一种弹性波装置，包含压电基板及形成于所述压电基板的IDT电极，所述IDT电极包括由浓度99％以上的第一金属构成的第一金属层，与由浓度为95％以上且未满99％的所述第一金属和第二金属构成的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层的数量分别为多个，所述第一金属层与所述第二金属层交替层叠。借此，能提供一种能提升功率耐久性的弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块。弹性波装置的模块。弹性波装置的模块。
【技术实现步骤摘要】
弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块
[0001]本公开涉及一种弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块。具体地，是关于使用水平剪切波(SH wave)的弹性波装置。所述弹性波装置例如为滤波器、双工器(Duplexer)或多工器(Multiplexer)。
技术介绍
[0002]在以智能手机为代表的移动通信终端的高频通信用系统中，为了去除通信频率以外的不必要的信号，而使用高频滤波器等装置。
[0003]在所述高频滤波器等装置中，使用具有弹性表面波(Surface acoustic wave，SAW)元件等的弹性波装置。所述SAW元件是在压电基板上形成具有一对梳状电极的IDT(Interdigital Transducer)的元件。
[0004]专利文献1(日本专利技术专利申请公开号2003
‑
78384)公开一种弹性表面波装置及其制造方法，该弹性表面波装置能达成装置的小型化与提升高频化耐电力。
[0005]然而，专利文献1公开的SAW装置，无法确保IDT电极具有相应的功率耐久性以满足近年来高频化和小型化的需求。
[0006]因此，无法提供具有足够功率耐久性的弹性波装置。
技术实现思路
[0007]本专利技术为解决上述问题，目的在于提供一种能提升功率耐久性的弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块。
[0008][用以解决课题的手段][0009]本公开的弹性波装置，包含压电基板及形成于所述压电基板的IDT电极，所述IDT电极包括由浓度99％以上的第一金属构成的第一金属层，与由浓度为95％以上且未满99％的所述第一金属和第二金属构成的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层的数量分别为多个，所述第一金属层与所述第二金属层交替层叠。
[0010]本公开的一种形态，所述第一金属的电阻率高于所述第二金属的电阻率。
[0011]本公开的一种形态，所述第二金属层的总厚度比所述第一金属层的总厚度厚。
[0012]本公开的一种形态，所述弹性波装置还包含由第三金属形成的底层，所述第三金属的电阻率高于所述第一金属与所述第二金属的电阻率。
[0013]本专利技术的一种形态，所述第一金属层与所述第二金属层的总厚度是所述IDT电极的厚度的1/2～3/4。
[0014]本专利技术的一种形态，所述第一金属为铝、钼、铱、钨、钴、镍或钌的其中之一。
[0015]本公开的一种形态，所述第三金属为铬、锶或钛的其中之一。
[0016]本公开的一种形态，所述第一金属层与所述第二金属层的厚度比为29：32以下。
[0017]本公开的一种形态，在所述第二金属层中，所述第一金属的浓度为95％～97.5％。
[0018]本公开的一种形态，在所述第二金属层中，所述第一金属为铝，所述第二金属为
铜。
[0019]本公开的一种形态，所述压电基板是由铌酸锂、钽酸锂或水晶形成的基板。
[0020]本公开的一种形态，所述弹性波装置还包含设置于所述压电基板的形成于所述IDT电极的主面的相反面的支撑基板，所述支撑基板是由蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃形成的基板。
[0021]本专利技术的模块，包含所述弹性波装置。
[0022][专利技术效果][0023]根据本专利技术，能提供一种能提升功率耐久性的弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块。
附图说明
[0024]图1是第一实施例的弹性波装置的剖面图。
[0025]图2是第一实施例的弹性波装置的弹性波元件的示意图。
[0026]图3是第一实施例的原型内容的示意图。
[0027]图4是第一实施例的弹性波装置的原型1～4的条件参数表。
[0028]图5是原型1～4与比较例的保险丝熔断测试的结果。
[0029]图6是原型4与比较例的压力寿命测试结果示意图。
[0030]图7是第二实施例的使用所述弹性波装置的模块的剖面图。
具体实施方式
[0031]以下将根据附图说明本专利技术的具体实施态样。需注意的是，各图中相同或相当的部分使用相同的标记。所述相同或相当的部分会适当地简化或省略说明。而且，金属浓度表示金属的质量百分比。
[0032](第一实施例)
[0033]图1是第一实施例的弹性波装置1的剖面图。
[0034]如图1所示，所述弹性波装置1包含布线基板3、数个外部连接端子31、装置芯片5、数个电极焊垫9、数个凸块15，及密封部17。
[0035]所述布线基板3例如是由树脂形成的多层基板。所述布线基板3例如也可以是由多个介电层构成的低温共烧陶瓷(LTCC，Low Temperature Co
‑
fired Ceramics)多层基板等。
[0036]所述外部连接端子31形成于所述布线基板3的下表面。
[0037]所述电极焊垫9形成于所述布线基板3的主面(相反于其下表面的面)。所述电极焊垫9例如为铜或包含铜的合金。所述电极焊垫9的厚度例如为10μm～20μm。
[0038]所述凸块15分别形成于所述电极焊垫9的上表面。所述凸块15例如为金凸块。所述凸块15的高度例如为10μm～50μm。
[0039]所述布线基板3与所述装置芯片5间形成空隙16。
[0040]通过覆晶接合技术，所述装置芯片5借由所述凸块15安装于所述布线基板3。所述装置芯片5借由所述凸块15与所述电极焊垫9电连接。
[0041]所述装置芯片5是形成有弹性波元件52的基板。例如，所述装置芯片5的主面形成包含多个所述弹性波元件52的发送用滤波器和接收用滤波器。
[0042]所述发送用滤波器能让预期的频带的电信号通过。所述发送用滤波器例如是由数个串联共振器与数个并联共振器组成的梯形滤波器。
[0043]所述接收用滤波器能让预期的频带的电信号通过。所述接收用滤波器例如是梯形滤波器。
[0044]所述装置芯片5包括压电基板11。并且，所述装置芯片5也可以包括支撑基板21。
[0045]例如，所述压电基板11为钽酸锂、铌酸锂或水晶等压电材料形成的基板。在其他的实施例中，所述压电基板11是由压电陶瓷形成的基板。
[0046]所述压电基板11的主面(面向布线基板3的面)上形成弹性波元件52。所述弹性波元件52例如是包括IDT电极的共振器。
[0047]所述压电基板11的另一主面(与其主面相反的面)与所述支撑基板21接合。所述支撑基板21例如通过范德华力(van der Waals force)接合。并且，也可以通过黏合层(图中未示出)接合。
[0048]所述支撑基板21例如为蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃形成的基板。
[0049]所述密封部17覆盖所述装置芯片5。在一些实施样态中，所述密封部17例如可以由合成树脂等绝缘体形成。在另一些实施样态中，所述密封部17例如可以由金属形成。
[0050]在所述密封部17为合成树脂的情况本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种弹性波装置，包含压电基板及形成于所述压电基板的IDT电极，其特征在于：所述IDT电极包括由浓度99％以上的第一金属构成的第一金属层，与由浓度为95％以上且未满99％的所述第一金属和第二金属构成的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层的数量分别为多个，所述第一金属层与所述第二金属层交替层叠。2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述第一金属的电阻率高于所述第二金属的电阻率。3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其特征在于：所述第二金属层的总厚度比所述第一金属层的总厚度厚。4.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述弹性波装置还包含由第三金属形成的底层，该第三金属的电阻率高于所述第一金属与所述第二金属的电阻率。5.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述第一金属层与所述第二金属层的总厚度是所述IDT电极的厚度的1/2～3/4。6.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊四辈，
申请(专利权)人：三安日本科技株式会社，
类型：发明
国别省市：
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