铁电记忆体装置、半导体结构及其形成方法制造方法及图纸

本揭露是关于一种铁电记忆体装置、半导体结构及其形成方法，铁电记忆体装置包括底部电极、上覆底部电极的铁电结构、及上覆铁电结构的顶部电极，其中底部电极包括钼。其中底部电极包括钼。其中底部电极包括钼。

【技术实现步骤摘要】
铁电记忆体装置、半导体结构及其形成方法


[0001]本揭露关于铁电记忆体装置、半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]许多现代电子装置含有用以储存数据的电子记忆体。电子记忆体可是挥发性记忆体或非挥发性记忆体。挥发性记忆体在通电时储存数据，而非挥发性记忆体能够在断电时储存数据。铁电随机存取记忆体(ferroelectric random
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access memory，FRAM)装置是下一代非挥发性记忆体技术的一个潜在候选装置。这是因为FRAM装置提供许多优点，包括快速写入时间、高耐久性、低功耗、及对辐射损伤的低敏感性。

技术实现思路

[0003]根据本揭露的一些实施例，一种铁电记忆体装置包含一底部电极、一铁电结构以及一顶部电极。铁电结构上覆于底部电极。顶部电极上覆于铁电结构，其中底部电极包含钼。
[0004]根据本揭露的一些实施例，一种半导体结构包含一半导体基板、一存取装置以及一互连结构。存取装置上覆于半导体基板并部分地由半导体基板形成。互连结构上覆于并电耦合至存取装置，其中互连结构包含金属层与连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铁电记忆体装置，其特征在于，包含：一底部电极；一铁电结构，上覆于该底部电极；及一顶部电极，上覆于该铁电结构，其中该底部电极包含钼。2.如权利要求1所述的铁电记忆体装置，其特征在于，该底部电极基本上由钼组成。3.如权利要求2所述的铁电记忆体装置，其特征在于，该顶部电极基本上由钼组成。4.如权利要求2所述的铁电记忆体装置，其特征在于，该顶部电极不含钼。5.如权利要求2所述的铁电记忆体装置，其特征在于，该顶部电极包含氮化钛、铂、铝铜、金、钛、钽、氮化钽、或钨、氮化钨。6.如权利要求1所述的铁电记忆体装置，其特征在于，该铁电结构直接接触该底部电极及该顶部电极。7.如权利要求1所述的铁电记忆体装置，其特征在于，该底部电极具有一U形轮廓。8.如权利要求7所述的铁电记忆体装置，其特征在于，该铁电结构及该顶部电极围绕该底部电极的一顶部边缘包覆。9.一种半导体结构，其特征在于，包含：一半导体基板；一存取装置，上覆于该半导体基板并部分地由该半导体基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄学理，张富宸，陈姿妤，石昇弘，涂国基，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：