一种隧穿层钝化接触处理电池、电池组件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种隧穿层钝化接触处理电池、电池组件及制备方法，应用于光电技术领域，该电池包括：硼扩散掺杂层、N型衬底、隧穿层和分层设置的掺杂钝化层，硼扩散掺杂层设置在N型衬底的一侧，隧穿层设置在N型衬底背向硼扩散掺杂层的一侧，掺杂钝化层设置在隧穿层背向N型衬底的一侧，分层设置的掺杂钝化层中，多层子掺杂钝化层的掺杂浓度沿背向隧穿层的方向逐层增加。本发明专利技术通过将设置在隧穿层背向N型衬底一侧的掺杂钝化层，设置为掺杂浓度沿背向隧穿层的方向逐层增加的多层结构，使靠近隧穿层一侧的子掺杂钝化层掺杂浓度低，降低复合，保证电子迁移率的同时，使远离隧穿层一侧的子掺杂钝化层掺杂浓度高，保证了掺杂钝化层的钝化能力。化能力。化能力。

【技术实现步骤摘要】
一种隧穿层钝化接触处理电池、电池组件及制备方法


[0001]本专利技术涉及光电
，特别涉及一种隧穿层钝化接触处理电池、电池组件及制备方法。

技术介绍

[0002]TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)是一种基于选择性载流子原理的隧穿层钝化接触太阳能电池技术，电池结构为N型硅衬底电池，通过在电池背光侧依次制备一层隧穿层和掺杂钝化层，形成电池的钝化接触结构，掺杂钝化层较高的掺杂浓度会提高场钝化能力，但由于硅衬底中硅与掺杂钝化层中多晶硅的功函数差异较小，导致整体的场钝化能力存在上限，且过高的掺杂浓度会导致复合率增大。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种隧穿层钝化接触处理电池、电池组件及制备方法，解决了现有技术中掺杂钝化层只能在低掺杂浓度降低复合和高掺杂浓度保证钝化间折中的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种隧穿层钝化接触处理电池，包括：
[0005]硼扩散掺杂层、N型衬底、隧穿层和分层设置的掺杂钝化层；
[0006]所述硼扩散掺杂层设置在所述N型衬底的一侧，所述隧穿层设置在所述N型衬底背向所述硼扩散掺杂层的一侧；
[0007]所述掺杂钝化层设置在所述隧穿层背向所述N型衬底的一侧；
[0008]分层设置的所述掺杂钝化层中，多层子掺杂钝化层的掺杂浓度沿背向所述隧穿层的方向逐层增加。
[0009]可选的，分层设置的所述掺杂钝化层，包括：
[0010]沿背向所述隧穿层的方向依次设置的第一子掺杂钝化层和第二子掺杂钝化层；
[0011]所述第二子掺杂钝化层的掺杂浓度大于所述第一子掺杂钝化层的掺杂浓度。
[0012]可选的，分层设置的所述掺杂钝化层，包括：
[0013]沿背向所述隧穿层的方向依次设置的第一子掺杂钝化层、第二子掺杂钝化层和第三子掺杂钝化层；
[0014]所述第一子掺杂钝化层的掺杂浓度、所述第二子掺杂钝化层的掺杂浓度和所述第三子掺杂钝化层的掺杂浓度沿背向所述隧穿层的方向逐层增加。
[0015]可选的，所述第一子掺杂钝化层的掺杂浓度、所述第二子掺杂钝化层的掺杂浓度和所述第三子掺杂钝化层的掺杂浓度沿背向所述隧穿层的方向逐层等量增加。
[0016]可选的，所述掺杂钝化层中，与所述隧穿层接触的子掺杂钝化层为提高所述掺杂钝化层晶化率的纳米晶硅层。
[0017]本专利技术还提供了一种隧穿层钝化接触处理电池组件，包括多个上述的隧穿层钝化接触处理电池。
[0018]本专利技术还提供了一种隧穿层钝化接触处理电池制备方法，包括：
[0019]在N型衬底的一侧进行硼扩散处理，形成硼扩散掺杂层；
[0020]在所述N型衬底背向所述硼扩散掺杂层的一侧，制备隧穿层；
[0021]在所述隧穿层背向所述N型衬底的一侧，按掺杂浓度逐层增加的顺序，依次制备多层子掺杂钝化层，完成隧穿层钝化接触处理电池的制备。
[0022]可选的，所述在所述隧穿层背向所述N型衬底的一侧，按掺杂浓度逐层增加的顺序，依次制备多层子掺杂钝化层，完成隧穿层钝化接触处理电池的制备，包括：
[0023]在所述隧穿层背向所述N型衬底的一侧，沿掺杂浓度逐层等量增加的顺序，依次制备多层所述子掺杂钝化层，完成所述隧穿层钝化接触处理电池的制备。
[0024]可选的，所述在N型衬底的一侧进行硼扩散处理，形成硼扩散掺杂层之前，还包括：
[0025]对所述N型衬底的一侧进行制绒处理；
[0026]相应的，所述在N型衬底的一侧进行硼扩散处理，形成硼扩散掺杂层，包括：
[0027]在所述N型衬底进行制绒处理的一侧，进行硼扩散处理，形成硼扩散掺杂层。
[0028]可选的，所述在所述隧穿层背向所述N型衬底的一侧，按掺杂浓度逐层增加的顺序，依次制备多层子掺杂钝化层，完成隧穿层钝化接触处理电池的制备，包括：
[0029]将与隧穿层接触的所述子掺杂钝化层，设置为提高所述掺杂钝化层晶化率的纳米晶硅层；
[0030]在所述纳米晶硅层背向所述隧穿层的一侧，按掺杂浓度逐层增加的顺序，依次制备其他多层子掺杂钝化层，完成所述隧穿层钝化接触处理电池的制备。
[0031]可见，本专利技术提供的隧穿层钝化接触处理电池，包括硼扩散掺杂层、N型衬底、隧穿层、分层设置的掺杂钝化层，硼扩散掺杂层设置在N型衬底的一侧，隧穿层设置在N型衬底背向硼扩散掺杂层的一侧，掺杂钝化层设置在隧穿层背向N型衬底的一侧，分层设置的掺杂钝化层中，多层子掺杂钝化层的掺杂浓度沿背向隧穿层的方向逐层增加。本专利技术通过将制备在隧穿层背向N型衬底一侧的掺杂钝化层，设置为多层子掺杂钝化层的掺杂浓度沿背向隧穿层的方向逐层增加的结构，使靠近隧穿层一侧的子掺杂钝化层掺杂浓度低，降低复合，保证电子迁移率的同时，使远离隧穿层一侧的子掺杂钝化层掺杂浓度高，保证了掺杂钝化层的钝化能力。
[0032]此外，本专利技术还提供了一种隧穿层钝化接触处理电池组件及制备方法，同样具有上述有益效果。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0034]图1为本专利技术实施例提供的一种现有隧穿层钝化接触处理电池的结构示意图；
[0035]图2为本专利技术实施例提供的一种隧穿层钝化接触处理电池的结构示意图；
[0036]图3为本专利技术实施例提供的另一种隧穿层钝化接触处理电池的结构示意图；
[0037]图4为本专利技术实施例提供的再一种隧穿层钝化接触处理电池的结构示意图；
[0038]图5为本专利技术实施例提供的一种隧穿层钝化接触处理电池制备方法的流程图；
[0039]图6为本专利技术实施例提供的另一种隧穿层钝化接触处理电池制备方法的流程图；
[0040]图1至图4中，附图标记说明如下：
[0041]10
‑
硼扩散掺杂层；
[0042]20
‑
N型衬底；
[0043]30
‑
隧穿层；
[0044]40
‑
掺杂钝化层，41
‑
第一子掺杂钝化层,42
‑
第二子掺杂钝化层，43
‑
第三子掺杂钝化层，44
‑
纳米晶硅层。
具体实施方式
[0045]TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)是一种基于选择性载流子原理的隧穿层钝化接触太阳能电池技术，可以参考图1，图1为本专利技术实施例提供的一种现有隧穿层钝化接触处理电池的结构示意图。电池结构为N型硅衬底电池，通过在电池背光侧依次制备一层隧穿层30和掺杂钝化层40，形成电池的钝化接触结构。掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种隧穿层钝化接触处理电池，其特征在于，包括：硼扩散掺杂层、N型衬底、隧穿层和分层设置的掺杂钝化层；所述硼扩散掺杂层设置在所述N型衬底的一侧，所述隧穿层设置在所述N型衬底背向所述硼扩散掺杂层的一侧；所述掺杂钝化层设置在所述隧穿层背向所述N型衬底的一侧；分层设置的所述掺杂钝化层中，多层子掺杂钝化层的掺杂浓度沿背向所述隧穿层的方向逐层增加。2.根据权利要求1所述的隧穿层钝化接触处理电池，其特征在于，分层设置的所述掺杂钝化层，包括：沿背向所述隧穿层的方向依次设置的第一子掺杂钝化层和第二子掺杂钝化层；所述第二子掺杂钝化层的掺杂浓度大于所述第一子掺杂钝化层的掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的隧穿层钝化接触处理电池，其特征在于，分层设置的所述掺杂钝化层，包括：沿背向所述隧穿层的方向依次设置的第一子掺杂钝化层、第二子掺杂钝化层和第三子掺杂钝化层；所述第一子掺杂钝化层的掺杂浓度、所述第二子掺杂钝化层的掺杂浓度和所述第三子掺杂钝化层的掺杂浓度沿背向所述隧穿层的方向逐层增加。4.根据权利要求3所述的隧穿层钝化接触处理电池，其特征在于，所述第一子掺杂钝化层的掺杂浓度、所述第二子掺杂钝化层的掺杂浓度和所述第三子掺杂钝化层的掺杂浓度沿背向所述隧穿层的方向逐层等量增加。5.根据权利要求1至4任一项所述的隧穿层钝化接触处理电池，其特征在于，所述掺杂钝化层中，与所述隧穿层接触的子掺杂钝化层为提高所述掺杂钝化层晶化率的纳米晶硅层。6.一种隧穿层钝化接触处理电池组件，其特征在于，包括多个如权利要求1至5所述的隧穿层钝化接触处理电池。7.一种隧穿层钝化接触处...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：