光敏元件及光电部件制造技术

本公开涉及一种光敏元件以及包括至少一个这样的光敏元件的光电部件。光敏元件(100、200)包括半导体基板(102、202)、在半导体基板(102、202)中形成的至少一个光敏区(108、208)、至少部分围绕光敏区(108、208)的非活性区、以及保护层(116、216)，该保护层具有使光敏区(108、208)不被保护层(116、216)覆盖的开口，其中，保护层(116、216)包括防反射涂层，该防反射涂层在300nm到1200nm之间的光谱范围的至少一部分中具有小于10％的反射率和小于0.1％的透光率。光率。光率。

【技术实现步骤摘要】
光敏元件及光电部件


[0001]本公开涉及光敏元件以及包括至少一个这样的光敏元件的光电部件。

技术介绍

[0002]光电部件在例如用于工业自动化或汽车应用、以及用于例如智能手机的消费产品的安全设备领域是众所周知的。
[0003]特别是，LIDAR(光探测和测距)技术将用于高级驾驶员辅助系统(ADAS)，并且是实现自主驾驶的关键技术。在这些LIDAR系统中，使用不同的探测器类型，它们基于不同的光敏元件如雪崩光电二极管(APD)和硅光电倍增管(SiPM)。
[0004]APD是二极管器件，其可以基于硅并且具有非常紧凑的尺寸、高量子效率和相对高的增益。下图显示了拉通型APD的内部结构，它由本征或轻掺杂的p型半导体构成，夹在两个重掺杂的p型和n型区域之间，其中p型区域在本征和n型区域之间。通过使用高掺杂的硅晶体，横跨p
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n结保持很高的内场，这产生高的内增益。重掺杂的p区和n区作为与金属接触部连接的接触部工作。通过这些金属接触部，提供外部高反向偏置电压。
[0005]重掺杂的p区被制作得尽可能薄并作为入射光的窗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光敏元件(100、200)，包括：半导体基板(102、202)，至少一个光敏区(108、208)，所述至少一个光敏区形成在所述半导体基板(102、202)中，非活性区，所述非活性区至少部分地围绕所述光敏区(108、208)，以及保护层(116、216)，所述保护层具有使所述光敏区(108、208)不被所述保护层(116、216)覆盖的开口，其中，所述保护层(116、216)包括防反射涂层，所述防反射涂层在300nm到1200nm之间的光谱范围的至少一部分中具有小于10％的反射率和小于0.1％的透光率。2.根据权利要求1所述的光敏元件，还包括光屏蔽层(110、210)，所述光屏蔽层布置在所述保护层(116、216)下方并且对于在300nm到1200nm之间的光谱范围的至少一部分中的辐射具有小于0.1％的透光率。3.根据权利要求1或2所述的光敏元件，其中，用于接触所述光敏元件(100、200)的至少一个电接触部(124)布置在外围区域。4.根据权利要求3所述的光敏元件，其中，所述电接触部(106、206)包括围绕所述光敏区(108、208)的环形金属层(126)。5.根据前述权利要求中任一项所述的光敏元件，其中，所述光敏区(108、208)形成雪崩光电二极管(APD)、单光子雪崩二极管(SPAD)和/或光电倍增管(SiPM)的光敏区。6.根据前述权利要求中任一项所述的光敏元件，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：第一传感器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：