发光元件及包括该发光元件的显示装置制造方法及图纸

发光元件包括：活性层；复数个第一导电型半导体层，位于活性层的下方；以及复数个第二导电型半导体层，位于活性层上。复数个第一导电型半导体层包括与活性层隔开最远的吸附防止层。吸附防止层包含Al

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件及包括该发光元件的显示装置


[0001]实施例涉及一种发光元件及包括该发光元件的显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置将诸如发光二极管(Light Emitting Diode)的自发光元件用作像素的光源，显示高画质的图像。发光二极管在恶劣的环境下也表现出优异的耐久性，并能够实现长寿命和高亮度，从而作为新一代显示装置的光源备受瞩目。
[0003]近年来，正在进行利用高可靠性的无机结晶结构的材料制造超小型的发光二极管，并将其配置到显示装置的面板(以下，称为“显示面板”)而用作新一代像素光源的研究。
[0004]为了实现高分辨率，像素的尺寸逐渐减小，由于需要在如此小尺寸的像素对齐大量的发光元件，因此正在积极进行制造微米或纳米级的超小型发光二极管的研究。
[0005]通常，显示面板包括数百万个像素。因此，很难在尺寸较小的数百万个像素中的每一个像素对齐复数个发光元件，因此，最近正在积极进行在显示面板对齐复数个发光元件的方案的各种研究。
[0006]随着发光元件的尺寸减小，将这些发光元件转移到基板上成为非常重要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，其中，包括：活性层；复数个第一导电型半导体层，位于所述活性层的下方；以及复数个第二导电型半导体层，位于所述活性层上，复数个所述第一导电型半导体层包括与所述活性层隔开最远的吸附防止层，所述吸附防止层包含Al
x1
Ga1‑
x1
InP，所述x1为0.6以下，所述吸附防止层的厚度为2μm以下。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述x1为0.2以上且0.6以下。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述吸附防止层的厚度为0.5μm以上且1.5μm以下。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述吸附防止层的Al与Ga的浓度之比为0.5以上且5以下。5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，在所述第一导电型半导体层的下方包括屏蔽层。6.根据权利要求5所述的发光元件，其中，所述屏蔽层的厚度为300nm以上。7.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述屏蔽层是第三导电型半导体层。8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，所述第三导电型半导体层包含GaInP。9.根据权利要求7所述的发光元件，其中，所述第三导电型半导体层不包含Al。10.根据权利要求5所述的发光元件，其中，所述屏蔽层是蚀刻阻止层。11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄圣贤，许美姬，全基成，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：