一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用技术

本发明专利技术涉及电路基板技术领域，具体提供一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用。聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法包括如下步骤：制备PFA基薄膜；制备PTFE基薄膜，PTFE基薄膜由炭黑与PTFE混合材料制成；将PFA基薄膜与PTFE基薄膜热压，得到PFA

【技术实现步骤摘要】
一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及电路基板
，具体提供一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用。

技术介绍

[0002]随着高频通信行业的快速发展，对覆铜板的性能有了更高的要求，覆铜板应具备如下几个重要的性能：较低的介电常数(Dk)、更好的耐热性能及更高的强度，以保证信号的完整性和可靠性，并延长覆铜板的使用寿命。
[0003]聚四氟乙烯(PTFE)树脂作为完全对称无支链线的高分子材料，有低的介电常数及介质损耗，已成为高频覆铜板选用的典型树脂。然而，PTFE的自润滑特性、极低的表面能和化学惰性，使其难以与其他材料粘结，使其在覆铜板行业的应用受到了限制。
[0004]目前聚四氟乙烯基覆铜板无法同时具有较低的介电常数、更好的耐热性能及更高的强度。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是：提供一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法及应用，以进一步降低聚四氟乙烯基覆铜板的介电常数，并使聚四氟乙烯覆铜板有更好的耐热性能及更高的强度。
[0006]本专利技术提供的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法包括如下步骤：制备PFA基薄膜，其中，所述PFA基薄膜包括两层，一层为PFA与二氧化硅的混合材料，一层为二氧化硅；制备PTFE基薄膜，所述PTFE基薄膜由炭黑与PTFE混合材料制成；将所述PFA基薄膜与所述PTFE基薄膜热压，得到PFA
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PTFE复合薄膜，其中，所述PTFE基薄膜与所述PFA基薄膜中第一侧相连，所述第一侧为所述PFA与所述二氧化硅的混合材料一侧；将所述PFA
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PTFE复合薄膜中所述二氧化硅一侧的表面处理，使所述二氧化硅一侧的表面呈多孔状；将铜箔、所述PFA
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PTFE复合薄膜、玻纤板热压，得到聚四氟乙烯基覆铜板。
[0007]优选地，所述制备PFA基薄膜包括如下步骤：将所述二氧化硅粉末与PFA粉末混合，得到混合料A，然后依次铺设所述混合料A与二氧化硅粉末，并将铺设后的所述混合料A与所述二氧化硅粉末高温烧结，得到所述PFA基薄膜。使PFA基薄膜一侧为混合料A，一侧为二氧化硅，在聚四氟乙烯基覆铜板产品中，PFA基薄膜混合料A一侧与FTFE基薄膜连接，由于PFA中包含聚四氟乙烯，因此混合料A一侧与FTFE基薄膜连接紧密度较高，可以提高聚四氟乙烯基覆铜板的剥离强度。
[0008]优选地，所述混合料A与所述二氧化硅粉末高温烧结的温度为320
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350℃，压力为常压。
[0009]优选地，所述混合料A中，所述二氧化硅与所述PFA的质量比为1：4
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6；混合料A中，二氧化硅在该比例下可以降低介电常数，若二氧化硅比例低于或高于该比例，则介电常数均可能升高。
[0010]所述PFA基薄膜中，所述二氧化硅与所述混合料A的质量比为1：5
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7。若二氧化硅低于或高于该比例，则有可能使聚四氟乙烯基覆铜板的强度降低。
[0011]优选地，制备PTFE基薄膜包括如下步骤：将所述炭黑粉末与PTFE粉末混合，得到混合料B，将所述混合料B在高温下烧结，得到所述PTFE基薄膜.。炭黑粉末可以降低介电常数，且可以提高耐热性，若不加入炭黑粉末，则有可能使聚四氟乙烯基覆铜板的介电常数增高，介电损耗增大并降低聚四氟乙烯基覆铜板的耐热性。
[0012]优选地，所述高温烧结过程分为两段升温烧结，一段保温烧结，然后自然降至室温。本专利技术两段高温烧结可以提高聚四氟乙烯基覆铜板的耐热性及抗张强度。
[0013]优选地，一段升温烧结参数为：将温度从室温升温到250
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300℃，升温速率55
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70℃/h，压强为12
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20MPa；二段升温烧结参数为：将温度从250
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300℃升温到320
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360℃，升温速率40
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50℃/h，压强为8
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12MPa；保温烧结参数为：在320
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360℃，压强为10
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15MPa的条件下保温8
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12min。
[0014]优选地，所述PFA基薄膜与PTFE基薄膜热压的热压参数为：在350
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400℃、8
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12MPa下热压90
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120min。
[0015]优选地，将PFA
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PTFE复合薄膜中二氧化硅一侧的表面通过机械法打磨平整，去掉表皮，露出二氧化硅颗粒；将所述二氧化硅颗粒裸露的所述PFA
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PTFE复合薄膜涂敷酸腐蚀溶液，使得表面的所述二氧化硅颗粒溶解，获得带有一侧表面为多孔二氧化硅的PFA
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PTFE复合薄膜；将所述PFA
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PTFE复合薄膜带有多孔二氧化硅的一侧用氮气吹扫。本专利技术中将二氧化硅处理成多孔二氧化硅，提升了二氧化硅与铜箔的物理接触，进而提升了聚四氟乙烯基覆铜板的强度。
[0016]优选地，铜箔、所述PFA
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PTFE复合薄膜、玻纤板热压的参数为：在30
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50℃、180
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220MPa下热压100
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150min。
[0017]本专利技术还提供上述聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法制得的产品在电路基板中的应用。
[0018]本专利技术与现有技术相比，具有以下有益效果：1）本专利技术采用铜箔、PFA、PTFE作为主要原料制备了一种聚四氟乙烯基覆铜板，所制得的聚四氟乙烯覆铜板具有较低的介电常数，且具备较好的耐热性能及更高的强度，可以保证使用时的信号完整性及可靠性，且由于具备更好的耐热性能及力学性能，聚四氟乙烯基覆铜板的使用寿命更长。
[0019]2）本专利技术提供的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法的主要工艺为高温烧结及热压工艺，工艺简单，涉及设备较少，对操作人员要求较低，在提高效率的同时降低了生产成本。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种聚四氟乙烯基覆铜板的结构示意图；其中，1
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铜箔；2
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PFA；3
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PTFE；4
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玻纤板。
具体实施方式
[0021]以下结合实施例对本专利技术作进一步描述。
[0022]本专利技术实施例的部分原料说明及来源如下：PTFE：聚四氟乙烯，由四氟乙烯经聚合而成的高分子化合物，来自陶氏化学。
[0023]PFA：少量全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物，来自陶氏化学。
[0024]玻纤板：FP
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4玻璃纤维板，来自陶氏化学。
[0025]实施例1，如图1所示，本实施例提供一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法，包括如下步骤：1）PFA基薄膜制备将10份（质量）粒径尺寸为0.1μm的二氧化硅粉末与50份（质量）PFA粉末研磨混合均匀，得到混合料A，然后依次铺设混合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）制备PFA基薄膜，其中，所述PFA基薄膜包括两层，一层为PFA与二氧化硅的混合材料，一层为二氧化硅；2）制备PTFE基薄膜，所述PTFE基薄膜由炭黑与PTFE混合材料制成；3）将所述PFA基薄膜与所述PTFE基薄膜热压，得到PFA
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PTFE复合薄膜，其中，所述PTFE基薄膜与所述PFA基薄膜中第一侧相连，所述第一侧为所述PFA与所述二氧化硅的混合材料一侧；4）将所述PFA
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PTFE复合薄膜中所述二氧化硅一侧的表面处理，使所述二氧化硅一侧的表面呈多孔状；5）将铜箔、所述PFA
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PTFE复合薄膜、玻纤板热压，得到聚四氟乙烯基覆铜板。2.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法，其特征在于，所述制备PFA基薄膜包括如下步骤：将所述二氧化硅粉末与PFA粉末混合，得到混合料A，然后按顺序铺设所述混合料A与二氧化硅粉末，并将铺设后的所述混合料A与所述二氧化硅粉末高温烧结，得到所述PFA基薄膜。3.根据权利要求2所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法，其特征在于，所述混合料A中，所述二氧化硅与所述PFA的质量比为1：4
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6；所述PFA基薄膜中，所述二氧化硅与所述混合料A的质量比为1：5
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7。4.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法，其特征在于，制备所述PTFE基薄膜包括如下步骤：将所述炭黑粉末与PTFE粉末混合，得到混合料B，将所述混合料B在高温下烧结，得到所述PTFE基薄膜。5.根据权利要求4所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法，其特征在于，所述高温烧结过程分为两段升温烧结，一段保温烧结，然后自然降至室温。6.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法，其特征在于，一段升温烧结参数为：将温度从室温升温到250
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300℃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，
申请(专利权)人：山东森荣新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：