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本发明公开了一种隧穿层钝化接触处理电池、电池组件及制备方法，应用于光电技术领域，该电池包括：硼扩散掺杂层、N型衬底、隧穿层和分层设置的掺杂钝化层，硼扩散掺杂层设置在N型衬底的一侧，隧穿层设置在N型衬底背向硼扩散掺杂层的一侧，掺杂钝化层设置在...
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