【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及谐振器，尤其涉及一种基板结构、制备方法以及声表面波谐振器、制备方法。
技术介绍
1、随着移动通信技术的发展和5g通信的普及，声表面波(surface acoustic wave，saw)器件发挥着不可替代的作用，尤其是在各种手持终端设备和各种信号基站的应用中。
2、声表面薄谐振器包括基板结构和声表面波谐振单元，声表面波谐振单元包括压电材料层和叉指电极，现有的基板结构通常采用表面平整的硅衬底。
3、但是，声表面波谐振单元随着温度变化会发生频率漂移现象。传统作法中对于saw传感器的温度补偿作法一般都是在压电层上表面沉积sio2或sin等温度补偿层材料。这种做法有一定的效果，但是由于温度补偿层无法沉积过厚，沉积过厚会因为应力过大而带来衬底裂片和碎片等风险问题，且过厚的温度补偿层严重影aw传感器的灵敏度；反之如果沉积的温度补偿层厚度较薄，其能发挥的温补作用有限。具体的，温度补偿层的频率温补作用为：温度补偿层对声表面波谐振单元随着温度变化发生的频率漂移现象进行补偿。
技术实现思路<
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【技术保护点】
1.一种基板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述第二凹槽(T2)在所述顶层衬底(3)的正投影和所述第一凹槽(T1)在所述顶层衬底(3)的正投影间隔设置。
3.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，还包括第二温度补偿层(4)，所述第二温度补偿层(4)位于所述第一凹槽(T1)的底面和侧壁。
4.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，在所述第一衬底(1)指向所述顶层衬底(3)的方向上，所述第一凹槽(T1)的开口宽度逐渐减小；
5.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，还包括第...
【技术特征摘要】
1.一种基板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述第二凹槽(t2)在所述顶层衬底(3)的正投影和所述第一凹槽(t1)在所述顶层衬底(3)的正投影间隔设置。
3.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，还包括第二温度补偿层(4)，所述第二温度补偿层(4)位于所述第一凹槽(t1)的底面和侧壁。
4.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，在所述第一衬底(1)指向所述顶层衬底(3)的方向上，所述第一凹槽(t1)的开口宽度逐渐减小；
5.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，还包括第四温度补偿层(5)，所述第四温度补偿层(5)覆盖所述第二凹槽(t2)的侧面和底面。
6.一种基板结构的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的基板结构的制备方法，其特征在于，在所述顶层衬底(3)远离所述第一衬底(1)的表面形成第二凹槽(t2)包括：
8.根据权利要求6所述的基板结构的制备方法，其特征在于，在所述顶层衬底(3)远离所述埋氧层(6)的表面形成第一凹槽(t1)之后，将所述第一衬底(1)键合至所述绝缘体上硅衬底(soi)之前还包括：
9.根据权利要求6所述的基板结构的制备方法，其特征在于，在所述顶层衬底(3)远离所述埋氧层(6)的表面形成第一凹槽(t1)包括：
10.根据权利要求6所述的基板结构的制备方法，其特征在于，在所述顶层衬底(3)远离所述第一衬底(1)的表面形成第二凹槽(t2)之后还包括：
11...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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