光伏电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种光伏电池及其制备方法，光伏电池包括基片、减反射膜层和陷光膜层，减反射膜层设置在基片的入光侧，陷光膜层设置在减反射膜层的背离基片的表面上，陷光膜层的背离减反射膜层的表面具有陷光结构，陷光结构相对于减反射膜层的背离基片的表面呈凹凸状。本发明专利技术提供的光伏电池及其制备方法，能够进一步降低反射率，提高减反射性能，从而能够进一步减少光学损失，提高光利用率，进而能够进一步提高短路电流，提高光电转换效率。提高光电转换效率。提高光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
光伏电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光伏电池
，具体地，涉及一种光伏电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]现有的光伏电池通过在硅片的表面制备绒面结构，例如，绒面结构可以包括多个金字塔状，多个金字塔状体沿硅片的表面的延伸方向排布，并在绒面结构上制备随绒面结构形貌的减反射膜层，可以减少因入射光反射而带来的光学损失，实现减反射，从而能够提高光伏电池的光利用率，进而能够提高光伏电池的短路电流，提高光伏电池的光电转换效率。
[0003]但是，现有的光伏电池的减反射性能仍有进一步提高的空间。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种光伏电池及其制备方法，其能够进一步降低反射率，提高减反射性能，从而能够进一步减少光学损失，提高光利用率，进而能够进一步提高短路电流，提高光电转换效率。
[0005]为实现本专利技术的目的而提供一种光伏电池，包括基片、减反射膜层和陷光膜层，所述减反射膜层设置在所述基片的入光侧，所述陷光膜层设置在所述减反射膜层的背离所述基片的表面上，所述陷光膜层的背离所述减反射膜层的表面具有陷光结构，所述陷光结构相对于所述减反射膜层的背离所述基片的表面呈凹凸状。
[0006]可选的，所述陷光结构包括多个刺状体，多个所述刺状体沿所述减反射膜层的背离所述基片的表面的延伸方向排布。
[0007]可选的，所述基片的入光侧具有绒面结构，所述减反射膜层随所述绒面结构的形貌设置在所述绒面结构的入光侧。
[0008]本专利技术还提供一种光伏电池的制备方法，用于制备如本专利技术提供的所述光伏电池，所述制备方法包括：
[0009]在所述基片的入光侧制备所述减反射膜层；
[0010]在所述减反射膜层的背离所述基片的表面上制备所述陷光膜层；
[0011]对所述陷光膜层进行刻蚀，使所述陷光膜层的背离所述减反射膜层的表面形成所述陷光结构。
[0012]可选的，所述对所述陷光膜层进行刻蚀包括：采用湿法刻蚀对所述陷光膜层进行刻蚀。
[0013]可选的，采用酸性刻蚀液对所述陷光膜层进行所述湿法刻蚀，所述陷光膜层的材质能够与所述酸性刻蚀液反应。
[0014]可选的，所述酸性刻蚀液包括溶剂、刻蚀酸和添加剂，所述刻蚀酸用于对所述陷光膜层进行刻蚀，所述添加剂用于调控所述湿法刻蚀的刻蚀速率和/或刻蚀方向。
[0015]可选的，所述溶剂为水，所述刻蚀酸为氟化氢，所述添加剂为异丙醇。
[0016]可选的，还满足以下至少一项：
[0017]所述氟化氢的质量相对于所述水和所述氟化氢的总质量的占比为0.2％
‑
3％；
[0018]所述添加剂的质量相对于所述酸性刻蚀液的总质量的占比为1％
‑
10％。
[0019]可选的，所述陷光膜层的材质包括硅氧化合物、氮氧化硅、钛氧化合物中的至少一种。
[0020]可选的，还满足以下至少一项：
[0021]所述陷光膜层的厚度为0.5μm
‑
5μm；
[0022]所述湿法刻蚀的时间为30s
‑
5min；
[0023]所述湿法刻蚀的温度为20℃
‑
25℃。
[0024]可选的，所述在所述减反射膜层的背离所述基片的表面上制备所述陷光膜层包括：采用沉积法在所述减反射膜层的背离所述基片的表面上沉积所述陷光膜层。
[0025]可选的，所述在所述基片的入光侧制备所述减反射膜层之前，所述制备方法还包括：
[0026]在所述基片的入光侧制备绒面结构；
[0027]所述在所述基片的入光侧制备所述减反射膜层包括：
[0028]在所述绒面结构的入光侧制备所述减反射膜层。
[0029]本专利技术具有以下有益效果：
[0030]本专利技术提供的光伏电池，通过在减反射膜层的背离基片的表面上设置陷光膜层，并使陷光膜层的背离减反射膜层的表面具有陷光结构，由于陷光结构相对于减反射膜层的背离基片的表面呈凹凸状，因此，借助陷光结构能够进一步降低反射率，提高减反射性能，从而能够进一步减少光学损失，提高光利用率，进而能够进一步提高短路电流，提高光电转换效率。
[0031]本专利技术提供的光伏电池的制备方法，通过在减反射膜层的背离基片的表面上制备陷光膜层，并使陷光膜层的背离减反射膜层的表面形成陷光结构，由于陷光结构相对于减反射膜层的背离基片的表面呈凹凸状，因此，借助陷光结构能够进一步降低反射率，提高减反射性能，从而能够进一步减少光学损失，提高光利用率，进而能够进一步提高短路电流，提高光电转换效率。
附图说明
[0032]图1为本专利技术实施例提供的光伏电池形成有陷光膜层而未形成有陷光结构时的结构示意图；
[0033]图2为本专利技术实施例提供的光伏电池的陷光膜层形成有陷光结构时的结构示意图；
[0034]图3为本专利技术实施例提供的光伏电池的制备方法的流程图；
[0035]图4为现有的光伏电池的一种绒面结构在扫描电子显微镜下的形貌图像；
[0036]图5为现有的光伏电池的另一种绒面结构在扫描电子显微镜下的形貌图像；
[0037]图6为现有的光伏电池的又一种绒面结构在扫描电子显微镜下的形貌图像；
[0038]图7为现有的光伏电池的再一种绒面结构在扫描电子显微镜下的形貌图像；
[0039]图8为现有的光伏电池的再一种绒面结构在扫描电子显微镜下的形貌图像；
[0040]图9为现有的光伏电池的再一种绒面结构在扫描电子显微镜下的形貌图像；
[0041]附图标记说明：
[0042]1‑
基片；11
‑
绒面结构；2
‑
减反射膜层；3
‑
陷光膜层；31
‑
陷光结构。
具体实施方式
[0043]为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的光伏电池及其制备方法进行详细描述。
[0044]如图1和图2所示，本专利技术实施例提供一种光伏电池，包括基片1、减反射膜层2和陷光膜层3，减反射膜层2设置在基片1的入光侧，陷光膜层3设置在减反射膜层2的背离基片1的表面上，陷光膜层3的背离减反射膜层2的表面具有陷光结构31，陷光结构31相对于减反射膜层2的背离基片1的表面呈凹凸状。
[0045]本专利技术实施例提供的光伏电池，通过在减反射膜层2的背离基片1的表面上设置陷光膜层3，并使陷光膜层3的背离减反射膜层2的表面具有陷光结构31，由于陷光结构31相对于减反射膜层2的背离基片1的表面呈凹凸状，因此，借助陷光结构31能够进一步降低反射率，提高减反射性能，从而能够进一步减少光学损失，提高光利用率，进而能够进一步提高短路电流，提高光电转换效率。
[0046]在实际应用中，基片1可以作为光伏电池的主体结构，材质可以为半导体材料，例如，可以为硅片。基片1可以呈板状，基片1可以具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光伏电池，其特征在于，包括基片、减反射膜层和陷光膜层，所述减反射膜层设置在所述基片的入光侧，所述陷光膜层设置在所述减反射膜层的背离所述基片的表面上，所述陷光膜层的背离所述减反射膜层的表面具有陷光结构，所述陷光结构相对于所述减反射膜层的背离所述基片的表面呈凹凸状。2.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述陷光结构包括多个刺状体，多个所述刺状体沿所述减反射膜层的背离所述基片的表面的延伸方向排布。3.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述基片的入光侧具有绒面结构，所述减反射膜层随所述绒面结构的形貌设置在所述绒面结构的入光侧。4.一种光伏电池的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1
‑
3任意一项所述的光伏电池，所述制备方法包括：在所述基片的入光侧制备所述减反射膜层；在所述减反射膜层的背离所述基片的表面上制备所述陷光膜层；对所述陷光膜层进行刻蚀，使所述陷光膜层的背离所述减反射膜层的表面形成所述陷光结构。5.根据权利要求4所述的光伏电池的制备方法，其特征在于，所述对所述陷光膜层进行刻蚀包括：采用湿法刻蚀对所述陷光膜层进行刻蚀。6.根据权利要求5所述的光伏电池的制备方法，其特征在于，采用酸性刻蚀液对所述陷光膜层进行所述湿法刻蚀，所述陷光膜层的材质能够与所述酸性刻蚀液反应。7.根据权利要求6所述的光伏电池的制备方法，其特征在于，所述酸性刻蚀液包括溶剂、刻蚀酸和添加剂，所述刻蚀酸用于对所述陷光膜层进行刻蚀，所述添加剂用于调控...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宏伟，刘绍阳，杨睿，陈达明，张学玲，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：