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发光元件包括：活性层；复数个第一导电型半导体层，位于活性层的下方；以及复数个第二导电型半导体层，位于活性层上。复数个第一导电型半导体层包括与活性层隔开最远的吸附防止层。吸附防止层包含Al
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该专利属于LG电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG电子株式会社授权不得商用。

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