彩膜基板及其制造方法技术

技术编号:3842832 阅读:205 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种彩膜基板及其制造方法。彩膜基板包括形成在基板上的第一黑矩阵、彩色树脂、保护层和公共电极,保护层上形成有用于阻挡第一黑矩阵的反射光射入阵列基板TFT沟道区域内的第二黑矩阵。彩膜基板制造方法包括:在基板上形成包括第一黑矩阵和彩色树脂的图形;形成包括保护层和第二黑矩阵的图形;形成包括公共电极的图形。本发明专利技术通过设置二层黑矩阵图形,第二黑矩阵可以有效阻挡从第一黑矩阵表面反射的反射光,使从第一黑矩阵表面反射的反射光不能射入TFT沟道区域,有效避免了漏电流的产生,最大限度地提高了电压保持率和对比度,提高了液晶显示器的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器及其制造方法,特别是一种。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD)包括对盒的阵列基板和彩膜基板,其间设置液晶。阵列基板包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管,相互垂直的栅线和数据线定义了像素区域,薄膜晶体管和像素电极形成在像素区域内,栅线用于向薄膜晶体管提供开启信号,数据线用于向像素电极提供数据信号,通过控制液晶的偏转程度实现灰度显示。彩膜基板(也称彩色滤光片,Color Filter)包括黑矩阵、彩色树脂、保护层和公共电极,彩色树脂包括红色、蓝色和绿色三色树脂,彩膜基板上设置黑矩阵的主要目的是隔离彩色树脂,同时遮挡漏光区域的光线。 现有技术彩膜基板的黑矩阵通常形成在基板上,其位置对应于阵列基板的栅线、数据线和薄膜晶体管的位置。这样,从彩膜基板一侧入射的光被黑矩阵阻挡,使外界入射的光不能射入薄膜晶体管的TFT沟道区域,保证了薄膜晶体管的电特性。但实际应用中发现,从阵列基板一侧入射的光(如来自背光源的光)会导致TFT沟道区域的电特性降低。研究表明,当来自背光源的光斜射在黑矩阵上时,尽管黑矩阵会吸收大部分光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种彩膜基板,包括形成在基板上的第一黑矩阵、彩色树脂、保护层和公共电极,其特征在于,所述保护层上形成有用于阻挡第一黑矩阵的反射光射入阵列基板TFT沟道区域内的第二黑矩阵。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:董敏赵海玉刘圣烈郝昭慧
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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