弹性波装置制造方法及图纸

弹性波装置(100)具备支承基板(110)、配置在支承基板(110)上的压电层(121)和配置在压电层(121)上的功能元件(130)。在从支承基板(110)的法线方向俯视的情况下，支承基板(110)以及压电层(121)具有大致矩形形状。压电层(121)的至少一个角部成为曲线状或者多边形状。状。状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置


[0001]本公开涉及弹性波装置，更具体而言，涉及用于抑制具有WLP(Wafer Level Package，晶片级封装)构造或者CSP(Chip Size Package，芯片尺寸封装)构造的弹性波装置中的压电层的剥离的技术。

技术介绍

[0002]近年来，在以便携式电话以及智能手机为代表的便携式终端等的通信装置中，进行使用了多个频带的高频信号的通信。在处理多个频带的信号的情况下，使用用于使各频带的信号选择性地通过的滤波器。
[0003]作为这种滤波器，例如，已知使用了声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)谐振器的滤波器。在国际公开第2015/098679号说明书(专利文献1)中，公开了一种具有WLP构造或CSP构造并且被用作带通滤波器的弹性波装置。在国际公开第2015/098679号说明书(专利文献1)所公开的弹性波装置中，通过采用在与外部连接端子接合的焊盘电极部的下方不配置压电薄膜的结构，从而能够防止在外部连接端子接合时或者该弹性波装置安装时的压电薄膜从支承基板的剥离以及裂纹。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2015/098679号说明书

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]在上述那样的弹性波装置中，在将该弹性波装置安装于安装基板时，若施加回流焊或其他热冲击，则在之后的温度下降过程中，起因于支承基板与压电层的热膨胀系数之差而产生应力，可能产生压电层从支承基板剥离的情况。尤其是根据压电层的平面形状，有可能应力会集中于压电层的角部分，变得容易产生剥离。
[0009]本公开是为了解决这样的问题而完成的，其目的是在具有WLP构造或者CSP构造的弹性波装置中抑制配置在支承基板上的压电层的剥离。
[0010]用于解决问题的手段
[0011]本公开涉及的弹性波装置具备支承基板、配置在支承基板上的压电层和配置在压电层上的功能元件。在从支承基板的法线方向俯视的情况下，支承基板以及压电层具有大致矩形形状。压电层的至少一个角部成为曲线状或者多边形状。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本公开涉及的弹性波装置，配置在支承基板上的大致矩形形状的压电层的角部成为曲线状或者多边形状。因此，即使在施加了热应力的情况下，也可以缓和向该角部的应力集中。因此，在弹性波装置中，能够抑制配置在支承基板上的压电层的剥离。
附图说明
[0014]图1是实施方式涉及的弹性波装置的剖视图。
[0015]图2是图1的弹性波装置的俯视图。
[0016]图3是用于说明电极焊盘的角部的形状的图。
[0017]图4是比较例涉及的弹性波装置的俯视图。
[0018]图5是用于说明图1的弹性波装置的制造工艺的图。
[0019]图6是变形例1的弹性波装置的剖视图。
[0020]图7是变形例2的弹性波装置的剖视图。
具体实施方式
[0021]以下，参照附图来详细地说明本公开的实施方式。另外，对于图中相同或相当的部分标注同一附图标记，不重复其说明。
[0022](弹性波装置的结构)
[0023]使用图1以及图2来说明实施方式涉及的弹性波装置100的详细结构。图2是弹性波装置100的俯视图，图1是图2中的线I
‑
I处的剖视图。
[0024]参照图1以及图2，弹性波装置100具备支承基板110、层叠膜120、功能元件130、电极焊盘140、布线电极145、支承体160、设置在支承体160内的连接电极150、焊料凸块170和树脂层180。层叠膜120包括压电层121、低声速层122和高声速层123。在以下的说明中，也将低声速层122以及高声速层123合在一起称为“中间层”。另外，在以后的说明中，有时将图中的层叠方向的Z轴的正方向称为上表面侧，将Z轴的负方向称为下表面侧。
[0025]支承基板110是由硅(Si)形成的半导体基板。支承基板110在从法线方向(Z轴方向)俯视的情况下具有大致矩形形状。在支承基板110上，朝向Z轴的正方向依次层叠有高声速层123、低声速层122以及压电层121。另外，支承基板110的材料不限于硅，也可以是碳化硅(SiC)或者石英。
[0026]压电层121例如由钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)以及石英这样的压电单晶材料、或者包括LiTaO3、LiNbO3或氮化铝(AlN)的压电层叠材料形成。
[0027]在压电层121的上表面(Z轴的正方向的面)配置有多个功能元件130。作为功能元件130，包括使用例如包含铝、铜、银、金、钛、钨、铂、铬、镍、钼中的至少一种的单体金属、或者以它们为主成分的合金等的电极材料而构成的一对IDT电极(Interdigital Transducer，叉指换能器)以及反射器。通过压电层121和IDT电极而构成声表面波(SAW)谐振器。
[0028]低声速层122由在该低声速层122传播的体波(bulk wave)声速比在压电层121传播的体波声速低的材料形成。在弹性波装置100中，低声速层122由氧化硅(SiO2)形成。但是，低声速层122不限于氧化硅，例如，也可以由玻璃、氮氧化硅、氧化钽等其他电介质、或者在氧化硅中加入了氟、碳、硼等而得到的化合物等形成。
[0029]此外，高声速层123由在该高声速层123传播的体波声速比在压电层121传播的弹性波声速高的材料形成。在弹性波装置100中，高声速层123由氮化硅(SiN)形成。但是，高声速层123不限于氮化硅，也可以由氮化铝、氧化铝(矾土)、氮氧化硅、碳化硅、类金刚石碳(DLC)、金刚石等材料形成。
[0030]通过采用在压电层121的下方层叠低声速层122以及高声速层123的结构，从而低声速层122以及高声速层123作为反射层(镜面层)120而发挥功能。即，从压电层121向支承基板110的方向泄漏的声表面波，由于传播的声速之差在高声速层123被反射，被封闭在低声速层122内。如此，通过中间层而传播的声表面波的声能的损失被抑制，所以能够高效地传播声表面波。
[0031]另外，在图1中，针对作为中间层而将低声速层122以及高声速层123分别配置一层的例子进行了说明，但是中间层也可以是交替配置了多个低声速层122以及高声速层123的结构。此外，中间层不是必要的结构，也可以是作为层叠膜120而仅包括压电层121的情况。或者，也可以是作为中间层而设置低声速层122以及高声速层123中的任意一者的情况。在作为中间层而仅设置低声速层122的情况下，支承基板110作为高声速层而发挥功能。
[0032]包括压电层121以及中间层(低声速层122、高声速层123)的层叠膜120，在从支承基板110的法线方向(Z轴方向)俯视的情况下，具有大致矩形形状，配置在比支承基板110的外形更靠内侧。在支承基板110上，在未配置层叠膜120的部分(即，层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种弹性波装置，具备：支承基板；压电层，其配置在所述支承基板上；以及功能元件，其配置在所述压电层上，在从所述支承基板的法线方向俯视的情况下，所述支承基板以及所述压电层具有大致矩形形状，所述压电层的至少一个角部成为曲线状或者多边形状。2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，所述弹性波装置还具备电极焊盘，该电极焊盘设置在所述压电层上，并且与所述功能元件连接，在从所述支承基板的法线方向俯视的情况下，所述电极焊盘中面向所述压电层的角部的部分成为曲线状或者多边形状。3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，在从所述支承基板的法线方向俯视的情况下，所述压电层配置在比所述支承基板的外形更靠内侧。4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，所述弹性波装置还具备树脂层，该树脂层在从所述支承基板的法线方向俯视的情况下设置在所述支承基板的外形与所述压电层的外形之间。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的弹性波装置，其中，所述弹性波装置还具备中间层，该中间层配置在所述压电层与所述支承基板之间。6.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：林泰伸，山崎直，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：