半导体结构及半导体结构的制造方法技术

本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构具有阵列区及位于阵列区外围的外围区，阵列区具有中心区和与外围区邻接的边缘区，半导体结构包括：基底，横跨阵列区和外围区；多个有源柱，在中心区中的基底上间隔排布；屏蔽结构，位于边缘区中的基底上，且屏蔽结构位于沿预设方向间隔排布的一列有源柱的延伸方向上；隔离沟槽，位于外围区中邻近边缘区的基底上。本公开实施例至少有利于解决晶体管漏电的问题。于解决晶体管漏电的问题。于解决晶体管漏电的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的存储阵列架构是由包括一个晶体管和一个电容器的存储单元(即1T1C的存储单元)组成的阵列。晶体管的栅极与字线相连，漏极与位线相连，源极与电容器相连。随着动态随机存取存储器的尺寸不断缩小，存储阵列单元的尺寸也随之缩小。为应对更复杂的需求，需要不断提高动态随机存取存储器的元件密度，而提高动态随机存储器的集成度往往采取对其中的各元件进行微缩的方式实现，但是元件尺寸的进一步缩小会带来晶体管的漏电问题。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，至少有利于解决晶体管漏电的问题。
[0004]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，半导体结构具有阵列区及位于所述阵列区外围的外围区，阵列区具有中心区和与所述外围区邻接的边缘区，包括：基底，横跨所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，半导体结构具有阵列区及位于所述阵列区外围的外围区，阵列区具有中心区和与所述外围区邻接的边缘区，半导体结构包括：基底，横跨所述阵列区和所述外围区；多个有源柱，在所述中心区中的所述基底上间隔排布；屏蔽结构，位于所述边缘区中的所述基底上，且所述屏蔽结构位于沿预设方向间隔排布的一列所述有源柱的延伸方向上；隔离沟槽，位于所述外围区中邻近所述边缘区的所述基底上。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述基底与所述有源柱接触的面方向上，所述屏蔽结构的顶面低于所述有源柱的顶面。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述有源柱在所述基底上沿第一方向和第二方向间隔排布，其中，所述第一方向有所述第二方向相交；所述半导体结构还包括：字线，与沿所述第一方向排布的一列所述有源柱侧壁接触。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述字线还接触位于沿所述第一方向排布的一列所述有源柱延伸方向上的所述屏蔽结构侧壁。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一介质层，填充满相邻所述有源柱、相邻所述屏蔽结构及相邻所述有源柱与所述屏蔽结构之间的间隙；第二介质层、在所述第二介质层中间隔排布的多个电容接触结构以及第一结构，所述第二介质层位于所述第一介质层上，所述电容接触结构与所述有源柱远离所述基底的端部接触，所述第一结构贯穿所述屏蔽结构，与所述基底接触。6.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底及所述基底上间隔排布的多个有源柱，所述基底横跨阵列区及位于所述阵列区外围的外围区，所述阵列区包括中心区以及边缘区，所述边缘区与所述外围区相邻接，所述有源柱位于所述阵列区的所述基底上；在所述外围区中邻近所述边缘区的所述基底上形成隔离沟槽；去除位...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯道欢，肖德元，蒋懿，廖昱程，胡敏锐，赵文礼，杨晨，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：