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本发明公开一种半导体元件，其包括第一半导体结构、第二半导体结构以及活性区。第一半导体结构具有包含第一掺质及第二掺质的第一半导体层。第二半导体结构位于第一半导体结构上且包含第一掺质。活性区位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包含第一掺质。...
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