一种干法刻蚀制备侧壁加热电极的方法技术

本发明专利技术提供了一种干法刻蚀制备侧壁加热电极的方法，包括以下步骤：S1）在衬底上依次形成绝缘介质层、加热电极层与光刻胶层，得到中间体；S2）将所述中间体进行曝光和显影，得到侧壁具有光刻胶保护层的衬底；S3）将所述侧壁具有光刻胶保护层的衬底进行干法刻蚀，得到具有侧壁加热电极的衬底。与现有技术相比，本发明专利技术采用干法刻蚀对纵向和横向的同步刻蚀过程中，极大程度保护住光刻胶保护层下的加热电极，且台阶侧壁无光刻胶区域无加热电极残留。台阶侧壁无光刻胶区域无加热电极残留。台阶侧壁无光刻胶区域无加热电极残留。

【技术实现步骤摘要】
一种干法刻蚀制备侧壁加热电极的方法


[0001]本专利技术属于微机电系统
，尤其涉及一种干法刻蚀制备侧壁加热电极的方法。

技术介绍

[0002]相变存储器（phase change memory）缩略表示为PCM、PRAM或PCRAM，它是一种非易失性的存储器件。在众多新型存储器中，PCRAM的制造工艺与CMOS工艺兼容、工艺简单、高速、高密度、低成本的优势尤为明显，随着最近几年的研究开发，PCRAM已经被公认为下一代最有希望的存储器之一。
[0003]目前PCRAM研究的目标在于实现相变存储器操作时的低操作电流和低功率。PCRAM实现信息的写入和擦除的方式是利用焦耳热使微小区域的相变材料发生相变，相变区域的尺寸越小发生相变所需的功耗就越低。当器件单元的尺寸越小，发生相变所需的功耗就越低。当器件单元的尺寸越小甚至达到三维纳米尺度，PCRAM的优越性将越充分地体现。因此对于PCRAM器件结构的开发成为了研究的热点。
[0004]目前已研究的PCRAM器件单元结构有很多种，包括“蘑菇型”器件结构（International E本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀制备侧壁加热电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1）在衬底上依次形成绝缘介质层、加热电极层与光刻胶层，得到中间体；S2）将所述中间体进行曝光和显影，得到侧壁具有光刻胶保护层的衬底；S3）将所述侧壁具有光刻胶保护层的衬底进行干法刻蚀，得到具有侧壁加热电极的衬底。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底具有台阶结构；台阶结构顶部形成绝缘介质层的厚度为400~1000 nm；台阶结构侧壁形成绝缘介质层的厚度为0~300 nm；衬底除台阶结构之外其他区域形成绝缘介质层的厚度为100~500 nm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底具有台阶结构；台阶结构顶部形成加热电极层的厚度为100~1000 nm；台阶结构侧壁形成加热电极层的厚度为100~500 nm；衬底除台阶结构之外其他区域形成加热电极层的厚度为100~1000 nm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘介质层为SiO2层；所述加热电极层为Ti加热电极层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀的气体包括主要刻蚀反应气体与起抑制作用的气体；所述主要刻蚀反应气体与起抑制作用的气体的体积比为（4~6）：1。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述主要刻蚀反应气体选自Cl2。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述起抑制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱德连，叶联，曹迎利，车东晨，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：