一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用，该忆阻器由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层，其中，所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。本发明专利技术将二维过渡金属硫硒化物异质结作为阻变功能层与衬底，底电极层和顶电极层组装成忆阻器，这种忆阻器具有快速开关过程、高密度集成、以及更低的能耗等优势，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，适合大规模生产，有望运用在神经突触、图像识别、逻辑计算等领域。逻辑计算等领域。逻辑计算等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用


[0001]本专利技术属于二维异质结和信息存储
，涉及一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用。

技术介绍

[0002]二维过渡金属硫族化物及其异质结作为各种电子和光电器件的材料基石，特别是用于受大脑启发的神经形态计算系统的未来忆阻器和突触器件，受到越来越多的关注。但是单纯的二元过渡金属硫族化合物并不能满足日益增长的对扩大半导体带隙范围的要求，为了满足器件集成和系统越来越多样化的需求，急需开发具有更加广泛带隙范围的二维半导体，而合金化和构造异质结是常用策略。
[0003]对二维材料进行纵向堆叠或者平面组装而形成的二维材料异质结能够结合不同二维材料优异的物理特性，最大化的利用其性质多样化的特点。纵向堆叠异质结的层与层之间由较弱的范德华力连接，而横向组装异质结则通过化学键连接。由于剥离和转移技术的成熟，通过纵向堆叠形成的二维异质结获得了巨大的发展，但是仍然存在着转移过程薄膜易起皱，聚合物层难以清除，各组分之间存在气泡等问题，这使得纵向堆叠异质结难以满足大规模生产的需求。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层，其中，所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。2.根据权利要求1所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，所述二维过渡金属硫硒化物异质结层的制备过程包括以下步骤：(1)利用分子束外延法制备过渡金属硒化物；(2)利用化学气相沉积法对过渡金属硒化物进行硫化，得到过渡金属硫硒化物；(3)对过渡金属硫硒化物进行退火处理，即完成。3.根据权利要求2所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，步骤(1)中，过渡金属硒化物的化学组成为MSe
x
，层数为m，x≥1，m≥1，其中，M为过渡金属单质。4.根据权利要求3所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，步骤(1)中，分子束外延法所用的靶源为过渡金属单质M与硒。5.根据权利要求3所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，所述过渡金属单质M为铂或钯。6.根据权利要求2所述的一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器，其特征在于，步骤(2)的化学气...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡志宇，张帅，吴振华，罗思远，刘泽昆，刘妍，施慧烈，傅理夫，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：