PTFE陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法技术

本发明专利技术属于复合介质基板制备技术领域，具体的涉及一种PTFE陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法。所述制备方法由以下步骤组成：向预处理的聚四氟乙烯乳液中加入Al2(SO4)3改性TiO2、球硅浆料、偶联剂以及聚乙烯醇缩丁醛进行搅拌混合，然后加入聚丙烯酸调节反应体系的粘度为1800‑2000mPa·s，制备得到浆料，将浆料涂覆于基带上，经低温固化和高温烧结制备得到介质层，最后将介质层从基带上剥离，收卷并分切，两面覆以铜箔进行高温压合，冷却至室温制备得到PTFE陶瓷浆料基复合介质基板。采用该方法制备得到的复合介质基板能够同时满足高固含量、电学性能和低热膨胀系数的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于复合介质基板制备，具体的涉及一种ptfe陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法。

技术介绍

1、随着电子信息产业的迅猛发展，印制电路板（pcb）已成为大多数电子产品的主要组成部件，这使得作为pcb基板的覆铜板（copper clad laminates，ccl）也得到了蓬勃发展。ccl在pcb上主要承担导电、绝缘和支撑三方面的作用，决定pcb的机械强度、加工性能、耐热性以及dk/df等。

2、高频基板材料一般由聚合物基体、无机填料和支撑材料组成。其中，无机填料一般选用陶瓷粉，陶瓷粉的高填充量可有效改善复合介质基板的热膨胀系数，但过高的填充量使得浆料的均匀性受限，且现有的制备工艺无法使得制备的基板同时具有高固含量、优异的电学性能以及低热膨胀系数，此外，还存在生产效率低下的问题。因此，有必要探索一种新型的ptfe陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是：提供一种ptfe陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法。采用该方法制备得到的复合介质基板能够同时满足高固含量、电学性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种PTFE陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法，其特征在于：由以下步骤组成：向预处理的聚四氟乙烯乳液中加入Al2(SO4)3改性TiO2、球硅浆料、偶联剂以及聚乙烯醇缩丁醛进行搅拌混合，然后加入聚丙烯酸调节反应体系的粘度为1800-2000mPa·s，制备得到浆料，将浆料涂覆于基带上，经低温固化和高温烧结制备得到介质层，最后将介质层从基带上剥离，收卷并分切，两面覆以铜箔进行高温压合，冷却至室温制备得到PTFE陶瓷浆料基复合介质基板；其中：Al2(SO4)3改性TiO2与球硅浆料的质量比为1:5.5-10。

2.根据权利要求1所述的PTFE陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种ptfe陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法，其特征在于：由以下步骤组成：向预处理的聚四氟乙烯乳液中加入al2(so4)3改性tio2、球硅浆料、偶联剂以及聚乙烯醇缩丁醛进行搅拌混合，然后加入聚丙烯酸调节反应体系的粘度为1800-2000mpa·s，制备得到浆料，将浆料涂覆于基带上，经低温固化和高温烧结制备得到介质层，最后将介质层从基带上剥离，收卷并分切，两面覆以铜箔进行高温压合，冷却至室温制备得到ptfe陶瓷浆料基复合介质基板；其中：al2(so4)3改性tio2与球硅浆料的质量比为1:5.5-10。

2.根据权利要求1所述的ptfe陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法，其特征在于：偶联剂为阳离子苯乙烯基氨基官能硅烷。

3.根据权利要求1所述的ptfe陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法，其特征在于：球硅浆料的制备方法，由以下步骤组成：将去离子水和三聚磷酸钠混合均匀，然后于500r/min的搅拌转速下加入球形二氧化硅微粉，加入完毕后于1000r/min的搅拌转速下分散10min得到水悬浮液，将此水悬浮液在砂磨机中砂磨40min，最后超声分散10min，制备得到球硅浆料。

4.根据权利要求3所述的ptfe陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法，其特征在于：三聚磷酸钠的质量占去离子水质量的4.5%；

5.根据权利要求1所述的ptfe陶瓷浆料基复合介质基板的制备方法，其特征在于：al2(so4)3改性tio2的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，
申请(专利权)人：山东森荣新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：