陶瓷晶须表面化学镀的方法技术

陶瓷晶须表面化学镀的方法，它涉及陶瓷晶须表面化学处理的方法。本发明专利技术解决了由于陶瓷晶须的尺寸小导致获得连续的化学镀层困难的问题。本方法如下：一、将陶瓷晶须粗化处理，再敏化－活化处理，再加入去离子水制得陶瓷晶须悬浊液；二、将步骤一得到的陶瓷晶须悬浊液加入陶瓷晶须镀液在超声振荡的条件下施镀即可。本发明专利技术的方法提高了陶瓷晶须表面的浸润性从而在陶瓷晶须表面镀上得到连续的镀层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷晶须表面化学处理的方法。
技术介绍
现有表面沉积金属镀层的方法主要包括溅射镀膜和化学镀，与溅射镀膜技术相比，化学镀方法的设备简单、成本低廉、原料丰富，更适合大规模的连续生产。然而由于陶瓷晶须的尺寸极小，其曲率极大，因此陶瓷晶须的浸润性极低，这对采用现有的化学镀工艺获得连续的化学镀层是非常困难，因此现有技术只是在陶瓷颗粒表面获得了化学镀层。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是为了解决由于陶瓷晶须的尺寸小导致无法获得连续的化学镀层困难的问题，而提供了一种。本专利技术陶瓷晶须表面化学鍍CO的方法如下 一、将陶瓷晶须粗化处理，再敏化-活化处理，再加入去离子水制得陶瓷晶须悬浊液；二、将步骤一得到的陶瓷晶须悬浊液加入Co镀液，然后在pH值为7 11.5、温度为30°C 60°C、超声振荡功率为2kW 4kW的条件下超声振荡20分钟 60分钟，过滤，再用去离子水清洗3次，然后在温度为6(TC 8(TC的条件下烘干，即完成了对陶瓷晶须表面进行化学镀；其中步骤二所述的Co镀液由CoS(V7H20、Na3C6H5072H20 、 NaH2P02H20 、 H3B03和去离子水组成，Co镀液中CoS04'7H20的浓度为15 50g/L， Na3C6H507'2H20的浓度为30 150g/L，NaH2P02'H20的浓度为15 50g/L， H3B03的浓度为20 40 g/L;步骤一中的陶瓷晶须的质量与歩骤二中Co镀液的体积比为lg: 400 1000mL。本专利技术陶瓷晶须表面化学镀FeCo的方法如下 一、将陶瓷晶须粗化处理，再敏化-活化处理，再加入去离子水制得陶瓷晶须悬浊液；二、在保持20。C 3(TC温度下，将pH值为12 12.5的主盐络合液和稳定剂溶液的混合溶液加入到陶瓷晶须悬浊液中，然后以2 5滴/分钟的滴速滴加pH值为13 13.5的还原剂溶液，在保持温度为2(TC 3(TC、pH值为12 13、超声振荡功率为2kW 44kW的条件下超声波振荡2分钟 60分钟，过滤，用去离子水清洗3次，然 后在温度为8(TC的条件下烘干，即完成了对陶瓷晶须表面进行化学镀；其中 步骤二所述的主盐络合液的体积与步骤一中陶瓷晶须的质量比为200 mL 500 mL: lg;步骤二所述的主盐络合液由CoS04'7H20、 FeS04'7H20、 C4H406Na2'2H20 、,4)^04和去离子水组成，其中主盐络合液中CoS04.7H20 的浓度为3 10g/L, FeS04'7H20的浓度为3 10 g/L， C4H406Na2.2H20的 浓度为15 90g/L， (NH4)2S04的浓度为20 200g/L;步骤二所述的稳定剂 溶液为浓度为2 6 g /L的Na2B407溶液；步骤二中所述的还原剂溶液由NaBH 加入pH值为13 13.5的NaOH溶液制得，其中NaBH与步骤一所述陶瓷晶 须的质量比为2 5: 1 。上述方法步骤一中所述的粗化处理如下将粗化液的体积与陶瓷晶须的质 量按照100mL 300mL: lg的比例混合，得到混合溶液，然后将混合溶液在 超声波振荡功率为2kW 4kW的条件下，超声振荡15分钟 40分钟，过滤， 然后用去离子水洗涤陶瓷晶须至洗液的pH值高于6;其中所述的粗化液由NaF 的质量与HF的体积按照1 g: 5 20 mL的比例组成。上述方法步骤一中所述的敏化-活化处理如下将经过粗化处理的陶瓷晶须的质量与敏化-活化液的体积按照1 g: 10 20mL的比例混合，然后在超声 波振荡功率为2kW 4 kW的条件下超声振荡15分钟 40分钟，在超声振荡 的过程中每隔3分钟搅拌一次混合溶液，超声振荡后过滤，然后用去离子水洗 涤陶瓷晶须至洗液的pH值高于6，然后将经过洗涤的陶瓷晶须在温度为 7(TC 85。C的条件下烘干。上述方法步骤一中所述的陶瓷晶须为SiC晶须或AhsB4033晶须。本专利技术的方法提高了陶瓷晶须表面的浸润性从而在陶瓷晶须表面镀上得 到连续的镀层。 附图说明图1是具体实施方式一中所得镀层中磷含量曲线图。图2是具体实施方式 一中所得镀层的XRD图谱，图中B表示a-Co的衍射峰，*表示A118B4033的衍 射峰，a表示pH值为9所得镀层的衍射图谱，b表示pH值为8.5所得镀层的 衍射图谱，c表示pH值为S.O所得镀层的衍射图谱，d表示pH值为7.5所得镀层的衍射图谱。图3是具体实施方式二十七中经过粗化处理、敏化-活化处理后的A118B4033晶须形貌图。图4是具体实施方式二十八中A118B4033晶须表 面镀层形貌图。图5是具体实施方式二十九中A118B4033晶须表面镀层形貌图。 图6是具体实施方式三十中SiC晶须的表面镀层形貌图。图7是具体实施方式 六十一中A118B4033晶须的表面镀层形貌图。图8是具体实施方式六十一中 A118B4033晶须镀层的EDS谱图。图9是具体实施方式六H"^—中A118B4033晶须 的XRD图谱，图中*表示AhsB4033的衍射峰。图10是具体实施方式六十二中M8B4033镀层的形貌图。图11是具体实施方式六十二中八11884033镀层的EDS谱图。图12是具体实施方式六十二中八11884033镀层的XRD图谱。 具体实施例方式本专利技术技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方 式间的任意组合。具体实施方式一本实施方式中陶瓷晶须表面化学镀CO的方法如下一、 将陶瓷晶须粗化处理，再敏化-活化处理，再加入去离子水制得陶瓷晶须悬浊 液;二、将步骤一得到的陶瓷晶须悬浊液加入Co镀液，然后在pH值为7 11.5、 温度为30°C 60°C 、超声振荡功率为2 kW 4 kW的条件下超声振荡20分钟 60分钟，过滤，再用去离子水清洗3次，然后在温度为6(TC 8(TC的条件下 烘干，即完成了对陶瓷晶须表面进行化学镀；其中步骤二所述的Co镀液由 CoS04'7H20、 Na3C6H507'2H20、 NaH2P02'H20、 H3B03和去离子水组成，Co 镀液中CoSCV7H20的浓度为15 50 g/L， Na3C6H5Or2H20的浓度为30 150g/L， NaH2P02'H20的浓度为15 50g/L, 113803的浓度为20 40g/L; 步骤一中的陶瓷晶须的质量与步骤二中Co镀液的体积比为lg:400 1000mL。本实施方式步骤一中将经过粗化处理、敏化-活化处理的陶瓷晶须的质量 与去离子水的体积按照lg:10ml 20ml的比例混合，然后超声振荡10 20分 钟制成陶瓷晶须悬浊液。本实施方式中Co镀层厚度为0.05|im l pm。本实施方式步骤二中先将步骤一得到的陶瓷晶须悬浊液加入到温度为 60。C 7(TC的二倍浓度的Co镀液中得到混合溶液，然后再用浓度为80g/L的 NaOH溶液和去离子水调节混合溶液的pH值为7 11.5，其中二倍浓度的Co6镀液中CoS04'7H20的浓度为30 g 100 g/L，Na3C6H5Or2H20的浓度为60 g 300 g/L， NaH2P02'H20的浓度为30 g 100 g/L， H3B03的浓度为40 g 80 g/L。 图1是本实施方式中所得镀层中磷含量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷晶须表面化学镀的方法，其特征在于陶瓷晶须表面化学镀Ｃｏ的方法如下：一、将陶瓷晶须粗化处理，再敏化－活化处理，再加入去离子水制得陶瓷晶须悬浊液；二、将Ｃｏ镀液加入到步骤一得到的陶瓷晶须悬浊液中，然后在ｐＨ值为７～１１．５、温度为３０℃～６０℃、超声振荡功率为２ｋＷ～４ｋＷ的条件下超声振荡２０分钟～６０分钟，过滤，再用去离子水清洗３次，然后在温度为６０℃～８０℃的条件下烘干，即完成了对陶瓷晶须表面进行化学镀；其中步骤二所述的Ｃｏ镀液由ＣｏＳＯ↓［４］.７Ｈ↓［２］Ｏ、Ｎａ↓［３］Ｃ↓［６］Ｈ↓［５］Ｏ↓［７］.２Ｈ↓［２］Ｏ、ＮａＨ↓［２］ＰＯ↓［２］.Ｈ↓［２］Ｏ、Ｈ↓［３］ＢＯ↓［３］和去离子水组成，Ｃｏ镀液中ＣｏＳＯ↓［４］.７Ｈ↓［２］Ｏ的浓度为１５～５０ｇ／Ｌ，Ｎａ↓［３］Ｃ↓［６］Ｈ↓［５］Ｏ↓［７］.２Ｈ↓［２］Ｏ的浓度为３０～１５０ｇ／Ｌ，ＮａＨ↓［２］ＰＯ↓［２］.Ｈ↓［２］Ｏ的浓度为１５～５０ｇ／Ｌ，Ｈ↓［３］ＢＯ↓［３］的浓度为２０～４０ｇ／Ｌ；步骤一中的陶瓷晶须的质量与步骤二中Ｃｏ镀液的体积比为１ｇ∶４００～１０００ｍＬ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜建堂，甄良，邵文柱，徐成彦，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]