【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种掺杂技术，特别是。
技术介绍
为了改善二氧化钕纳米管阵列的光电性质，常采用掺杂的方法，在纳 米管阵列上进行金属掺杂、非金属掺杂或者金属和非金属的共掺杂。目前 己知的掺杂方法有离子注入法、化学气相沉积法和溶液中浸泡再煅烧法。 前两种掺杂方法均需要昂贵的设备，而后者的浸泡时间较长， 一般需l-2 天，生产效率低，而且掺杂量也不理想。
技术实现思路
-本专利技术的目的是提供一种成本低、掺杂效率高的二氧化钛纳米管阵列 惨杂方法。本专利技术的技术解决方案是一种， 其特征有下列工序将待惨杂的二氧化钛纳米管阵列和铂电极置于电解槽 内，直流电源的正极和负极分别与上述铂电极和二氧化钛纳米管阵列连接， 直流电源的电压不大于10V，上述电解液为含NH4+的盐溶液或者含金属离子和NH/的混合盐溶液。含NH/盐溶液中NH/的浓度为0. 1-0. 2 mol/L。金属 离子和NH4+离子混合盐溶液中的金属离子浓度和NH/浓度分别为大于零而 小于0.2 mol/L。金属离子为过渡金属离子或稀土元素离子。本专利技术与现 有技术比较具有实施费用低、操作方便和掺杂效率高等显著优点。 附图说明附图为本专利技术二氧化钛纳米管阵列掺杂用电沉积设备示意图。 具体实施例方式实施例l.制备氮掺杂二氧化钛纳米管阵列的方法将待掺杂的二氧化钛纳米管阵列做阴极3置于电解槽1内，阳极4为 铂电极，直流电源的正极和负极分别与电解槽内的阳极和阴极连接，电源 电压在10V以下，电解液2为含丽4+的盐溶液，丽4+的含量为0. 1-0. 2 mol/L。沉积1小时后，将二氧化钛纳米管阵列置于马弗炉内...
【技术保护点】
一种二氧化钛纳米管阵列掺杂方法，其特征有下列工序：（１）将待掺杂的二氧化钛纳米管阵列和铂电极置于电解槽内，直流电源的正极和负极分别与上述铂电极和二氧化钛纳米管阵列连接，直流电源的电压不大于１０Ｖ，上述电解液为含ＮＨ↓［４］↑［＋］的盐溶液或者含金属离子和ＮＨ↓［４］↑［＋］的混合盐溶液。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国光，刘海津，
申请(专利权)人：河南师范大学，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]
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