【技术实现步骤摘要】
半导体装置和电路装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]2022年2月3日提交的日本专利申请号2022-015407的公开内容(包括说明书、附图和摘要在内)全部通过引用并入此文。
[0003]本专利技术涉及半导体装置和电路装置,更具体而言涉及包括n型MOSFET的半导体装置和使用该半导体装置的电路装置。
技术介绍
[0004]在机动车辆上安装了许多电气设备,诸如需要电力的前照灯和电动车窗。继电器已经被用作用于从电池向这种电气设备供电或中断供电的开关。近年来,已经使用包括n型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体装置来代替继电器。
[0005]在电池或其他设备的维护中,有时会拆卸连接到电池的电缆。然而,在维护之后,将电缆重新连接到电池。此时,可能发生将电缆反向连接到电池的正极或负极的故障。在使用继电器的开关中,即使在反向连接的情况下,当开关断开时电流也不会流动。
[0006]然而,在使用半导体装置的开关中,即使当功率MOSFET截止时,电流也会意外地流过形成在功率MOSFET中的寄生二极管。为了防止这种电流反向流动,p型功率MOSFET串联连接在n型功率MOSFET的漏极与电池的正极之间。
[0007]在这种情况下,可想到如下的(第一示例)方法来作为半导体装置(半导体模块)的一个方面:该方法制备封装在不同封装体中的、包括n型功率MOSFET的半导体芯片和包括p型功率MOSFET的半导体芯片。替代地,可想到如下的(第二示例)方法:该方法制备平坦放置并封装 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,包括:第一半导体芯片,包括n型的第一MOSFET和形成在所述第一MOSFET中的第一寄生二极管;以及第二半导体芯片,包括n型的第二MOSFET和形成在所述第二MOSFET中的第二寄生二极管;其中第一源极电极和第一栅极布线形成在所述第一半导体芯片的正面中;其中第一漏极电极形成在所述第一半导体芯片的背面中,其中所述第一寄生二极管的第一阳极耦合到所述第一源极电极,所述第一寄生二极管的第一阴极耦合到所述第一漏极电极,其中第二源极电极和第二栅极布线形成在所述第二半导体芯片的正面中;其中第二漏极电极形成在所述第二半导体芯片的背面中,其中所述第二寄生二极管的第二阳极耦合到所述第二源极电极,所述第二寄生二极管的第二阴极耦合到所述第二漏极电极,并且其中所述第一半导体芯片的所述正面和所述第二半导体芯片的所述正面彼此面对,使得所述第一源极电极和所述第二源极电极经由第一导电构件彼此接触。2.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:第三半导体芯片,包括电连接到所述第一栅极布线和所述第二栅极布线中的每一个栅极布线的控制电路,其中所述控制电路具有向所述第一栅极布线和所述第二栅极布线提供栅极电位以切换所述第一MOSFET和所述第二MOSFET中的每一个MOSFET的导通/截止状态的功能。3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述第二栅极布线包括:第一连接部;以及第二连接部,所述第二连接部与所述第一连接部一体化,其中所述第一栅极布线经由第二导电构件与所述第一连接部接触,其中所述第二连接部设置在俯视观察下不与所述第一半导体芯片重叠的位置处,并通过第一外部连接构件电连接至所述控制电路,以及其中所述控制电路同时切换第一MOSFET的导通/截止状态和第二MOSFET的导通/截止状态。4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述第二栅极布线设置在俯视观察下不与所述第一半导体芯片重叠的位置处,并通过第二外部连接构件电连接至所述控制电路,其中第一布线形成在所述第二半导体芯片的所述正面中,所述第一布线与所述第二源极电极、所述第二栅极布线和所述第二漏极电极电绝缘;其中第一布线包括:第三连接部;以及与所述第三连接部一体化的第四连接部,其中所述第一栅极布线经由第三导电构件与所述第三连接部接触,其中所述第四连接部设置在俯视观察下不与所述第一半导体芯片重叠的位置处,并且通过第三外部连接构件电连接到所述控制电路,并且
其中所述控制电路允许单独地切换所述第一MOSFET的导通/截止状态和所述第二MOSFET的导通/截止状态。5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第二半导体芯片还包括与所述第一栅极布线和所述第二栅极布线电连接的控制电路;其中所述控制电路具有向所述第一栅极布线和所述第二栅极布线提供栅极电位以切换所述第一MOSFET和所述第二MOSFET中的每一个MOSFET的导通/截止状态的功能。6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中所述第二栅极布线包括:第一连接部;以及与所述第一连接部一体化的第一焊盘电极,其中所述第一栅极布线经由第二导电构件与所述第一连接部接触,其中所述第一焊盘电极设置在俯视观察下不与所述第一半导体芯片重叠的位置处,并且构成所述控制电路的一部分,以及其中所述控制电路同时切换所述第一MOSFET的导通/截止状态和所述第二MOSFET的导通/截止状...
【专利技术属性】
技术研发人员:中柴康隆,柳川洋,森和久,波多俊幸,
申请(专利权)人:瑞萨电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。