在存储器中并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述的评估方法
。
[0025]第四方面，本申请提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的评估方法
。
[0026]本申请的上述方案有如下的有益效果：
[0027]本申请提供的
DICE
结构触发器抗辐照性能的评估方法，通过确定目标
DICE
结构触发器电路中的敏感节点，并确定敏感节点对应的待建模器件，然后根据预设工艺参数信息，构建待建模器件的器件模型和目标
DICE
结构触发器电路中非敏感节点对应的电路模型，再根据器件模型和电路模型，搭建目标
DICE
结构触发器的实际电路，然后对实际电路中器件模型对应的电路器件进行重离子辐照，并分别计算出的电路器件在重离子辐照前后的电压差值，对目标
DICE
结构触发器的抗辐照性能进行评估，该评估方法在芯片设计后，便能对芯片的抗辐照性能进行评估，不用等待芯片生产，节省了时间和成本，此外，敏感节点能够精准反映
DICE
结构触发器随重离子辐照的变化情况，可以保障评估的准确性
。
[0028]本申请的其它有益效果将在随后的具体实施方式部分予以详细说明
。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0030]图1为本申请一实施例提供的
DICE
结构触发器抗辐照性能的评估方法的流程图；
[0031]图2为本申请一实施例提供的目标
DICE
结构触发器的拓扑图；
[0032]图3为本申请一实施例提供的器件模型三维模型的俯视图；
[0033]图4为本申请一实施例提供的器件模型和电路模型的电学特性曲线示意图；
[0034]图5为本申请一实施例提供的电路仿真拓扑图；
[0035]图6为本申请一实施例提供的电学特性曲线示意图；
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
DICE
结构触发器抗辐照性能的评估方法，其特征在于，包括：确定目标
DICE
结构触发器电路中的敏感节点，并确定所述敏感节点对应的待建模器件；根据预先设置的工艺参数信息，分别构建所述待建模器件的器件模型以及，所述目标
DICE
结构触发器电路中非敏感节点对应的电路模型；根据所述器件模型和所述电路模型，搭建所述目标
DICE
结构触发器的实际电路；对所述实际电路中所述器件模型对应的电路器件进行重离子辐照，并计算所述电路器件在重离子辐照前后的电压差值；根据所述电压差值，对所述目标
DICE
结构触发器的抗辐照性能进行评估
。2.
根据权利要求1所述的评估方法，其特征在于，所述待建模器件为反相器，所述敏感节点为所述反相器中单管的漏极
。3.
根据权利要求1所述的评估方法，其特征在于，在所述根据预先采集的工艺参数信息，分别构建所述待建模器件的器件模型以及，所述目标
DICE
结构触发器模拟电路中非敏感节点对应的电路模型后，所述评估方法还包括：分别绘制所述器件模型对应的第一电学特性曲线和所述电路模型对应的第二电学特性曲线；对所述第一电学特性曲线和所述第二电学特性曲线进行校准
。4.
根据权利要求1所述的评估方法，其特征在于，所述根据所述电压差值，对所述目标
DICE
结构触发器抗辐照性能进行评估，包括：若所述电压差值等于零，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晔，祁勇，刘祥远，
申请(专利权)人：湖南融创微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：