【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，具体而言，涉及一种tbc太阳能电池的制造方法及太阳能电池组件。
技术介绍
1、tbc背接触电池(以下简称tbc电池)目前是指在n型硅片基底上，采用p+和n+的poly-si作为发射极和bsf(back surface field背表面场)的一种电池结构，并在poly-si与掺杂层之间还沉积有隧穿氧化层sio2，所以整体上tbc电池吸收了topcon电池的隧穿氧化层钝化接触技术和ibc电池背面制备呈叉指状间隔排列的p区和n区技术。
2、现有的tbc电池的p+掺杂区域和n+掺杂区域在制作过程中，往往需要多次的高温poly硅的沉积的步骤，大大增加了投资成本，提升了工艺难度，其背面在制作过程中，由于多步的高温沉积，需要多次的激光、刻蚀，也增加了设备投资和工序，增加了生产成本。
技术实现思路
1、本申请的内容部分用于以简要的形式介绍构思，这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。本申请的内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。
2、本申请的一些实施例提出了一种tbc太阳能电池的制造方法及太阳能电池组件，来解决以上
技术介绍
部分提到的技术问题。
3、作为本申请的第一方面，本申请的一些实施例提供了一种tbc太阳能电池的制造方法，包括：
4、在硅片的第一表面形成氧化合物和多晶硅叠层；
5、在第一表面形成的氧化合物和多晶硅叠层的第一位置处形成有第一导电
6、在硅片的第一表面形成p+poly区域、bsg层和n+poly区域、psg层；
7、对硅片进行制绒；
8、形成正电极和负电极。
9、进一步的，所述的在硅片的第一表面形成氧化合物和多晶硅叠层的方法步骤前对硅片进行清洁。
10、进一步的，所述的对硅片进行清洁的步骤包括：将硅片置于碱性溶液进行双面抛光。
11、进一步的，所述的在硅片的第一表面形成氧化合物的方法包括在硅片的第一表面形成纳米级的氧化硅薄膜。
12、进一步的，所述的在硅片的第一表面形成多晶硅叠层的方法还包在氧化硅薄膜上沉积一层多晶硅层。
13、进一步的，所述的在第一表面形成的氧化合物和多晶硅叠层的第一位置处形成有第一导电类型掺杂源的浆料的方法包括在多晶硅层的第一位置处掺杂含有第一导电类型掺杂源的浆料并进行烘干。
14、进一步的，所述的在多晶硅层的第一位置处掺杂含有第一导电类型掺杂源的浆料的方法包括：在多晶硅层的第一位置处用丝网印刷的方式印刷含有硼的浆料或在多晶硅层的第一位置处用丝网印刷的方式印刷含有磷的浆料。
15、进一步的，所述的在第一表面形成的氧化合物和多晶硅叠层上相异于第一位置处的第二位置处形成有含有与第一导电类型相反的第二导电类型掺杂源的浆料的方法包括在多晶硅层的第二位置处掺杂含有第二导电类型掺杂源的浆料并进行烘干。
16、进一步的，所述的在多晶硅层的第二位置处掺杂含有第二导电类型掺杂源的浆料的方法包括：在多晶硅层的第二位置处用丝网印刷的方式印刷含有硼的浆料或在多晶硅层的第二位置处用丝网印刷的方式印刷含有磷的浆料。
17、进一步的，所述的在第一表面形成的氧化合物和多晶硅叠层的第一位置处形成有第一导电类型掺杂源的浆料，在第一表面形成的氧化合物和多晶硅叠层上相异于第一位置处的第二位置处形成有含有与第一导电类型相反的第二导电类型掺杂源的浆料的方法还包括在多晶硅的第一位置处和第二位置处用喷墨打印的方式，同时形成表面含有硼的浆料和表面含有硼的浆料的区域，同时进行烘干。
18、进一步的，所述的在硅片的第一表面形成p+poly区域、bsg层和n+poly区域、psg层的方法包括：通过扩散等高温工艺形成p+poly区域、bsg层和n+poly区域、psg层。
19、进一步的，相邻的所述bsg层宽度的和所述psg层宽度的范围是60微米至1000微米。
20、进一步的，还包括用化学气相沉积工艺形成正面和背面的钝化膜和防反射膜。
21、进一步的，所述的形成正电极和负电极的方法还包括：在p+区印刷电极及烘干和烧结形成正电极；在n+区印刷电极及烘干和烧结形成负电极。
22、作为本申请的第二方面，本申请的一些实施例提供了一种太阳能电池组件，由上述的tbc太阳能电池的制造方法制备得到。
23、本申请一些实施例可能产生如下的具体有益效果：
24、1，在多晶硅局部区域用喷墨打印的方式，同时形成表面含有硼的浆料和表面含有硼的浆料的区域，同时进行烘干，有效的减少了生产步骤。
25、2，通过扩散等高温工艺形成p+poly区域、bsg层和n+poly区域、psg层，再使用碱性溶液进行制绒，形成正金字塔结构，提升光捕获能力、增强光吸收的同时，去除背面区域没有掺杂的多晶硅区域和氧化硅区域。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括，
2.根据权利要求1所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
6.根据权利要求1至5任意一项所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
10.根据权利要求1至5任意一项所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
11.根据权利要求1所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
12.根据权利要求11所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
13.根据权利要求12所述的TBC太
14.根据权利要求13所述的TBC太阳能电池的制造方法，其特征在于：
15.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括如权利要求1至14任意一项TBC太阳能电池的制造方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种tbc太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括，
2.根据权利要求1所述的tbc太阳能电池的制造方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的tbc太阳能电池的制造方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的tbc太阳能电池的制造方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的tbc太阳能电池的制造方法，其特征在于：
6.根据权利要求1至5任意一项所述的tbc太阳能电池的制造方法，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的tbc太阳能电池的制造方法，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的tbc太阳能电池的制造方法，其特征在于：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋怡潇，张满良，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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