半导体制造装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体制造装置，包括壳体和承载机构，壳体具有工作腔；承载机构具有设置在工作腔底部的承载盘和设置在承载盘上的若干调节件；承载盘朝向工作腔的一侧具有承载面，调节件具有朝工作腔方向突伸出承载面的支撑端，调节件可活动的安装固定在承载盘上以调节支撑端突伸出承载面的高度；承载机构上设置有加热单元。本实施例中通过调节件的设置能够调整晶圆在支撑定位后距离承载面的高度，从而在出现显影不良的时候及时的调整，能够根据晶圆不同部位的实际受热情况及时的进行调整，以使晶圆的光刻胶膜更均匀的受热，从而避免后续工艺的显影不良。而避免后续工艺的显影不良。而避免后续工艺的显影不良。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置


[0001]本技术涉及半导体加工
，特别是一种半导体制造装置。

技术介绍

[0002]在芯片封装的过程中需要对芯片的焊盘进行重新布置，因此需要用到再布线工艺以生成再布线结构，在再布线工艺过程中需要在介电层中形成与芯片的焊盘电性连接的图案化金属层。
[0003]曝光显影是生成图案化金属层的关键步骤，在曝光显影前需要在晶圆的表面涂覆光敏材料的光刻胶并形成光刻胶膜。在通过涂胶工序形成光刻胶膜后,使用曝光设备(步进式光刻机使光穿过包含电路图形的光罩,将电路印在晶圆上。这个过程叫做“曝光”。曝光完成后将曝光后的光刻胶膜清洗掉这个过程称为“显影”，显影后形成的开窗内生成图案化金属层。
[0004]为了获得更高质量的图案化金属层,光刻胶膜一般薄且均匀，现有技术中的光刻胶膜一般设置都在5μm厚，现有技术中发现在对这种高质量图案化金属层的制造过程中经常容易出现显影不良的问题，显影不良后会影响最终的图案化金属层的品质，严重的会使晶圆中大面积的出现废品。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种半导体制造装置，以解决现有技术中的不足，它通过调节件的设置能够调整晶圆在支撑定位后距离承载面的高度，从而在出现显影不良的时候及时的调整，能够根据晶圆不同部位的实际受热情况及时的进行调整，以使晶圆的光刻胶膜更均匀的受热，从而避免后续工艺的显影不良。
[0006]本技术提供的半导体制造装置，包括
[0007]壳体，具有工作腔；
[0008]承载机构，具有设置在所述工作腔底部的承载盘和设置在所述承载盘上的若干调节件；所述承载盘朝向所述工作腔的一侧具有承载面，所述调节件具有朝工作腔方向突伸出所述承载面的支撑端，所述调节件可活动的安装固定在所述承载盘上以调节所述支撑端突伸出承载面的高度；所述承载机构上设置有加热单元。
[0009]进一步的，所述调节件至少设置有三个，所述调节件距离所述承载盘的中心距离相等。
[0010]进一步的，所述调节件设置有三个，三个所述调节件呈等边三角形排布。
[0011]进一步的，所述调节件包括调节螺杆，所述承载盘上设置有与所述调节螺杆相适配的螺纹孔。
[0012]进一步的，所述加热单元加热所述承载盘以向外释放热量，所述承载盘为金属件。
[0013]进一步的，所述承载机构还具有自所述承载面向工作腔方向突伸的定位环，所述调节件设置在所述定位环内。
[0014]进一步的，所述承载机构还具有活动设置在所述承载盘上的顶针，所述顶针具有突伸出所述承载面的顶出状态和收容在承载面以下的收容状态；所述顶针至少设置有三个。
[0015]进一步的，所述半导体制造装置还包括：
[0016]辅助热源，设置在所述承载机构的上方；
[0017]气流驱动机构，具有与所述工作腔连通的风道和驱动气流从工作腔朝风道流动的驱动件。
[0018]进一步的，所述辅助热源具有板状结构，在竖向方向上，所述辅助热源与所述承载盘位置相对且所述辅助热源的尺寸不小于所述承载机构的尺寸。
[0019]进一步的，所述辅助热源包括蓄热盘，所述蓄热盘为金属件；
[0020]所述蓄热盘固定在所述壳体上并位于所述工作腔的顶部；
[0021]蓄热盘具有若干与所述风道连通的分风风道，所述分风风道具有设置在所述蓄热盘朝向所述承载机构一侧的分风道进口；
[0022]所述气流驱动机构具有设置在所述壳体外的风道壳体，所述风道设置在所述风道壳体内，所述风道同时与若干所述分风风道连通；
[0023]所述蓄热盘具有本体部、设置在本体部内的过渡腔和设置在本体部顶壁并向外暴露所述过渡腔的蓄热盘开口，所述分风风道设置在所述本体部的底壁并沿竖向方向贯穿所述底壁，所述风道的进口与所述蓄热盘开口位置相对；
[0024]所述蓄热盘开口设置在所述蓄热盘顶壁的中心位置。
[0025]与现有技术相比，本实施例中通过调节件的设置能够调整晶圆在支撑定位后距离承载面的高度，相比于现有技术中晶圆直接贴附在承载面上能够根据实际需要调整晶圆不同位置距离承载面的距离，从而在出现显影不良的时候及时的调整，根据晶圆不同部位的实际受热情况及时的进行调整，以使晶圆的光刻胶膜更均匀的受热，从而避免后续工艺的显影不良。
附图说明
[0026]图1是本技术实施例公开的半导体制造装置的第一结构示意图；
[0027]图2是本技术实施例公开的半导体制造装置的第二结构示意图；
[0028]图3是本技术实施例公开的半导体制造装置中辅助热源的结构示意图；
[0029]图4是本技术实施例公开的半导体制造装置中承载盘的内部结构示意图；
[0030]图5是本技术实施例公开的半导体制造装置中气流循环机构的结构示意图；
[0031]图6是本技术实施例公开的半导体制造装置中承载机构的结构示意图；
[0032]图7是本技术实施例公开的半导体制造装置中承载机构的主视图；
[0033]图8是本技术实施例公开的半导体制造装置中调节件的结构示意图；
[0034]附图标记说明：1
‑
壳体，10
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工作腔，
[0035]2‑
承载机构，21
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承载盘，210
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承载面，22
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调节件，221
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支撑端，23
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定位环，24
‑
顶针，
[0036]3‑
辅助热源，31
‑
蓄热盘，310
‑
分风风道，311
‑
分风道进口，312
‑
过渡腔，313
‑
蓄热盘开口，
[0037]4‑
气流驱动机构，40
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风道，41
‑
风道壳体。
具体实施方式
[0038]下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
[0039]本技术的实施例：公开了一种半导体制造装置，该半导体制造装置作为加热装置，可以用于固化光刻胶也可以用于湿加工过过后的烘烤去水汽。在半导体的制造过程中，使用的涂胶机、显影机等机台不可避免会用到烘烤装置，如在芯片封装的过程中需要将晶圆置于烘烤装置中，通过加热装置的适当温度将晶圆上的光刻胶体等进行物理或者化学性的转变，例如，热固化。同样在制造过程中当经历过湿加工后如在经历过水洗、槽体浸泡等液体后都需要去水汽，此时需要加热装置对晶圆烘烤从而去除水分以便于下一步工艺操作。
[0040]在本实施例以封装过后对光刻胶膜的加热固化为例展开描述，如图1
‑
8所示，本技术实施例公开的半导体制造装置包括壳体1、承载机构2、辅助热源3和气流驱动机构4；所述壳体1具有工作腔10，在对晶圆进行加热烘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置，其特征在于，包括壳体，具有工作腔；承载机构，具有设置在所述工作腔底部的承载盘和设置在所述承载盘上的若干调节件；所述承载盘朝向所述工作腔的一侧具有承载面，所述调节件具有朝工作腔方向突伸出所述承载面的支撑端，所述调节件可活动的安装固定在所述承载盘上以调节所述支撑端突伸出承载面的高度；所述承载机构上设置有加热单元。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，所述调节件至少设置有三个，所述调节件距离所述承载盘的中心距离相等。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于，所述调节件设置有三个，三个所述调节件呈等边三角形排布。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体制造装置，其特征在于，所述调节件包括调节螺杆，所述承载盘上设置有与所述调节螺杆相适配的螺纹孔。5.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，所述加热单元加热所述承载盘以向外释放热量，所述承载盘为金属件。6.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，所述承载机构还具有自所述承载面向工作腔方向突伸的定位环，所述调节件设置在所述定位环内。7.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，所述承载机构还具有活动设置在所述承载盘上的顶针，所述顶针具有突伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭振，
申请(专利权)人：颀中科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：