半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体元件，其包括第一半导体结构、第二半导体结构以及活性区。第一半导体结构具有包含第一掺质及第二掺质的第一半导体层。第二半导体结构位于第一半导体结构上且包含第一掺质。活性区位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包含第一掺质。第一掺质与第二掺质具有不同的导电型态。质与第二掺质具有不同的导电型态。质与第二掺质具有不同的导电型态。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件


[0001]本专利技术涉及半导体元件，特别涉及半导体光电元件，例如半导体发光元件(如发光二极管(Light emitting diode，LED)等)。

技术介绍

[0002]包含三族及五族元素的III
‑
V族半导体材料可应用于各种半导体元件如发光二极管、激光二极管(Laser diode，LD)、光电侦测器或太阳能电池(Solar cell)，或者可以是例如开关或整流器的功率元件，能用于照明、医疗、显示、通信、感测、电源系统等领域。作为半导体发光元件之一的发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此大量被应用。

技术实现思路

[0003]本
技术实现思路
提供一种半导体元件，其包括第一半导体结构、第二半导体结构以及活性区。第一半导体结构具有包含第一掺质及第二掺质的第一半导体层。第二半导体结构位于第一半导体结构上且包含第一掺质。活性区位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包含第一掺质。第一掺质与第二掺质具有不同的导电型态。
[0004]在本专利技术一实施例中，第一掺质在第一半导体结构中具有第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：第一半导体结构，具有包含第一掺质及第二掺质的第一半导体层；第二半导体结构，位于该第一半导体结构上且包含该第一掺质；活性区，位于该第一半导体结构及该第二半导体结构之间且包含该第一掺质；其中，该第一掺质与该第二掺质具有不同的导电型态。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一掺质在该第一半导体结构中具有第一最大浓度(C1)，该第二掺质在该第一半导体结构中具有第二最大浓度(C2)大于该第一最大浓度(C1)。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中在该第一半导体结构中该第二掺质的浓度均大于该第一掺质的浓度。4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一掺质在该活性区中具有第三最大浓度(C3)大于、小于或等于该第一最大浓度...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜世男，金明达，李宜青，叶振隆，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：