本发明专利技术提供一种显示装置，包括发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包括基板、多个第一接垫、第二接垫以及多个发光二极管。基板包括多个第一通孔以及第二通孔。第一接垫以及第二接垫分别填入第一通孔以及第二通孔中。第一接垫自基板的顶面沿着第一通孔的侧壁连续地延伸至基板的底面。第二接垫自基板的顶面沿着第二通孔的侧壁连续地延伸至基板的底面。发光二极管设置于基板的顶面上。各发光二极管电性连接至第二接垫以及对应的第一接垫。性连接至第二接垫以及对应的第一接垫。性连接至第二接垫以及对应的第一接垫。
【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本专利技术涉及一种显示装置。
技术介绍
[0002]发光二极管是一种电致发光的半导体元件，具有效率高、寿命长、不易破损、反应速度快、可靠性高等优点。随着大量的时间与金钱的投入，发光二极管的尺寸逐年缩小，然而，要将发光二极管使用于发光装置的像素结构中仍有困难，尤其是在单个像素就具有红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素的发光装置中，单个子像素的尺寸很小，不论是在制造符合小尺寸子像素的发光二极管或是在转移所述发光二极管时都有工艺良率低的问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种显示装置，能改善发光二极管封装结构容易在工艺中受损的问题。本专利技术的至少一实施例提供一种显示装置。显示装置包括发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包括基板、多个第一接垫、第二接垫以及多个发光二极管。基板包括多个第一通孔以及第二通孔。第一接垫填入第一通孔中。第一接垫自基板的顶面沿着第一通孔的侧壁连续地延伸至基板的底面。第一通孔的侧壁上的第一接垫与基板的底面之间的夹角为锐角。第二接垫填入第二通孔中。第二接垫自基板的顶面沿着第二通孔的侧壁连续地延伸至基板的底面。在第二通孔的侧壁上的第二接垫与基板的底面之间的夹角为锐角。发光二极管设置于基板的顶面上。各发光二极管电性连接至第二接垫以及对应的第一接垫。
[0004]本专利技术的至少一实施例提供一种显示装置。显示装置包括发光二极管封装结构以及薄膜电晶体基板。发光二极管封装结构包括基板、多个接垫以及多个发光二极管。基板包括多个通孔。接垫填入通孔中。接垫的至少一个自基板的顶面沿着通孔的至少一个的侧壁连续地延伸至基板的底面。在通孔的至少一个的侧壁上的接垫的至少一个与基板的底面之间的夹角为锐角。发光二极管设置于基板的顶面上。各发光二极管电性连接至对应的接垫。发光二极管封装结构的接垫电性连接至薄膜电晶体基板。
附图说明
[0005]图1A至图4A是依照本专利技术的一对照组的一种发光二极管封装结构的制造方法的剖面示意图。
[0006]图1B至图4B分别是图1A至图4A的发光二极管封装结构的制造方法的俯视示意图。
[0007]图5至图7是依照本专利技术的一对照组的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。
[0008]图8A至图11A是依照本专利技术的一实施例的一种发光二极管封装结构的制造方法的剖面示意图。
[0009]图8B至图11B分别是图8A至图11A的发光二极管封装结构的制造方法的俯视示意图。
[0010]图12至图13是依照本专利技术的一对照组的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。
[0011]图14A至图16A是依照本专利技术的一实施例的一种发光二极管封装结构的制造方法的剖面示意图。
[0012]图14B至图16B分别是图14A至图16A的发光二极管封装结构的制造方法的俯视示意图。
[0013]图17至图18是依照本专利技术的一对照组的一种显示装置的制造方法的剖面示意图。
[0014]其中附图标记说明如下：
[0015]1,2,3:显示装置
[0016]10,20,30:发光二极管封装结构
[0017]100:载板
[0018]110:剥离层
[0019]120:保护层
[0020]212:第一接垫
[0021]212s,222s,224s:侧壁
[0022]214:第二接垫
[0023]220:基板
[0024]220b:底面
[0025]220t:顶面
[0026]222:第一通孔
[0027]224:第二通孔
[0028]232:第一连接线
[0029]234:第二连接线
[0030]240,240V:发光二极管
[0031]242:第一电极
[0032]244:第二电极
[0033]246:半导体堆叠层上
[0034]250:遮光层
[0035]252:开口
[0036]300:导电连接结构
[0037]400:薄膜电晶体基板
[0038]410:接垫
[0039]D1:第一方向
[0040]DT:距离
[0041]L1,L2:长度
[0042]ND:法线方向
[0043]SW,W1,W2:宽度
[0044]SZ:尺寸
[0045]θ1,θ2:夹角
具体实施方式
[0046]图1A至图4A是依照本专利技术的一对照组的一种发光二极管封装结构的制造方法的剖面示意图。图1B至图4B分别是图1A至图4A的发光二极管封装结构的制造方法的俯视示意图，其中图1A至图4A对应了图1B至图4B中线A
‑
A
’
的位置。请参考图1A与图1B，提供载板100，并于载板100上形成剥离层110。
[0047]可选择地形成保护层120于剥离层110上。形成多个第一接垫212以及第二接垫214于保护层120上。第一接垫212以及第二接垫214彼此分离。形成第一接垫212以及第二接垫214的方法包括：首先，整面地沉积第一导电层于保护层120上。接着，通过光刻工艺以及蚀刻工艺而图案化上述第一导电层，以形成第一接垫212以及第二接垫214。在对照组中，第一接垫212的长度L1与宽度W1以及第二接垫214的长度L2与宽度W2皆为45微米。
[0048]请参考图2A与图2B，形成基板220于保护层120上。基板220具有多个第一通孔222以及第二通孔224。第一通孔222分别重叠于对应的一个第一接垫212，且第二通孔224重叠于对应的一个第二接垫214。在对照组中，第一通孔222的尺寸SZ以及第二通孔224的尺寸SZ皆为20微米。
[0049]在对照组中，第一接垫212以及第二接垫214各自的底面的宽度略大于顶面的宽度，换句话说第一接垫212以及第二接垫214皆具有下宽上窄的结构。第一接垫212的侧壁212s与基板220的底面220b之间的夹角θ1为钝角，且第二接垫214的侧壁(图2A未示出)与基板220的底面220b之间的夹角为钝角。
[0050]在对照组中，第一接垫212与第二接垫214分别位于第一通孔222以及第二通孔224的底部，且第一接垫212与第二接垫214并未覆盖第一通孔222的侧壁以及第二通孔224的侧壁。
[0051]在对照组中，为了使多个第一通孔222之间及第一通孔222与第二通孔224之间有足够的布线空间，多个第一通孔222之间的距离DT以及第一通孔222与第二通孔224之间的距离DT大于或等于70微米。在对照组中，为了提供足够的布线空间，基板220的宽度SW为175微米。
[0052]请参考图3A与图3B，形成多个第一连接线232以及第二连接线234于基板220的顶面220t上。第一连接线232填入第一通孔222并连接至第一接垫212，且第二连接线234填入第二通孔224并连接至第二接垫212。
[0053]形本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：一发光二极管封装结构，包括：一基板，包括多个第一通孔以及一第二通孔；多个第一接垫，填入所述多个第一通孔中，其中所述多个第一接垫自该基板的顶面沿着所述多个第一通孔的侧壁连续地延伸至该基板的底面，其中在所述多个第一通孔的侧壁上的所述多个第一接垫与该基板的底面之间的夹角为锐角；一第二接垫，填入该第二通孔中，其中该第二接垫自该基板的顶面沿着该第二通孔的侧壁连续地延伸至该基板的底面，其中在该第二通孔的侧壁上的该第二接垫与该基板的底面之间的夹角为锐角；以及多个发光二极管，设置于该基板的顶面上，其中各该发光二极管电性连接至该第二接垫以及对应的该第一接垫。2.如权利要求1所述的显示装置，还包括：一薄膜电晶体基板，其中该发光二极管封装结构的所述多个第一接垫以及该第二接垫电性连接至该薄膜电晶体基板。3.如权利要求2所述的显示装置，其中所述多个第一接垫通过多个导电连接结构而电性连接至该薄膜电晶体基板，且其中所述多个第一通孔具有上宽下窄的结构，且所述多个第一接垫与所述多个导电连接结构之间的接触面积等于所述多个第一通孔的底面面积。4.如权利要求1所述的显示装置，其中该发光二极管封装结构包括三个第一接垫，且所述多个第一接垫排成一列。5.如权利要求1所述的显示装置，还包括：一遮光层，填入所述多个第一通孔以及该第二通孔。6.如权利要求1所述的显示装置，其中相邻的所述多个第一通孔之间的距离为30微米至35微米。7.如权利要求1所述的显示装置，其中所述多个第一接垫的最底面以及该第二接垫的最底面对齐该基板的底面。8.如权利要求1所述的显示装置，其中各该发光二极管包括一半导体堆叠层以及位于该半导体堆叠层上的一第一电极与一第二电极，该第一电极以及该第二电极位于该发光二极管的同一侧，且其中该第一电极电性连接至对应...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹之筑，孙硕阳，谢昊伦，李啸澐，张于浩，陈富扬，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。