一种SAW晶圆IDTpattern的制造方法和结构技术

本发明专利技术提出了一种SAW晶圆IDT pattern的制造方法和结构。所述结构包括压电底衬和IDT电极；所述IDT电极设置于压电底衬的一侧；所述IDT电极包括两个汇流条；两个所述汇流条与压电底衬的接触面积均小于汇流条上表面的整体面积。所述汇流条包括多个指条和主条；所述多个指条垂直安装于所述主条上；两个所述两个汇流条的主条平行排列，并且，两个所述主条对应的多个指条交错排列。的多个指条交错排列。的多个指条交错排列。

【技术实现步骤摘要】
一种SAW晶圆IDT pattern的制造方法和结构


[0005]本专利技术提出一种SAW晶圆IDTpattern的制造方法和结构，属于薄膜滤波器


技术介绍

[0006]声表面波(SAW)器件是利用声一电换能器的特征对压电材料基片表面上传播的声信号进行各种处理，并完成各种功能的固体器件。利用半导体平面工艺在压电材料基片表面制作出叉指状的金属电极(称作叉指换能器IDT)，电极接上交变电压即可在基片表面激发出声表面波，电信号可藉此声表面波传递。现有SAW滤波器的IDTpattern结构由于其与压电底衬的接触面积较大，导致其散热效果不佳，进而导致其滤波器器件的运行性能降低，而单纯的减少IDTpattern结构与压电底衬的接触面积较，会在高频振动过程中造成IDTpattern结构振动应力不足而导致其变形或开裂，进而降低声表面波(SAW)器件的运行性能。

技术实现思路

[0007]本专利技术提供了一种SAW晶圆IDTpattern的制造方法和结构，用以解决现有IDTpattern结构导致散热差进而降低滤波器运行效率的问题，所采取的技术方案如下：
[0008]一种SAW晶圆IDTpattern的结构，所述结构包括压电底衬1和IDT电极2；所述IDT电极2设置于压电底衬1的一侧；所述IDT电极2包括两个汇流条；两个所述汇流条与压电底衬1的接触面积均小于汇流条上表面的整体面积。
[0009]进一步地，所述汇流条包括多个指条202和主条201；所述多个指条202垂直安装于所述主条201上；两个所述两个汇流条的主条201平行排列，并且，两个所述主条201对应的多个指条202交错排列。
[0010]进一步地，所述主条201的下表面设置两个凹槽2011，所述两个凹槽2011以所述主条201纵向方向上的中心线为对称轴，对称平行设置于主条201底部，并且，延所述主条201的纵向方向进行延伸；所述主条201的下表面用于与压电底衬1黏连。
[0011]进一步地，所述凹槽2011的宽度通过如下公式获取：
[0012][0013]其中，D1表示凹槽2011的宽度；D0表示所述主条201的宽度；H表示滤波器的目标工作频率；H0表示标定的工作频率对标值；H0的取值范围为680MHz
‑
750MHz；ΔD表示补偿距离，ΔD的取值范围为3nm
‑
8nm。
[0014]进一步地，所述凹槽2011的深度通过如下公式获取：
[0015][0016]其中，G1表示凹槽2011的深度；G0表示所述主条201的高度；H表示滤波器的目标工作频率；H0表示标定的工作频率对标值；H0的取值范围为680MHz
‑
750MHz。
[0017]进一步地，所述指条202包括指条本体2021和指条支撑部2022；所述指条支撑部2022的一端与所述压电底衬1黏连；所述指条支撑部2022的另一端与所述指条本体2021一体式连接。
[0018]进一步地，所述指条本体2021的厚度大于指条支撑部2022的高度，且，所述指条本体2021的下表面平面宽度大于指条支撑部2022的横向宽度；其中，所述指条本体2021的厚度要和指条支撑部2022的高度之间的比例约束条件如下：
[0019]0.13
·
(X1+X2)≤X1≤0.27
·
(X1+X2)
[0020]其中，X1和X2分别表示指条支撑部2022的高度和指条本体2021的厚度；
[0021]所述指条本体2021的下表面平面宽度与指条支撑部2022的横向宽度比例约束条件如下：
[0022][0023]其中，Y1和Y2分别表示指条本体2021的下表面平面宽度和指条支撑部2022的横向宽度。
[0024]进一步地，所述指条本体2021的两侧设有尖状凸起2021a，所述尖状凸起2021a的尖角顶点与所述指条本体2021厚度方向上的中轴线对齐。
[0025]进一步地，所述尖状凸起2021a的尖角角度通过如下公式获取：
[0026][0027]其中，A表示尖状凸起2021a的尖角角度；A0表示标定角度，并且，A0的取值范围50
°‑
65
°
。
[0028]一种SAW晶圆IDT pattern的制造方法，所述制造方法包括：
[0029]步骤1、在所述压电底衬1利用光刻方式形成IDT电极2形状对应窗口；
[0030]步骤2、利用金属沉积方式在所述IDT电极2形状对应窗口处沉积形成主条201；
[0031]步骤3、利用金属沉积方式在所述IDT电极2形状对应窗口处的主条201的一侧依次在压电底衬1上沉积形成指条支撑部2022和指条本体2021；
[0032]其中，所述主条201的凹槽2011的宽度和深度通过如下公式获取：
[0033][0034]其中，D1表示凹槽2011的宽度；D0表示所述主条201的宽度；H表示滤波器的目标工作频率；H0表示标定的工作频率对标值；H0的取值范围为680MHz
‑
750MHz；ΔD表示补偿距离，ΔD的取值范围为3nm
‑
8nm；
[0035][0036]其中，G1表示凹槽2011的深度；G0表示所述主条201的高度；H表示滤波器的目标工作频率；H0表示标定的工作频率对标值；H0的取值范围为680MHz
‑
750MHz；
[0037]所述指条本体2021的厚度要和指条支撑部2022的高度之间的比例约束条件如下：
[0038]0.13
·
(X1+X2)≤X1≤0.27
·
(X1+X2)
[0039]其中，X1和X2分别表示指条支撑部2022的高度和指条本体2021的厚度；
[0040]所述指条本体2021的下表面平面宽度与指条支撑部2022的横向宽度比例约束条件如下：
[0041][0042]其中，Y1和Y2分别表示指条本体2021的下表面平面宽度和指条支撑部2022的横向宽度；
[0043]所述尖状凸起2021a的尖角角度通过如下公式获取：
[0044][0045]其中，A表示尖状凸起2021a的尖角角度；A0表示标定角度，并且，A0的取值范围50
°‑
65
°
。
[0046]本专利技术有益效果：
[0047]本专利技术提出的一种SAW晶圆IDT pattern的结构和制造方法，通过减少IDT pattern结构与压电底衬之间的接触面积形成足够大的散热空间，进而进行散热，同时，通过IDT pattern结构的主条和指条的结构设置能够保证IDTpattern具有足够的散热性能的同时，具备足够的振动应力，使SAW晶圆能够保证良好的运行质量和运行稳定性。
附图说明
[0048]图1为本专利技术所述SAW晶圆IDT pattern的结构示意图一；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SAW晶圆IDTpattern的结构，其特征在于，所述结构包括压电底衬(1)和IDT电极(2)；所述IDT电极(2)设置于压电底衬(1)的一侧；所述IDT电极(2)包括两个汇流条；两个所述汇流条与压电底衬(1)的接触面积均小于汇流条上表面的整体面积。2.根据权利要求1所述结构，其特征在于，所述汇流条包括多个指条(202)和主条(201)；所述多个指条(202)垂直安装于所述主条(201)上；两个所述两个汇流条的主条(201)平行排列，并且，两个所述主条(201)对应的多个指条(202)交错排列。3.根据权利要求2所述结构，其特征在于，所述主条(201)的下表面设置两个凹槽(2011)，所述两个凹槽(2011)以所述主条(201)纵向方向上的中心线为对称轴，对称平行设置于主条(201)底部，并且，延所述主条(201)的纵向方向进行延伸；所述主条(201)的下表面用于与压电底衬(1)黏连。4.根据权利要求3所述结构，其特征在于，所述凹槽(2011)的宽度通过如下公式获取：其中，D1表示凹槽(2011)的宽度；D0表示所述主条(201)的宽度；H表示滤波器的目标工作频率；H0表示标定的工作频率对标值；H0的取值范围为680MHz
‑
750MHz；ΔD表示补偿距离，ΔD的取值范围为3nm
‑
8nm。5.根据权利要求3所述结构，其特征在于，所述凹槽(2011)的深度通过如下公式获取：其中，G1表示凹槽(2011)的深度；G0表示所述主条(201)的高度；H表示滤波器的目标工作频率；H0表示标定的工作频率对标值；H0的取值范围为680MHz
‑
750MHz。6.根据权利要求2所述结构，其特征在于，所述指条(202)包括指条本体(2021)和指条支撑部(2022)；所述指条支撑部(2022)的一端与所述压电底衬(1)黏连；所述指条支撑部(2022)的另一端与所述指条本体(2021)一体式连接。7.根据权利要求6所述结构，其特征在于，所述指条本体(2021)的厚度大于指条支撑部(2022)的高度，且，所述指条本体(2021)的下表面平面宽度大于指条支撑部(2022)的横向宽度；其中，所述指条本体(2021)的厚度要和指条支撑部(2022)的高度之间的比例约束条件如下：0.13
·
(X1+X2)≤X1≤0.27
·
(X1+X2)其中，X1和X2分别表示指条支撑部(2022)的高度和指条本体(2021)的厚度；所述指条本体(2021)的下表面平面宽度与指条支撑部(2022)...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：