一种P型钝化接触电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种P型钝化接触电池，包括P型硅片，P型硅片的背面依次设置有隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层和背面钝化减反射层，硼掺杂多晶硅层与背面钝化减反射层之间设置有背面退火氧化层，P型钝化接触电池还包括多个位于P型硅片背面的背面电极，背面电极靠近P型硅片背面的一端贯穿背面退火氧化层和背面钝化减反射层且与硼掺杂多晶硅层连接；P型硅片的正面依次设置有磷扩散层、正面退火氧化层、ITO膜层。本实用新型专利技术的一种P型钝化接触电池，具有良好的钝化接触结构，能够提升钝化作用并降低P+poly的等离子体损伤，有利于提升电池的开路电压，降低金属接触复合电流，提升电池的转换效率。转换效率。转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种P型钝化接触电池


[0001]本技术属于光伏太阳能电池
，具体涉及一种P型钝化接触电池。

技术介绍

[0002]目前主流的P型电池为PERC(Passivated Emitter and Rear Cell的缩写，发射极和背面钝化电池)电池，其利用氧化铝材料在电池片背面形成良好的钝化层，起到化学钝化及场钝化的作用。但是现有的P型电池中，背电极穿透背面膜层直接与硅片背面接触，钝化效果差，相对应的电池的开路电压低，使得该技术几乎达到了瓶颈阶段，通过现有的设备以及工艺优化，很难实现效率的进一步突破。对于P型PERC电池，为了促进接触性能，目前有通过在背面激光开槽的技术，但是这种方法的背面制备步骤较多，且会对背面造成一定程度的激光损伤。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，为了克服现有技术的缺陷，本技术的目的是提供一种P型钝化接触电池，用以解决现有技术中的P型电池钝化效果差的问题，极大地提高化学钝化及场钝化，降低金属接触复合电流。
[0004]为了达到上述目的，本技术采用以下的技术方案：
[0005]一种P型钝化接触电池，包括P型硅片，所述P型硅片的背面依次设置有隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层和背面钝化减反射层，所述硼掺杂多晶硅层与背面钝化减反射层之间设置有背面退火氧化层，所述P型钝化接触电池还包括多个位于所述P型硅片背面的背面电极，所述背面电极靠近所述P型硅片背面的一端贯穿所述背面退火氧化层和背面钝化减反射层且与所述硼掺杂多晶硅层连接；所述P型硅片的正面依次设置有磷扩散层、正面退火氧化层、ITO(IndiumTinOxide，掺锡氧化铟)膜层。
[0006]通过在P型硅片背面增加背面退火氧化层，提升钝化作用并降低P+poly的等离子体损伤；设置背面电极与硼掺杂多晶硅层形成欧姆接触，有效避免背面电极与硅片直接接触，利用隧穿及势垒效应，载流子选择性传输，形成良好的钝化接触结构，有利于提升电池的开路电压；此外，正面设置ITO膜，其均匀性好，工艺稳定，导电性能强，能够有效降低横向传输电阻。
[0007]根据本技术的一些优选实施方面，所述背面退火氧化层与正面退火氧化层的材质均为SiO
x
。
[0008]根据本技术的一些优选实施方面，还包括多个位于所述P型硅片正面的正面电极，所述正面电极靠近所述P型硅片正面的一端贯穿所述磷扩散层、正面退火氧化层及ITO膜层且与所述P型硅片的正面连接。
[0009]根据本技术的一些优选实施方面，所述正面电极和背面电极为采用银浆或银铝浆烧结形成。这样的设置使得背面无需激光开槽，能够避免激光损伤。
[0010]根据本技术的一些优选实施方面，多个所述背面电极远离所述P型硅片背面
的一端向外延伸至同一高度，多个所述正面电极远离所述P型硅片正面的一端向外延伸至同一高度。
[0011]根据本技术的一些优选实施方面，所述背面钝化减反射层的厚度为5
‑
200nm，所述背面钝化减反射层包括第一背面钝化减反射层和第二背面钝化减反射层，所述第一背面钝化减反射层的材质为AlO
x
。本技术的一些实施例中，第二背面钝化减反射层的材质为SiN
x
层、SiO
x
N
y
层、SiO
x
层中的一种或多种的组合构成的介质层。
[0012]根据本技术的一些优选实施方面，所述ITO膜层的厚度为5
‑
200nm。
[0013]根据本技术的一些优选实施方面，所述隧穿氧化层的材质为SiO2，所述隧穿氧化层的厚度为1
‑
6nm。
[0014]根据本技术的一些优选实施方面，所述P型硅片的电阻率为0.4
‑
3Ω
·
cm，所述P型硅片的厚度为50
‑
300μm。
[0015]根据本技术的一些优选实施方面，所述硼掺杂多晶硅层的方阻为60
‑
300ohm/sq，所述磷扩散层的方阻为60
‑
200ohm/sq。
[0016]与现有技术相比，本技术的有益之处在于：本技术的一种P型钝化接触电池，在P型硅片背面增加背面退火氧化层，能够提升钝化作用并降低P+poly的等离子体损伤；背面电极与硼掺杂多晶硅层连接(欧姆接触)，能够有效避免背面电极与硅直接接触，利用隧穿及势垒效应，载流子选择性传输，形成良好的钝化接触结构；P型硅片正面膜层选用ITO膜，均匀性好，工艺稳定，导电性能强，有效降低横向传输电阻。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本技术实施例中的P型钝化接触电池的结构示意图；
[0019]其中，附图标记包括：P型硅片
‑
1，隧穿氧化层
‑
2，硼掺杂多晶硅层
‑
3，背面退火氧化层
‑
4，第一背面钝化减反射层
‑
5，第二背面钝化减反射层
‑
6，磷扩散层
‑
7，正面退火氧化层
‑
8，ITO膜层
‑
9，正面电极
‑
10，背面电极
‑
11。
具体实施方式
[0020]为了使本
的人员更好地理解本技术的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0021]实施例1P型钝化接触电池
[0022]如图1所示，本实施例中的P型钝化接触电池包括P型硅片1，P型硅片1的电阻率为0.4
‑
3Ω
·
cm；P型硅片1的厚度为50
‑
300μm。
[0023]P型硅片1的正面设置有磷扩散层7、正面退火氧化层8、ITO膜层9和正面电极10；正
面电极10穿透磷扩散层7、正面退火氧化层8、ITO膜层9和P型硅片1的正面形成欧姆接触。磷扩散层7的方阻为60
‑
200ohm/sq；正面退火氧化层8的材质为SiO2；ITO膜层9的厚度为5
‑
200nm。
[0024]P型硅片1的背面设置有隧穿氧化层2、硼掺杂多晶硅层3、背面退火氧化层4、第一背面钝化减反射层5、第二背面钝化减反射层6和背面电极11；背面电极11穿透第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种P型钝化接触电池，包括P型硅片，所述P型硅片的背面依次设置有隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层和背面钝化减反射层，其特征在于，所述硼掺杂多晶硅层与背面钝化减反射层之间设置有背面退火氧化层，所述P型钝化接触电池还包括多个位于所述P型硅片背面的背面电极，所述背面电极靠近所述P型硅片背面的一端贯穿所述背面退火氧化层和背面钝化减反射层且与所述硼掺杂多晶硅层连接；所述P型硅片的正面依次设置有磷扩散层、正面退火氧化层、ITO膜层。2.根据权利要求1所述的P型钝化接触电池，其特征在于，所述背面退火氧化层与正面退火氧化层的材质均为SiO
x
。3.根据权利要求1所述的P型钝化接触电池，其特征在于，还包括多个位于所述P型硅片正面的正面电极，所述正面电极靠近所述P型硅片正面的一端贯穿所述磷扩散层、正面退火氧化层及ITO膜层且与所述P型硅片的正面连接。4.根据权利要求3所述的P型钝化接触电池，其特征在于，所述正面电极和背面电极为采用银浆或银铝浆烧结形成。5.根据权利要求3所述的P型钝化接触电池，其特征在于，多个所述背面电极远离所述P型硅片背面的一端向外延伸至同一高度，多个所述正面电极远离所述P...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱小波，赵福祥，朱晶晶，
申请(专利权)人：韩华新能源启东有限公司，
类型：新型
国别省市：