一种低水峰光纤的制造方法技术

一种低水峰光纤的制造方法，涉及光纤制造技术。本发明专利技术包括拉丝、冷却、涂覆、固化等工艺，在拉丝完成后、涂覆工艺之前，采用氘气或者含氘的混合气对裸纤进行冷却处理。本发明专利技术的有益效果是，采用氘气或者含氘的混合气体对裸纤进行冷却处理，弥补了现有技术的不足，因而具有更好的低水峰特性。特别是，通过大量实验表明，在冷却管内通入氘含量为３％～３．５％，其余为氦气的混合气体，具有最佳效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光纤制造技术。
技术介绍
当前，光纤通信继续向高速率、大容量方向发展，随着波分复用 技术的出现和发展，扩展光纤可用频带、降低信道间隔变得愈发重要。光纤制造商一直致力于扩展光纤的可用频带。上世纪90年代，主要 使用光纤的3个工作波长850nm、 1310nm、 1550nm，称为3个窗 口，这3个窗口分别被950nm、 1250nm、 1383nm附近的羟基吸收峰(OH-吸收峰，也称为水峰)隔断。如何消除1383nm处的OHl及收 峰，从而打开1350 1450nm的窗口，是众多光纤制造商正在解决的 问题。在业内，称消除了 1383nm处水峰的光纤为低水峰光纤。为了降低或消除光纤的水峰(降低光纤的氢敏感性)许多专利中 公开了解决方法，即通过用氘原子来预先占据断键(Si — O—)的缺 陷位置，形成OD基团，从而使将来的氢原子无法与缺陷结合成羟基(OH基团)，从而达到消除1383nm处的羟基吸收峰，制造低水峰光 纤(或者称为无水峰光纤)。目前业界在降低羟基吸收峰方面主要在三个环节做努力，分别是 预制棒、拉丝生产、成品三个环节，预制棒环节虽然能消除部分羟基 但是不能消除后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低水峰光纤的制造方法，包括拉丝、冷却、涂覆、固化等工艺，其特征在于，在涂覆工艺之前，采用氘气或者含氘的混合气对裸光纤进行处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文早，袁健，张正涛，任建国，陈新建，付贤德，
申请(专利权)人：成都中住光纤有限公司，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]