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本发明涉及一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用，该忆阻器由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层，其中，所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。本发明将二维过渡金属硫硒化物异质结作为阻变功能层与衬底，底电极层和顶电极...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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