半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施方式提供具备能够谋求复位电流的抑制的相变存储器膜的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置为至少包含Ge、Sb、Te、Se的组成、且以通过至少Ge、Sb、Te这3种元素显示出相变存储器性的组成比中的相对于Te的设计组成比率包含Se的相变存储器膜。上述Se的组成比为33.6原子％以下。成比为33.6原子％以下。成比为33.6原子％以下。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001]关联申请的参照
[0002]本申请享有以日本专利申请2021
‑
153083号(申请日：2021年9月21日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]实施方式涉及半导体存储装置。

技术介绍

[0004]作为存储大容量数据的半导体存储装置，已知有使存储单元的电阻值发生变化来存储信息的电阻变化型的半导体存储装置。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的课题是提供能够谋求复位电流的降低的半导体存储装置。
[0006]实施方式的半导体存储装置具备相变存储器膜，所述相变存储器膜具有至少包含Ge、Sb、Te、Se的组成、且以通过至少Ge、Sb、Te这3种元素显示出相变存储器性的组成比中的相对于Te的设计组成比率包含Se的组成。上述Se的组成比为22.4原子％以下。
附图说明
[0007]图1是具备实施方式的相变存储器膜的相变存储器元件的截面图。
[0008]图2是适用了该相变存储器膜的实施方式的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其是具备由至少包含Ge、Sb、Te、Se的组成构成的相变存储器膜的半导体存储装置，所述Se的组成比为33.6原子％以下。2.一种半导体存储装置，其是具备由至少包含Ge、Sb、Te、Se、N的组成构成的相变存储器膜的半导体存储装置，所述Se的组成比为22.4原子％以下。3.一种半导体存储装置，其是具备由至少包含Sb、Te、Se的组成构成的相变存储器膜的半导体存储装置，所述Se的组成比为33.6原子％以下。4.一种半导体存储装置，其是具备由至少包含Sb、Te、Se、N的组成构成的相变存储器膜的半导体存储装置，所述Se的组成比为22.4原子％以下。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备具有成为Ge
22+x
Sb
22+y
Te
56
‑
x
‑
y
Se
Z
的化学式所示的组成比的相变存储器膜，其中，
‑
5<x<+5、
‑
5<y<+5、Z＝x+y、Z≤33.6，表示组成比的数值是指原子％。6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备具有成为Ge
14+x
Sb
28+y
Te
58
‑
x
‑
y
Se
Z
的化学式所示的组成比的相变存储器膜，其中，
‑
5<x<+5、
‑
5<y<+5、Z＝x+y、Z≤33.6，表示组成比的数值是指原子％。7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备具有成为Ge
8+x
Sb
33+y
Te
59
‑
x
‑
y
Se
Z
的化学式所示的组成比的相变存储器膜，其中，
‑
5<x<+5、
‑
5<y<+5、Z＝x+y、Z≤33.6，表示组成比的数值是指原子％。8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备含有S的相变存储器膜。9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备含有选自Al、Si、C、B、Ti、O中的1种或2种以上的元素的相变存储器膜。10.一种半导体存储装置，其具备第一电极、第二电极和配置于所述第一电极与所述第二电极之间的相变存...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洁琼，小松克伊，大坊忠臣，岩崎刚之，德平弘毅，河合宏树，竹平裕，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：