温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构具有阵列区及位于阵列区外围的外围区，阵列区具有中心区和与外围区邻接的边缘区，半导体结构包括：基底，横跨阵列区和外围区；多个有源柱，在中心区中的基底上间隔排布；屏蔽结构，位于边缘...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。