一种D-BAW空气桥结构及其形成方法技术

本发明专利技术提出了一种D‑BAW空气桥结构及其形成方法。属于体声波滤波器技术领域；所述D‑BAW空气桥结构包括基底、围栏层、下钝化层、下电极、压电层、上电极和上钝化层；所述围栏层、下钝化层、下电极、压电层、上电极和上钝化层依次沉积在所述基底上，其中，所述上电极与压电层之间设置有空气桥结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提出了一种d-baw空气桥结构及其形成方法，属于体声波滤波器。

技术介绍

1、体声波滤波器是一种利用压电体实现声波信号过滤的电子器件。其工作原理是利用压电体的逆压电效应，将电信号转换为声波信号，并在声波导体内传播。体声波滤波器通常由一个或多个声波导器件组成，它们被用来控制声波的传播路径和能量分布。体声波滤波器的主要特点是低损耗、良好的抑制性能和温度稳定性。同时，由于其体积较大和带宽较窄，其应用受到一定限制。然而，现有技术中的体声波滤波器仍然存在品质因数q值较低的问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种d-baw空气桥结构及其形成方法，用以解决现有技术中的体声波滤波器的q值较低的问题，所采取的技术方案如下：

2、一种d-baw空气桥结构，所述d-baw空气桥结构包括基底、围栏层、下钝化层、下电极、压电层、上电极和上钝化层；所述围栏层、下钝化层、下电极、压电层、上电极和上钝化层依次沉积在所述基底上，其中，所述上电极与压电层之间设置有空气桥结构。

3、一种d-baw空气桥结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种D-BAW空气桥结构，其特征在于，所述D-BAW空气桥结构包括基底、围栏层、下钝化层、下电极、压电层、上电极和上钝化层；所述围栏层、下钝化层、下电极、压电层、上电极和上钝化层依次沉积在所述基底上，其中，所述上电极与压电层之间设置有空气桥结构。

2.一种D-BAW空气桥结构的形成方法，其特征在于，所述D-BAW空气桥结构的形成方法包括：

3.根据权利要求2所述D-BAW空气桥结构的形成方法，其特征在于，所述上电极(12)设有内凹结构。

4.根据权利要求2所述D-BAW空气桥结构的形成方法，其特征在于，所述热氧化层(11)的生长指标为：厚度500A...

【技术特征摘要】

1.一种d-baw空气桥结构，其特征在于，所述d-baw空气桥结构包括基底、围栏层、下钝化层、下电极、压电层、上电极和上钝化层；所述围栏层、下钝化层、下电极、压电层、上电极和上钝化层依次沉积在所述基底上，其中，所述上电极与压电层之间设置有空气桥结构。

2.一种d-baw空气桥结构的形成方法，其特征在于，所述d-baw空气桥结构的形成方法包括：

3.根据权利要求2所述d-baw空气桥结构的形成方法，其特征在于，所述上电极(12)设有内凹结构。

4.根据权利要求2所述d-baw空气桥结构的形成方法，其特征在于，所述热氧化层(11)的生长指标为：厚度500a-5000a，均匀性<3％。

5.根据权利要求2所述d-...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏彬，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：