光纤端帽及其制造方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种光纤端帽及其制造方法，所述光纤端帽包括光子晶体光纤、第一无芯光纤以及第二无芯光纤，所述第一无芯光纤的一端与所述光子晶体光纤熔接，所述第一无芯光纤的另一端与所述第二无芯光纤熔接，所述第一无芯光纤的包层直径大于或等于所述光子晶体光纤的包层直径，所述第二无芯光纤的包层直径大于所述第一无芯光纤的包层直径。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光纤
，具体而言，涉及一种光纤端帽及其制造方法。
技术介绍
光子晶体光纤(PCF)是超连续谱激光器常用的作为端帽的一种高非线性光纤，由于光子晶体光纤具有空气孔结构，在与大芯径光纤熔接时，高的放电强度会导致空气孔结构塌缩，塌缩的PCF无法束缚PCF纤芯激光，激光在塌缩的PCF处逐渐衍射、扩束，使得激光光束质量劣化、甚至泄露。于是，现有的光纤端帽为将包层直径125μm的PCF与包层直径相同的普通无芯石英光纤熔接，以避免光子晶体光纤的空气孔坍缩。但是，该现有的光纤端帽，由于端帽直径过小，难以承受更高功率超连续谱输出。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种光纤端帽及其制造方法，通过与光子晶体光纤熔接直径依次增大的无芯光纤，以实现在光子晶体光纤不出现塌缩的情况下，端帽具有更大直径，改善现有技术中端帽端帽直径过小，难以承受更高功率超连续谱输出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种光纤端帽，所述光纤端帽包括光子晶体光纤、第一无芯光纤以及第二无芯光纤，所述第一无芯光纤的一端与所述光子晶体光纤熔接，所述第一无芯光纤的另一端与所述第二无芯光纤熔接，所述第一无芯光纤的包层直径大于或等于所述光子晶体光纤的包层直径，所述第二无芯光纤的包层直径大于所述第一无芯光纤的包层直径。优选的，上述光纤端帽中，所述第一无芯光纤的包层直径等于所述光子晶体光纤的包层直径。第一无芯光纤的包层直径在可选直径范围内更大，则其后可以熔接的第二无芯光纤的包层直径可以更大，使该光纤端帽可以实现更高功率的激光输出。优选的，上述光纤端帽中，所述光子晶体光纤以及所述第一无芯光纤的包层直径为125微米，所述第二无芯光纤的包层直径为250微米。包层直径125微米的光子晶体光纤为常用的光子晶体光纤。优选的，上述光纤端帽中，所述第一无芯光纤以及所述第二无芯光纤的长度小于或等于125微米。为保证该光纤端帽用于输出超连续谱激光时光束质量不会劣化，需要无芯光纤的长度不宜过长。优选的，上述光纤端帽中，所述第一无芯光纤以及所述第二无芯光纤的长度在100微米至125微米之间。优选的，上述光纤端帽中，还包括第三无芯光纤，所述第三无芯光纤的一端与所述第二无芯光纤远离所述第一无芯光纤的一端熔接，所述第三无芯光纤的包层直径大于所述第二无芯光纤的包层直径。第三无芯光纤的包层直径比第二无芯光纤更大，使该光纤端帽可以实现更高功率的激光输出。优选的，上述光纤端帽中，所述第一无芯光纤以及所述第二无芯光纤的长度小于或等于125微米，所述第三无芯光纤的长度小于或等于150微米。优选的，上述光纤端帽中，所述光子晶体光纤的包层直径为125微米，所述第二无芯光纤的包层直径为250微米，所述第三无芯光纤的包层直径为400微米。一种光纤端帽的制造方法，所述方法包括：在第一无芯光纤的一端熔接第二无芯光纤；在所述第一无芯光纤远离所述第二无芯光纤的一端熔接光子晶体光纤，所述第一无芯光纤的包层直径大于或等于所述光子晶体光纤的包层直径，所述第二无芯光纤的包层直径大于所述第二无芯光纤的包层直径。优选的，上述制造方法中，在所述第一无芯光纤远离所述第二无芯光纤的一端熔接光子晶体光纤的步骤之前，还包括，在所述第二无芯光纤远离所述第一无芯光纤的一端熔接第三无芯光纤，所述第三无芯光纤的包层直径大于所述第二无芯光纤。本专利技术实现的有益效果：本专利技术实施例提供的光纤端帽及其制造方法，与光子晶体光纤熔接包层直径大于或等于该光子晶体光纤的第一无芯光纤，并且在第一无芯光纤后熔接有包层直径大于该光子晶体光纤的第二无芯光纤，以实现更大直径的光子晶体光纤端帽制作，使可以输出更高功率的超连续谱。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于
本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了本专利技术第一实施例提供的光纤端帽的一种结构示意图；图2示出了本专利技术第一实施例提供的光纤端帽的另一种结构示意图；图3示出了本专利技术第二实施例提供的光纤端帽的制造方法的流程图；图4示出了本专利技术第二实施例提供的光纤端帽的制造方法的另一种流程图。其中，附图标记汇总如下：光纤端帽100，光子晶体光纤110，第一无芯光纤120，第二无芯光纤130，第三无芯光纤140。具体实施方式光子晶体制作的光纤端帽用于超连续谱激光的输出。现有技术中的光纤端帽包层直径过小，难以承受高功率的超连续谱输出。鉴于上述情况，研究者经过长期的研究和大量的实践，提供了一种光纤端帽及其制造方法以改善现有问题。该光纤端帽通过与光子晶体光纤熔接包层直径依次增大的无芯光纤实现大功率的激光输出。下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术
人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。第一实施例图1示出了本专利技术第一实施例提供的光纤端帽100。请参见图1，该光纤端帽100包括依次连接的光子晶体光纤110、第一无芯光纤120以及第二无芯光纤130。具体的，第一无芯光纤120的一端与光子晶体光纤110连接，该第一无芯光纤120远离光子晶体光纤110的另一端与第二无芯光纤130连接。并且，各光纤之间的具体的连接方式可以是熔接。当然，各光纤之间的具体连接方式并不作为本实施例的限制，以各光纤之间能很好地连接并传输激光为宜。进一步的，该第一无芯光纤120的包层直径大于或等于光子晶体光纤110的包层直径。由于光子晶体光纤110具有空气孔结构，直接与包层直径大于其包层直径的光纤进行熔接，会导致其内部的空气孔结构坍缩，故在本实施例所提供的光纤端帽中，第一无芯光纤120的包层直径等于所述光子晶体光纤110的包层直径。。另外，由于光子晶体光纤110制作的光纤端帽100常用于高功率超连续谱激光输出，光纤端帽100直径越大，才可以承受越高功率的超连续谱激光的输出，故与第一无芯光纤120熔接的第二无芯光纤130的包层直径大于第一无芯光纤120的包层直径。进一步的，由于在实际应用中，常用的光子晶体光纤110的包层直径为125微米，所以，在本实施例中，所选的光子晶体光纤110的包层直径可以是125微米。当然，光子晶体光纤110的具体包层直径在本实施例中并不作为限制，也可以是其他，如范围为120微米至125微米的包层直径，具体可以根据实际需要确定。另外，对应包层直径为125微米的光子晶体光纤110，第一无芯光纤120的包层直径也可以为125微米。当然，第一无芯光纤120的包层直径也可以大于125微米，在本实施例中，也不对其作为限制，使第一无芯光纤120的包层直径大于或等于光子晶体光纤110的包层直径，以第一无芯光纤120的包层直径等于光子晶体光纤110的包层直径为宜。进一步的，在本实施例中，第二无芯光纤130的包层直径可以为250微米。同样可以理解本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光纤端帽，其特征在于，所述光纤端帽包括光子晶体光纤、第一无芯光纤以及第二无芯光纤，所述第一无芯光纤的一端与所述光子晶体光纤熔接，所述第一无芯光纤的另一端与所述第二无芯光纤熔接，所述第一无芯光纤的包层直径大于或等于所述光子晶体光纤的包层直径，所述第二无芯光纤的包层直径大于所述第一无芯光纤的包层直径。

【技术特征摘要】
1.一种光纤端帽，其特征在于，所述光纤端帽包括光子晶体光纤、第一无芯光纤以及第二无芯光纤，所述第一无芯光纤的一端与所述光子晶体光纤熔接，所述第一无芯光纤的另一端与所述第二无芯光纤熔接，所述第一无芯光纤的包层直径大于或等于所述光子晶体光纤的包层直径，所述第二无芯光纤的包层直径大于所述第一无芯光纤的包层直径。2.根据权利要求1所述的光纤端帽，其特征在于，所述第一无芯光纤的包层直径等于所述光子晶体光纤的包层直径。3.根据权利要求2所述的光纤端帽，其特征在于，所述光子晶体光纤以及所述第一无芯光纤的包层直径为125微米，所述第二无芯光纤的包层直径为250微米。4.根据权利要求1所述的光纤端帽，其特征在于，所述第一无芯光纤以及所述第二无芯光纤的长度小于或等于125微米。5.根据权利要求1所述的光纤端帽，其特征在于，所述第一无芯光纤以及所述第二无芯光纤的长度在100微米至125微米之间。6.根据权利要求1所述的光纤端帽，其特征在于，还包括第三无芯光纤，所述第三无芯光纤的一端与所述第二无芯光纤远离所述第一无...

【专利技术属性】
技术研发人员：李超，赵磊，梁小宝，张昊宇，封建胜，徐振源，黎玥，周泰斗，王建军，景峰，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心，
类型：发明
国别省市：四川;51