集成电路裸片的堆叠制造技术

本公开涉及集成电路裸片的堆叠。一种电子器件包括第一集成电路(IC)芯片和第二IC裸片。第一IC裸片包括在第一IC裸片的第一表面上以第一几何图案排列的第一组接触焊点，第二IC裸片包括在第二IC裸片的第二表面上以第二几何图案排列的第二组接触焊点，该第二几何图案是第一几何图案的镜像。第二IC裸片的第二表面面对第一IC裸片的第一表面，并且第一组接触焊点和第二组接触焊点相互对齐并且安装在彼此上。和第二组接触焊点相互对齐并且安装在彼此上。和第二组接触焊点相互对齐并且安装在彼此上。

【技术实现步骤摘要】
集成电路裸片的堆叠


[0001]本专利技术一般涉及电子器件的封装，特别是涉及用于改进集成电路(IC)裸片正面对正面堆叠的技术。

技术介绍

[0002]在本领域中已知各种正面对正面堆叠电子器件的技术。

技术实现思路

[0003]本文所述的本专利技术的实施例提供一种包括第一集成电路(IC)裸片和第二IC裸片的电子器件。第一IC裸片包括在第一IC裸片的第一表面上以第一几何图案排列的第一组接触焊点(contact pad)，第二IC裸片包括在第二IC裸片的第二表面上以第二几何图案排列的第二组接触焊点，该第二几何图案是第一几何图案的镜像。第二IC裸片的第二表面面对第一IC裸片的第一表面，并且第一组接触焊点和第二组接触焊点相互对齐并安装在彼此上。
[0004]在一些实施例中，第一几何图案在第一IC裸片的平面内在关于给定轴的反射下是非对称的，并且第二几何图案是第一几何图案相对于给定轴的镜像。在其他实施例中，第一组和第二组中的每组中的接触焊点包括第一类型的一个或更多个第一接触焊点和第二类型的一个或更多个第二接触焊点，并且当第二表面面对第一表面时，第一组和第二组中的第一接触焊点安装在彼此上，并且第一组和第二组中的第二接触焊点安装在彼此上。在另一些实施例中，第一IC裸片和第二IC裸片中的每一个都包括第一部分和第二部分，并且当第二表面面对第一表面时，第一和第二组的第一部分安装在彼此上并且第一组和第二组的第二部分安装在彼此上。
[0005]在一个实施例中，第一IC裸片包括至少具有给定层的第一组层，该给定层包括以第一几何模型排列的第一组电路组件，并且所述第二IC裸片包括具有至少所述给定层的第二组层，该所述给定层包括在所述第二组的所述给定层上以第二几何模型排列的第二组电路组件，该第二几何模型是所述第一几何模型的镜像。在另一个实施例中，第一IC裸片和第二IC裸片包括同一产品。
[0006]根据本专利技术的实施例，还另外提供了一种掩模版(reticle)组，该组包括：(a)用于产生第一集成电路(IC)裸片的至少第一掩模，所述第一掩模包括以第一几何图案排列并且被配置为使撞击在其上的光束衰减的第一组元件；以及(b)用于产生第二IC裸片的至少第二掩模，该第二掩模包括第二组元件，所述第二组元件(i)以作为所述第一几何图案的镜像的第二几何图案排列，并且(ii)被配置为使撞击在其上的所述光束衰减。
[0007]在一些实施例中，第一掩模和第二掩模位于该组中不同的第一掩模版和第二掩模版中。在其他实施例中，第一和第二掩模位于该组中同一掩模版的不同的第一部分和第二部分中。
[0008]根据本专利技术的一个实施例，进一步提供了一种用于生产电子器件的方法，该方法
包括：在第一集成电路(IC)裸片的第一表面上，产生以第一几何图案排列的第一组接触焊点。产生以第二几何图案排列的第二组接触焊点，该第二几何图案排列是第一几何图案的镜像。第二IC裸片的第二表面与第一IC裸片的第一表面相对放置，使得第一组接触焊点和第二组接触焊点相互对齐，并且第一组接触焊点和第二组接触焊点相互耦接。
[0009]在一些实施例中，产生第一组包括在所述第一IC裸片的平面内以关于给定轴的反射下的非对称图案排列所述第一几何图案，并且产生第二组包括以所述第一几何图案相对于所述给定轴的所述镜像排列所述第二几何图案。在其他实施例中，该方法包括：(a)使用至少第一掩模来产生所述第一IC裸片，所述第一掩模包括以第一几何图案排列并且被配置为衰减撞击在其上的光束的第一组元件；以及(b)使用至少第二掩模来产生所述第二IC裸片，所述第二掩模包括(i)以作为所述第一几何图案的镜像的第二几何图案排列并且(ii)被配置为使撞击在其上的所述光束衰减的第二组元件。在其他实施例中，产生第一IC裸片和第二IC裸片包括将所述光束分别施加到所述第一掩模和所述第二掩模，用于在所述第一表面和所述第二表面上产生所述第一几何图案和所述第二几何图案。
[0010]在实施例中，第一掩模和第二掩模位于不同的第一掩模版和第二掩模版中，并且施加光束包括：使用第一光刻工艺将第一光束施加到所述第一掩模版；以及使用第二光刻工艺而不是所述第一光刻工艺将第二光束施加到所述第二掩模版。在另一个实施例中，在第一基板上产生多个所述第一IC裸片，并且在与所述第一基板不同的第二基板上产生多个所述第二IC裸片，并且所述方法包括：(i)在所述第一基板中，识别已知好的位点(KGS)，其符合产生所述电子器件的条件并且旨在成为所述第一IC裸片；以及(ii)在所述第二基板中，识别已知好的裸片(KGD)，其符合产生所述电子器件的条件并且旨在成为所述第二IC裸片。
[0011]在一些实施例中，耦接所述第一组接触焊点和所述第二组接触焊点包括：将所述KGD与用于产生所述第二IC裸片的所述第二基板分离；以及耦接在所述第二组接触焊点与所述第一基板上和所述第一IC裸片一起定位的所述第一组接触焊点之间。在其他实施例中，第一掩模和第二掩模位于同一掩模版的不同的第一部分和第二部分中，并且施加所述光束包括在执行同一光刻工艺时将所述光束施加到所述同一掩模版。在另一些实施例中，第一多个所述第一IC裸片和第二IC裸片是在第一基板上产生，并且第二多个所述第一IC裸片和第二IC裸片在与所述第一基板不同的第二基板上产生，并且所述方法包括：(i)在所述第一基板中，识别已知好的位点(KGS)，其符合产生所述电子器件的条件并且旨在成为所述第一IC裸片；以及(ii)在所述第二基板中，识别已知好的裸片(KGD)，其符合产生所述电子器件的条件并旨在成为所述第二IC裸片。
[0012]根据本专利技术的实施例，还附加地提供一种电子器件，包括封装和安装在该封装上的第一芯片和第二芯片的堆叠。第一芯片具有第一外部图案，并且第二芯片具有第二外部图案，该第二外部图案面对第一外部图案，并且是第一外部图案的镜像。
[0013]在一些实施例中，第一外部图案在第一芯片的平面内在关于给定轴的反射下是非对称的，并且所述第二图案是所述第一图案相对于所述给定轴的镜像。
附图说明
[0014]结合附图，从以下对其实施例的详细描述中可以更充分地理解本专利技术，在附图中：
[0015]图1是根据本专利技术实施例的第一集成电路(IC)裸片和第二集成电路(IC)裸片的示意性俯视图；
[0016]图2是根据本专利技术实施例的以正面对正面(FTF)配置相互堆叠的图1的第一IC裸片和第二IC裸片的示意性俯视图；
[0017]图3是根据本专利技术实施例的以FTF配置相互堆叠的第一IC裸片和第二IC裸片的示意性截面图；
[0018]图4是根据本专利技术实施例的分别是第一IC裸片和第二IC裸片的第一掩模版和第二掩模版的示意性俯视图；
[0019]图5是根据本专利技术实施例的使用图4的第一掩模版和第二掩模版图案化的第一晶圆和第二晶圆的示意性俯视图；
[0020]图6是根据本专利技术实施例的示意性地示出了用于FTF堆叠使用图4的第一掩模版和第二掩模版图案化的第一IC裸片和第二IC裸片的方法的流程图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件，包括：第一集成电路IC裸片，其包括在所述第一IC裸片的第一表面上以第一几何图案排列的第一组接触焊点；以及第二IC裸片，其包括在所述第二IC裸片的第二表面上以第二几何图案排列的第二组接触焊点，所述第二几何图案是所述第一几何图案的镜像，其中所述第二IC裸片的所述第二表面面对所述第一IC裸片的所述第一表面，并且其中所述第一组接触焊点和所述第二组接触焊点相互对齐并且安装在彼此上。2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一几何图案在所述第一IC裸片的平面内在关于给定轴的反射下是非对称的，并且其中所述第二几何图案是所述第一几何图案相对于所述给定轴的镜像。3.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一组和所述第二组中的每组中的接触焊点包括第一类型的一个或更多个第一接触焊点和第二类型的一个或更多个第二接触焊点，并且其中，当所述第二表面面对所述第一表面时，所述第一组和所述第二组中的所述第一接触焊点安装在彼此上，并且所述第一组和所述第二组中的所述第二接触焊点安装在彼此上。4.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一IC裸片和所述第二IC裸片中的每个都包括第一部分和第二部分，并且其中，当所述第二表面面对所述第一表面时，所述第一组和所述第二组的所述第一部分安装在彼此上并且所述第一组和所述第二组的所述第二部分安装在彼此上。5.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一IC裸片包括至少具有给定层的第一组层，所述给定层包括以第一几何模型排列的第一组电路组件，并且其中所述第二IC裸片包括具有至少所述给定层的第二组层，所述给定层包括在所述第二组的所述给定层上以第二几何模型排列的第二组电路组件，所述第二几何模型是所述第一几何模型的镜像。6.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一IC裸片和所述第二IC裸片包括同一产品。7.一种掩模版组，所述组包括：用于产生第一集成电路IC裸片的至少第一掩模，所述第一掩模包括以第一几何图案排列并且被配置为使撞击在其上的光束衰减的第一组元件；以及用于产生第二IC裸片的至少第二掩模，所述第二掩模包括第二组元件，所述第二组元件(i)以是所述第一几何图案的镜像的第二几何图案排列，并且(ii)被配置为使撞击在其上的所述光束衰减。8.根据权利要求7所述的掩模版组，其中所述第一掩模和所述第二掩模位于所述组中不同的第一掩模版和第二掩模版中。9.根据权利要求7所述的掩模版组，其中所述第一掩模和所述第二掩模位于所述组中同一掩模版的不同的第一部分和第二部分。10.一种用于生产电子器件的方法，所述方法包括：在第一集成电路IC裸片的第一表面上，产生以第一几何图案排列的第一组接触焊点；在第二IC裸片的第二表面上，产生以第二几何图案排列的第二组接触焊点，所述第二几何图案是所述第一几何图案的镜像；将所述第二IC裸片的所述第二表面与所述第一IC裸片的所述第一表面相对放置，使得
所述第一组接触焊点和所述第二组接触焊点相互对齐；以及将所述第一组接触焊点和所述第二组接触焊点相互耦接。11.根据权利要求10所述的方法，其中产生所述第一组包括在所述第一IC裸片...

【专利技术属性】
技术研发人员：I，
申请(专利权)人：迈络思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：