本发明专利技术公开一种半导体元件，其包括第一半导体结构、第二半导体结构以及活性区。第一半导体结构具有包含第一掺质及第二掺质的第一半导体层。第二半导体结构位于第一半导体结构上且包含第一掺质。活性区位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包含第一掺质。第一掺质与第二掺质具有不同的导电型态。质与第二掺质具有不同的导电型态。质与第二掺质具有不同的导电型态。
【技术实现步骤摘要】
半导体元件
[0001]本专利技术涉及半导体元件，特别涉及半导体光电元件，例如半导体发光元件(如发光二极管(Light emitting diode，LED)等)。
技术介绍
[0002]包含三族及五族元素的III
‑
V族半导体材料可应用于各种半导体元件如发光二极管、激光二极管(Laser diode，LD)、光电侦测器或太阳能电池(Solar cell)，或者可以是例如开关或整流器的功率元件，能用于照明、医疗、显示、通信、感测、电源系统等领域。作为半导体发光元件之一的发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此大量被应用。
技术实现思路
[0003]本
技术实现思路
提供一种半导体元件，其包括第一半导体结构、第二半导体结构以及活性区。第一半导体结构具有包含第一掺质及第二掺质的第一半导体层。第二半导体结构位于第一半导体结构上且包含第一掺质。活性区位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包含第一掺质。第一掺质与第二掺质具有不同的导电型态。
[0004]在本专利技术一实施例中，第一掺质在第一半导体结构中具有第一最大浓度(C1)，第二掺质在第一半导体结构中具有第二最大浓度(C2)大于第一最大浓度(C1)。
[0005]在本专利技术一实施例中，在第一半导体结构中第二掺质的浓度均大于第一掺质的浓度。
[0006]在本专利技术一实施例中，第一掺质在活性区中具有第三最大浓度(C3)大于、小于或等于第一最大浓度(C1)。
[0007]在本专利技术一实施例中，第一半导体层具有一上表面，上表面具有粗化结构。
[0008]在本专利技术一实施例中，第一掺质为n型掺质，第二掺质为p型掺质。
[0009]在本专利技术一实施例中，第一半导体层包含二元III
‑
V族半导体材料。
[0010]在本专利技术一实施例中，第一掺质包含C、Zn、Si、Ge、Sn、Se、Mg或Te。
[0011]在本专利技术一实施例中，第二半导体结构包含第二半导体层，且于第二半导体层中第一掺质具有第四最大浓度(C4)大于第一最大浓度(C1)。
[0012]在本专利技术一实施例中，第二半导体层与第一半导体层具有不同的导电型态。
附图说明
[0013]图1A为本专利技术一实施例的半导体元件的俯视图；
[0014]图1B及图1C为本专利技术一实施例的半导体元件的剖面结构示意图及局部放大示意图；
[0015]图2A为本专利技术一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；
[0016]图2B为本专利技术一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；
[0017]图3A为本专利技术一实施例的半导体元件中部分范围的元素的浓度与深度的关系图；
[0018]图3B为本专利技术一实施例的半导体元件中部分范围的元素的浓度与深度的关系图；
[0019]图4A为本专利技术一实施例的半导体元件的俯视图；
[0020]图4B为本专利技术一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；
[0021]图5A为本专利技术一实施例的半导体组件的剖面结构示意图；
[0022]图5B为本专利技术一实施例的半导体组件的剖面结构示意图；
[0023]图6为本专利技术一实施例的半导体组件的剖面结构示意图。
[0024]符号说明
[0025]10、20、30、40、50、50
’
、60：半导体元件
[0026]100：基底
[0027]102：外延结构
[0028]102s：表面
[0029]104：第一半导体结构
[0030]106：第二半导体结构
[0031]108：活性区
[0032]108a：第一局限层
[0033]108b：第二局限层
[0034]108c：半导体叠层
[0035]108c1：阻障层
[0036]108c2：阱层
[0037]110：第一电极
[0038]110a：电极垫
[0039]110b：延伸电极
[0040]110b1：第一延伸部
[0041]110b2：第二延伸部
[0042]112：第二电极
[0043]116：第一半导体层
[0044]118：第二半导体层
[0045]120：第三半导体层
[0046]122：第四半导体层
[0047]122a：粗化结构
[0048]123：绝缘结构
[0049]124：导电层
[0050]125：反射层
[0051]126：孔隙
[0052]126a：第一孔隙
[0053]126b：第二孔隙
[0054]128：接合结构
[0055]130：半导体接触层
[0056]140a：第一接触结构
[0057]140b：第二接触结构
[0058]160：介电层
[0059]160a：第一开口
[0060]160b：第二开口
[0061]22、42：承载基板
[0062]24、44：粘着层
[0063]200、400、600：半导体组件
[0064]61：封装基板
[0065]62：通孔
[0066]63：载体
[0067]63a：第一部分
[0068]63b：第二部分
[0069]65：接合线
[0070]66：接触结构
[0071]66a：第一接触垫
[0072]66b：第二接触垫
[0073]68：封装层
[0074]A
‑
A
’
、X
‑
X
’
、Y
‑
Y
’
：剖面线
[0075]C1、C2、C3：浓度
[0076]D1、D2：曲线
[0077]L0：长度
[0078]R：区域
[0079]W0、w1、w2：宽度
具体实施方式
[0080]以下实施例将伴随着附图说明本专利技术的概念，在附图或说明中，相似或相同的构件将使用相似或相同的标号进行说明，并且若未特别说明，附图中各元件的形状或尺寸仅为例示，实际上并不限于此。需特别注意的是，图中未绘示或描述的元件，可以是本领域技术人员所知的形式。
[0081]在未特别说明的情况下，通式InGaP代表In
x0
Ga1‑
x0
P，其中0<x0<1；通式AlInP代表Al
x1
In1‑
x1
P，其中0<x1<1；通式AlGaInP代表Al
x2
Ga
x3
In1‑
x2
‑
x3
P，其中0<x2<1且0<x3<1；通式In本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：第一半导体结构，具有包含第一掺质及第二掺质的第一半导体层；第二半导体结构，位于该第一半导体结构上且包含该第一掺质；活性区，位于该第一半导体结构及该第二半导体结构之间且包含该第一掺质；其中，该第一掺质与该第二掺质具有不同的导电型态。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一掺质在该第一半导体结构中具有第一最大浓度(C1)，该第二掺质在该第一半导体结构中具有第二最大浓度(C2)大于该第一最大浓度(C1)。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中在该第一半导体结构中该第二掺质的浓度均大于该第一掺质的浓度。4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一掺质在该活性区中具有第三最大浓度(C3)大于、小于或等于该第一最大浓度...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜世男，金明达，李宜青，叶振隆，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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