减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的方法和系统技术方案

本申请提供一种减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的方法和系统，其中所述方法包括：步骤S1，实时收集研磨装置的工作状态信息；步骤S2，根据步骤S1中获得的信息判断研磨装置是否处于长时间的空闲状态；步骤S3，将步骤S2中获得的信息实时反馈给晶圆加工车间的派工系统，使派工系统做出对应的动作。根据本申请，可以使研磨装置的研磨速率更加稳定，有利于减小不同批次晶圆化学机械研磨的厚度差异，提高产品质量。产品质量。产品质量。

【技术实现步骤摘要】
减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的方法和系统


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的方法和系统。

技术介绍

[0002]化学机械研磨是半导体器件制造中的重要工艺，其利用化学腐蚀和机械研磨的协同作用对半导体晶圆进行平坦化处理，可有效兼顾半导体器件的局部和全局的平坦度。
[0003]由于研磨盘的研磨速率存在波动，且波动值通常还比较大，从而导致研磨的厚度波动较大，造成不同批次晶圆研磨厚度的差异较大，进而降低了半导体产品的可靠性和良率。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的方法和系统，用于解决现有技术中不同批次晶圆研磨厚度的差异较大的问题。
[0005]为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的方法和系统。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的方法，包括：
[0007]步骤S1，实时收集研磨装置的工作状态信息；
[0008]步骤S2，根据步骤S1中获得的信息判断研磨装置是否处于长时间的空闲状态；
[0009]步骤S3，将步骤S2中获得的信息实时反馈给晶圆加工车间的派工系统，使派工系统做出对应的动作。
[0010]优选的，在步骤S2中，对研磨装置处于空闲状态的持续时间设定一数值，如果步骤S1中获得的信息是研磨装置处于空闲状态，当研磨装置处于空闲状态的持续时间超过该设定值时，判定研磨装置处于长时间的空闲状态。
[0011]优选的，该设定值根据半导体制造工艺的技术节点、化学机械研磨制程、研磨装置自身性质加以确定。
[0012]优选的，在步骤S3中，当研磨装置处于长时间的空闲状态且需要执行晶圆研磨任务时，该派工系统做出的动作为执行暖机片研磨并使所述晶圆紧跟所述暖机片进行研磨。
[0013]优选的，在步骤S3中，当研磨装置处于空闲状态的持续时间未超过步骤S2中采用的设定值且需要执行晶圆研磨任务或者研磨装置处于运行状态且需要执行晶圆研磨任务时，该派工系统做出的动作为不需要对暖机片进行研磨，直接执行该晶圆研磨任务。
[0014]优选的，在步骤S3中，当研磨装置处于长时间的空闲状态且不需要执行晶圆研磨任务、研磨装置处于空闲状态的持续时间未超过步骤S2中采用的设定值且不需要执行晶圆研磨任务或者研磨装置处于运行状态且不需要执行晶圆研磨任务时，该派工系统做出的动
作为等待前次研磨后的晶圆全部移出研磨机台后，研磨机台空闲。
[0015]优选的，该晶圆研磨任务为对不同批次晶圆实施的研磨或者同一批次晶圆研磨后对其中厚度超过半导体制造工艺规定的最大值的晶圆重新实施的研磨。
[0016]第二方面，本申请实施例提供了一种减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的系统，该系统包括：
[0017]信息收集系统，用于实时收集研磨装置的工作状态信息；
[0018]信息判断系统，用于根据信息收集系统获得的信息判断研磨装置是否处于长时间的空闲状态；以及
[0019]信息反馈系统，用于将信息判断系统给出的信息发送至晶圆加工车间的派工系统，使派工系统做出对应的动作。
[0020]如上所述，本申请提供的减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的方法和系统，具有以下有益效果：可以使研磨装置的研磨速率更加稳定，有利于减小不同批次晶圆化学机械研磨的厚度差异，提高产品质量。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。
[0022]图1显示为现有技术实施化学机械研磨的流程图；
[0023]图2显示为本申请实施例提供的减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的方法的流程图；
[0024]图3显示为本申请实施例提供的减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的系统的示意图。
具体实施方式
[0025]以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其它优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0026]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0027]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0029]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0030]现有技术对某一批次晶圆实施化学机械研磨需要经历如图1所示的流程：对暖机片实施化学机械研磨(Dummy run)，同时发出传送待研磨批次晶圆的指令(Dispatch lot)；晶舟盒装载晶圆(Foup on loadport)；晶圆进入研磨机台(Lot trackin)；研磨工艺开始(Process start)；研磨装置(Polisher)工作；清洗装置(Cleaner)工作；量测研磨后的晶圆；对量测结果进行判断，如果研磨后的厚度在理想的数值范围内，则研磨工艺结束(Process End)，晶圆移出研磨机台(Lot track out)，晶舟盒卸载晶圆(Foup unload)；如果研磨后的厚度不在理想的数值范围内，超下限(即规定的最低值)，则研磨工艺结束(Process End)，晶圆移出研磨机台(Lot track out)，晶舟盒卸载晶圆(Foup unload)；如果研磨后的厚度不在理想的数值范围内，超上限(即规定的最高值)，则重新实施研磨并进行量测，研磨后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减小不同批次晶圆化学机械研磨厚度差异的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，实时收集研磨装置的工作状态信息；步骤S2，根据所述步骤S1中获得的信息判断所述研磨装置是否处于长时间的空闲状态；步骤S3，将所述步骤S2中获得的信息实时反馈给晶圆加工车间的派工系统，使所述派工系统做出对应的动作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，对所述研磨装置处于空闲状态的持续时间设定一数值，如果所述步骤S1中获得的信息是所述研磨装置处于空闲状态，当所述研磨装置处于空闲状态的持续时间超过所述设定值时，判定所述研磨装置处于长时间的空闲状态。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述设定值根据半导体制造工艺的技术节点、化学机械研磨制程、所述研磨装置的自身性质加以确定。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，当所述研磨装置处于长时间的空闲状态且需要执行晶圆研磨任务时，所述派工系统做出的动作为执行暖机片研磨并使所述晶圆紧跟所述暖机片进行研磨。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，当所述研磨装置处于空闲状态的持续时间未超过所述步骤S2中采用的所述设定值且...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洪伟，朱普磊，张健，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：