单晶抛光硅片背损伤装置移动托架制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种单晶抛光硅片背损伤装置移动托架，包括托架主体，其中托架主体周边设置有托架固定部件，托架主体中部设置有均匀分布且相互连接的数个托架支撑部，相邻托架支撑部之间形成有镂空的托架孔，托架支撑部和托架孔共同组成与硅片外形相对应的下凹区域。采用该种结构的单晶抛光硅片背损伤装置移动托架，能够有效降低硅片碎片率，并有效避免了硅片和金属接触所造成的金属污染，能够适应不同研磨剂颗粒大小、喷射压力和移动托架不同移动速度情况，满足了硅片表面研磨剂的充分流动和托盘下盘面清洗的需要，加工硅片效率高，稳定性好，降低了生产成本，结构简单耐用，可操作性强，性能稳定可靠，适用范围较广，产生了好的经济和社会效益。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路加工工艺领域，特别涉及单晶抛光硅片物理缺陷吸杂
， 具体是指一种单晶抛光硅片背损伤装置移动托架。
技术介绍
大规模和超大规模集成电路中重要的材料是单晶抛光硅片，而集成电路中所用单晶抛光 硅片中的重金属杂质如Fe、 Cu、 Ni、 Au等会造成硅片少数载流子寿命的降低和器件电路中 漏电流的增大，因而有效控制单晶抛光硅片内的各种重金属杂质有非常重要的作用。 现有技术中，硅片加工中常采用的方法有内吸杂和外吸杂，具体如下(1 )内吸杂是利用热处理在硅片内部产生氧沉淀来达到硅片表面吸杂的目的，此工艺吸 杂效果较好，但加工时间处理过长和成本过高；(2 )外吸杂是利用物理损伤或缺陷来达到吸杂的目的，其常见处理工艺有背损伤(通过 喷砂)、低压化学气相沉积多晶硅和激光背面照射损伤等，其中以背损伤处理工艺的高效和成 本低而被广泛的采用，该工艺是一种到对硅片的背面进行物理损伤缺陷以达到吸附硅片内部 的重金属杂质的一种吸杂工艺，其中是通过控制研磨剂颗粒大小、喷射压力和硅片移动托架 的移动速度来使硅片达到不同的物理缺陷密度从而有效的进行金属杂质各种级別不同吸杂要 求的工艺加工。但是，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶抛光硅片背损伤装置移动托架，包括托架主体，其特征在于，所述的托架主体周边设置有托架固定部件，且该托架主体中部设置有均匀分布且相互连接的数个托架支撑部，所述的相邻的托架支撑部之间形成有镂空的托架孔，所述的托架支撑部和托架孔共同组成与硅片外形相对应的下凹区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏明龙，任红州，成玉海，黄海梅，冒飞，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[]