背接触太阳电池及生产方法、电池组件技术

本发明专利技术提供了一种背接触太阳电池及生产方法、电池组件，涉及太阳能电池技术领域。背接触太阳电池包括：电池基体；电池基体包括：硅基底，位于硅基底的背光面的第一区域的第一半导体层，层叠在第一半导体层的端部区域的阻挡层，层叠在阻挡层以及硅基底的背光面的第二区域的第二半导体层，以及层叠在第一半导体层、第二半导体层上的透明导电薄膜层；第一区域和第二区域紧邻排布；第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型不同；第二半导体层、透明导电薄膜层上开设有分隔槽；从远离硅基底向靠近硅基底的方向，分隔槽的截面的面积减小。具有更好的绝缘效果，入射在分隔槽各个位置的光线经过反射又到达硅基底上，使得照射到硅基底上的光强更强。强更强。强更强。

【技术实现步骤摘要】
背接触太阳电池及生产方法、电池组件


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种背接触太阳电池及生产方法、电池组件。

技术介绍

[0002]背接触太阳电池由于具有较高的开路电压，以及较高的短路电流，因此具有广阔的应用前景。
[0003]现有的背接触太阳电池中，不同掺杂类型的半导体层紧邻排布，容易导致电池短路。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种背接触太阳电池及生产方法、电池组件，旨在解决现有的背接触太阳电池中，存在短路的问题。
[0005]本专利技术的第一方面，提供一种背接触太阳电池，包括：
[0006]电池基体；所述电池基体包括：硅基底，位于所述硅基底的背光面的第一区域的第一半导体层，层叠在所述第一半导体层的端部区域的阻挡层，层叠在所述阻挡层以及所述硅基底的背光面的第二区域的第二半导体层，以及层叠在所述第一半导体层、所述第二半导体层上的透明导电薄膜层；所述第一区域和所述第二区域紧邻排布；所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型不同；
[0007]所述第二半导体层、所述透明导电薄膜层上开设有分隔槽；从远离所述硅基底向靠近所述硅基底的方向，所述分隔槽的截面的面积减小；所述分隔槽的截面与所述硅基底平行。
[0008]在本专利技术实施例中，第二半导体层、透明导电薄膜层上开设有分隔槽，将掺杂类型不同的第一半导体层、第二半导体层进行物理隔绝，具有更好的绝缘效果，避免了短路的问题。分隔槽的截面与硅基底平行，从远离硅基底向靠近硅基底的方向，分隔槽的截面的面积减小，进而从硅基底的向光面射入的光线可以入射在分隔槽的各个位置，入射在分隔槽各个位置的光线经过反射又到达硅基底上，使得照射到硅基底上的光强更强，得背接触太阳电池的发电功率增强、背接触太阳电池的光电转换效率增高，进一步增加了背接触太阳电池的开路电压和短路电流。
[0009]可选的，从远离所述硅基底向靠近所述硅基底的方向，所述分隔槽的截面的宽度减小；所述分隔槽的截面的宽度所在的方向，与所述第一区域和所述第二区域的排布方向平行。
[0010]可选的，所述透明导电薄膜层的折射率、所述第二半导体层的折射率，均大于所述阻挡层的折射率。
[0011]可选的，所述分隔槽中填充有绝缘材料。
[0012]可选的，所述绝缘材料具有透光性；所述绝缘材料从所述分隔槽中向远离所述硅
基底的方向凸出；从所述分隔槽中凸出的绝缘材料形成帽状结构，所述帽状结构包括帽檐部分和帽顶部分，所述帽檐部分的截面的面积，均大于所述帽顶部分的截面的面积；所述帽檐部分更靠近所述分隔槽；从远离所述硅基底向靠近所述硅基底的方向，所述帽檐部分的各个截面的面积增大；所述帽檐部分中靠近所述硅基底一端的截面的面积，大于或等于所述分隔槽中远离所述硅基底一端的截面的面积；所述截面均与所述硅基底平行。
[0013]可选的，所述帽檐部分的截面的宽度，均大于所述帽顶部分的截面的宽度；
[0014]从远离所述硅基底向靠近所述硅基底的方向，所述帽檐部分的各个截面的宽度增大；
[0015]所述帽檐部分中靠近所述分隔槽一端的截面的宽度，大于或等于所述分隔槽中远离所述硅基底一端的截面的宽度；
[0016]所述帽檐部分的截面的宽度所在的方向，与所述第一区域和所述第二区域的排布方向平行。
[0017]可选的，所述绝缘材料的折射率，小于所述阻挡层的折射率；所述阻挡层的折射率均小于所述透明导电薄膜层的折射率、所述第二半导体层的折射率。
[0018]可选的，所述绝缘材料的折射率为0.05
‑
1.7，所述透明导电薄膜层的折射率为1.86
‑
4.9，所述第二半导体层的折射率为1.86
‑
4.9，所述阻挡层的折射率为1.85
‑
2.1。
[0019]可选的，所述分隔槽包括：位于所述第二半导体层上的第一子槽体和位于所述透明导电薄膜层上的第二子槽体；
[0020]所述第一子槽体的槽壁包括：直线面，和/或，曲线面；
[0021]和/或，
[0022]所述第二子槽体的槽壁包括：直线面，和/或，曲线面。
[0023]可选的，所述第一子槽体的槽壁为直线面，所述第二子槽体的槽壁为直线面；所述第一子槽体的槽壁和所述第二子槽体的槽壁台阶状分布，或，所述第一子槽体的槽壁和所述第二子槽体的槽壁平滑过渡；
[0024]或，所述第一子槽体的槽壁为曲线面，所述第二子槽体的槽壁为曲线面；所述第一子槽体的槽壁的曲线面，和所述第二子槽体的槽壁的曲线面曲率相等。
[0025]可选的，所述绝缘材料与所述分隔槽的槽壁完全贴合。
[0026]可选的，所述绝缘材料包括：绝缘油墨，和/或，绝缘树脂。
[0027]可选的，所述电池基体还包括：位于所述阻挡层的背光面、以及所述硅基底的背光面的第二区域的第一钝化层，所述第一钝化层位于所述第二半导体层和所述硅基底之间；所述第一钝化层的折射率大于所述阻挡层的折射率；
[0028]所述分隔槽贯通所述第一钝化层、所述第二半导体层、所述透明导电薄膜层。
[0029]可选的，所述分隔槽靠近所述硅基底的一端的截面的宽度为10um
‑
80um，所述分隔槽远离所述硅基底的一端的截面的宽度为20um
‑
90um；
[0030]所述帽檐部分靠近所述硅基底的一端的截面的宽度为30um
‑
120um；
[0031]所述帽檐部分远离所述硅基底的一端的截面的宽度为20um
‑
110um；
[0032]所述分隔槽靠近所述硅基底的一端的截面平行于所述硅基底；
[0033]所述分隔槽靠近所述硅基底的一端的截面的宽度所在的方向，与所述第一区域和所述第二区域的排布方向平行。
[0034]可选的，所述背接触太阳电池还包括：第一电极和第二电极；
[0035]所述第一电极位于所述透明导电薄膜层上与所述第一半导体层相对的区域；
[0036]所述第二电极位于所述透明导电薄膜层上与所述第二半导体层相对的区域；
[0037]所述帽状结构位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述帽状结构远离所述硅基底的一端凸出于所述第一电极和第二电极。
[0038]可选的，所述帽状结构凸出于所述第一电极的高度为0.1um
‑
50um；
[0039]所述高度所在的方向和所述第一半导体层和所述硅基底的层叠方向平行。
[0040]可选的，所述阻挡层的高度为100
‑
500nm；所述高度所在的方向和所述第一半导体层和所述硅基底的层叠方向平行。
[0041]可选的，所述第一区域和所述第二区域不重叠。
[0042]可选的，所述硅基底为N型硅基底，所述第一半导体层为P型掺杂微晶硅层，所述第二半导体层为N+掺杂非晶硅层，所述阻挡层为氮化硅阻挡层，所述第一钝化层为非晶硅层。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳电池，其特征在于，包括：电池基体；所述电池基体包括：硅基底，位于所述硅基底的背光面的第一区域的第一半导体层，层叠在所述第一半导体层的端部区域的阻挡层，层叠在所述阻挡层以及所述硅基底的背光面的第二区域的第二半导体层，以及层叠在所述第一半导体层、所述第二半导体层上的透明导电薄膜层；所述第一区域和所述第二区域紧邻排布；所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型不同；所述第二半导体层、所述透明导电薄膜层上开设有分隔槽；从远离所述硅基底向靠近所述硅基底的方向，所述分隔槽的截面的面积减小；所述分隔槽的截面与所述硅基底平行。2.根据权利要求1所述的背接触太阳电池，其特征在于，从远离所述硅基底向靠近所述硅基底的方向，所述分隔槽的截面的宽度减小；所述分隔槽的截面的宽度所在的方向，与所述第一区域和所述第二区域的排布方向平行。3.根据权利要求1所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述透明导电薄膜层的折射率、所述第二半导体层的折射率，均大于所述阻挡层的折射率。4.根据权利要求1所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述分隔槽中填充有绝缘材料。5.根据权利要求4所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述绝缘材料具有透光性；所述绝缘材料从所述分隔槽中向远离所述硅基底的方向凸出；从所述分隔槽中凸出的绝缘材料形成帽状结构，所述帽状结构包括帽檐部分和帽顶部分，所述帽檐部分的截面的面积，均大于所述帽顶部分的截面的面积；所述帽檐部分更靠近所述分隔槽；从远离所述硅基底向靠近所述硅基底的方向，所述帽檐部分的各个截面的面积增大；所述帽檐部分中靠近所述硅基底一端的截面的面积，大于或等于所述分隔槽中远离所述硅基底一端的截面的面积；所述截面均与所述硅基底平行。6.根据权利要求5所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述帽檐部分的截面的宽度，均大于所述帽顶部分的截面的宽度；从远离所述硅基底向靠近所述硅基底的方向，所述帽檐部分的各个截面的宽度增大；所述帽檐部分中靠近所述分隔槽一端的截面的宽度，大于或等于所述分隔槽中远离所述硅基底一端的截面的宽度；所述帽檐部分的截面的宽度所在的方向，与所述第一区域和所述第二区域的排布方向平行。7.根据权利要求5所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述绝缘材料的折射率，小于所述阻挡层的折射率；所述阻挡层的折射率均小于所述透明导电薄膜层的折射率、所述第二半导体层的折射率。8.根据权利要求7所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述绝缘材料的折射率为0.05
‑
1.7，所述透明导电薄膜层的折射率为1.86
‑
4.9，所述第二半导体层的折射率为1.86
‑
4.9，所述阻挡层的折射率为1.85
‑
2.1。9.根据权利要求1
‑
8中任一所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述分隔槽包括：位于所述第二半导体层上的第一子槽体和位于所述透明导电薄膜层上的第二子槽体；所述第一子槽体的槽壁包括：直线面，和/或，曲线面；和/或，
所述第二子槽体的槽壁包括：直线面，和/或，曲线面。10.根据权利要求9所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述第一子槽体的槽壁为直线面，所述第二子槽体的槽壁为直线面；所述第一子槽体的槽壁和所述第二子槽体的槽壁台阶状分布，或，所述第一子槽体的槽壁和所述第二子槽体的槽壁平滑过渡；或，所述第一子槽体的槽壁为曲线面，所述第二子槽体的槽壁为曲线面；所述第一子槽体的槽壁的曲线面，和所述第二子槽体的槽壁的曲线面曲率相等。11.根据权利要求4
‑
8中任一所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述绝缘材料与所述分隔槽的槽壁完全贴合。12.根据权利要求4
‑
8中任一所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐喜颜，方亮，
申请(专利权)人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：