用于版图标记的方法、设备和介质技术

根据本公开的实施例提供了用于版图标记的方法、设备和介质。在该方法中，基于与第一晶圆中的第一套刻标记图案有关的第一测量结果，生成第一晶圆的版图中的一组套刻标记图案。第一套刻标记图案位于第一晶圆中的第一堆叠。一组套刻标记图案对应于第一晶圆中的第二堆叠。第二堆叠与第一堆叠不同。一组套刻标记图案中的每个套刻标记图案与第一套刻标记图案不同。该方法还包括生成分别与一组套刻标记图案对应的一组仿真结果。每个仿真结果模拟对应的套刻标记图案和第一套刻标记图案的光学量测。该方法还包括基于一组仿真结果，从一组套刻标记图案中确定用于版图的第二套刻标记图案。以此方式，能够提高版图中的套刻标记图案的测试灵敏性。敏性。敏性。

【技术实现步骤摘要】
用于版图标记的方法、设备和介质


[0001]本公开的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地，涉及用于版图标记的方法、设备和介质。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造技术的飞速发展，传统集成电路的工艺节点逐渐减小，集成电路器件的尺寸不断缩小。在集成电路制造过程中，对不同堆叠（stack）层（也称为不同膜层）之间套刻（overlay）精度的要求也越来越高。具体地，芯片的器件和结构可以通过生成工艺逐层形成。晶圆制造工艺是将各层图案通过光刻（photo）工艺将不同层的版图或掩模版上的图案以一定的缩小比例精准地转移到晶圆上。
[0003]不同掩膜版之间的套刻结果可以用于衡量本层图案与前层图案的偏离程度。因此，套刻标记能够影响产品良率的高低。目前，基于衍射的套刻（DBO）或者基于散射的套刻被广泛地应用于套刻量测（也称为套刻测量）。较好的套刻标记图案具有较好的测试灵敏性。即，较好的套刻标记图案能够有利于得到套刻误差的准确测量结果。如何确定版图中的套刻标记图案是值得关注的问题。

技术实现思路

[0004]在本公开的第一方面中，提供了一种用于版图标记的方法。在该方法中，基于与第一晶圆中的第一套刻标记图案有关的第一测量结果，生成第一晶圆的版图中的一组套刻标记图案。第一套刻标记图案位于第一晶圆中的第一堆叠。一组套刻标记图案对应于第一晶圆中的第二堆叠。第二堆叠与第一堆叠不同。一组套刻标记图案中的每个套刻标记图案与第一套刻标记图案不同。该方法还包括生成分别与一组套刻标记图案对应的一组仿真结果。每个仿真结果模拟光学量测。该光学量测是对应的套刻标记图案和第一套刻标记图案的光学量测。该方法还包括基于一组仿真结果，从一组套刻标记图案中确定用于版图的第二套刻标记图案。以此方式，能够提高版图中的套刻标记图案的质量。
[0005]在本公开的第二方面中，提供了一种用于仿真套刻标记的方法。在该方法中，确定与晶圆中的套刻标记图案有关的测量结果。确定用于对晶圆中的套刻标记图案的结构进行仿真的一组仿真参数。一组仿真参数包括与套刻标记图案有关的几何参数以及与晶圆的制造工艺有关的工艺参数。基于测量结果，确定一组仿真参数的相应值。
[0006]在本公开的第三方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的用于版图标记的方法或者执行根据本公开的第二方面的用于仿真套刻标记的方法。
[0007]在本公开的第四方面中，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的用于版图标记的方法或者根据本公开的第二方面的用于仿真套刻标记的方法。
[0008]根据本公开的一些实施例，对晶圆中的第一堆叠（例如，下层堆叠）的第一套刻标记图案进行测量。基于该测量结果，生成与晶圆中的第二堆叠（例如，上层堆叠）相对应的版图中的一组套刻标记图案。对该组套刻标记图案分别进行模拟仿真，以生成一组仿真结果。每个仿真结果模拟对应的套刻标记图案和第一套刻标记图案的光学量测。例如，每个仿真结果可以指示相应的DBO测量结果。基于所生成的一组仿真结果，从一组套刻标记图案中选择出用于版图的第二套刻标记图案。例如，可以基于该组仿真结果所对应的光学性能指标来选择光学性能较好，例如套刻敏感度高的仿真结果所对应的套刻标记图案作为第二套刻标记图案。以此方式，能够提高版图中的套刻标记图案的测试灵敏性。
[0009]根据本公开的另一些实施例，对晶圆中的套刻标记图案的结构进行测量。例如，可以采用诸如SEM等方式来进行测量。确定用于对晶圆中的套刻标记图案的结构进行仿真的一组仿真参数。例如，一组仿真参数可以包括与套刻标记图案有关的几何参数以及与晶圆的制造工艺有关的工艺参数。基于该测量结果，确定一组仿真参数的值。以此方式，能够提高对套刻标记图案的结构进行仿真的准确度。较高的仿真质量能够进而提高版图中的套刻标记图案的质量。
[0010]应当理解，本
技术实现思路
部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。
附图说明
[0011]结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：图1示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境的示意图；图2示出了根据本公开的一些实施例的用于版图标记的方法的流程图；图3A示出了根据本公开的一些实施例的晶圆的结构的示意图；图3B示出了根据本公开的一些实施例的晶圆的测量结果的示意图；图3C示出了根据本公开的一些实施例的晶圆的结构的另一示意图；图3D示出了根据本公开的一些实施例的晶圆的结构的另一示意图；图3E示出了根据本公开的一些实施例确定的对应于下层堆叠和上层堆叠的版图的示意图；图3F示出了根据本公开的一些实施例确定的对应于上层堆叠的套刻标记图案的示意图；图4示出了根据本公开的一些实施例的用于仿真套刻标记的方法的流程图；图5示出了根据本公开的一些实施例的用于版图标记的另一方法的流程图；图6示出了根据本公开的一些实施例的用于确定用于套刻标记的仿真模型的方法的流程图；图7示出了根据本公开的一些实施例的用于确定用于套刻标记的仿真模型的另一方法的流程图；图8示出了根据本公开的一些实施例的用于确定套刻标记图案的方法的流程图；图9示出了根据本公开的一些实施例的用于版图标记的另一方法的流程图；
图10示出了根据本公开的一些实施例的套刻标记偏移的示意图；图11根据本公开的一些实施例的用于版图标记的系统架构图；以及图12示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备的框图。
具体实施方式
[0012]下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。
[0013]在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
[0014]随着集成电路制造技术的飞速发展，传统集成电路的工艺节点逐渐减小，集成电路器件的尺寸不断缩小。在集成电路制造过程中，对不同堆叠层（也称为不同膜层）之间套刻精度的要求也越来越高。具体地，芯片的器件和结构可以通过生成工艺逐层形成。晶圆制造工艺是将各层图案通过光刻工艺将不同层的版图或掩模版上的图案以一定的缩小比例精准地转移到晶圆上。随着半导体制程的微缩，对于上下层可容许的套本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种版图标记方法，其特征在于，包括：基于与第一晶圆中的第一套刻标记图案有关的第一测量结果，生成所述第一晶圆的版图中的一组套刻标记图案，所述一组套刻标记图案中的每个套刻标记图案均与所述第一套刻标记图案不同，所述第一套刻标记图案位于所述第一晶圆中的第一堆叠，所述一组套刻标记图案对应于所述第一晶圆中的第二堆叠，所述第二堆叠与所述第一堆叠不同；生成分别与所述一组套刻标记图案对应的一组仿真结果，每个仿真结果模拟光学量测，所述光学量测是对应的套刻标记图案和所述第一套刻标记图案的光学量测；以及基于所述一组仿真结果，从所述一组套刻标记图案中确定用于所述版图的第二套刻标记图案。2.根据权利要求1所述的版图标记方法，其特征在于，生成分别与所述一组套刻标记图案对应的一组仿真结果包括：确定用于对晶圆中的套刻标记图案的结构进行仿真的一组仿真参数，所述一组仿真参数包括与所述第一套刻标记图案有关的几何参数以及与晶圆的制造工艺有关的工艺参数；基于所述第一测量结果，确定所述一组仿真参数的相应值；基于所述一组仿真参数的相应值，分别对所述一组套刻标记图案的结构进行仿真；以及通过对所述第一套刻标记图案的结构和所述一组套刻标记图案相应的仿真的结构进行光学量测仿真，生成所述一组仿真结果。3.根据权利要求2所述的版图标记方法，其特征在于，基于所述第一测量结果确定所述一组仿真参数的相应值包括：基于所述一组仿真参数的相应候选值，确定对所述第一套刻标记图案的结构的结构仿真结果；至少基于所述结构仿真结果，确定质量指标，所述质量指标用于评估对套刻标记图案的结构的仿真质量；以及如果所述质量指标满足预定条件，将所述一组仿真参数的相应候选值确定为所述一组仿真参数的相应值。4. 根据权利要求3所述的版图标记方法，其特征在于，所述版图标记方法还包括：如果所述质量指标不满足所述预定条件，调整所述一组仿真参数的所述相应候选值；以及基于所述一组仿真参数的经调整的相应候选值，重新确定所述结构仿真结果。5.根据权利要求3所述的版图标记方法，其特征在于，至少基于所述结构仿真结果确定所述质量指标包括：基于所述结构仿真结果，确定用于评估光刻仿真的第一预定义质量因子的值，作为所述质量指标。6. 根据权利要求5所述的版图标记方法，其特征在于，所述版图标记方法还包括：获得第二晶圆的所述第一预定义质量因子的第二值，所述第二晶圆包括基于所述第一套刻标记图案和所述第二套刻标记图案制造的所述第一堆叠和所述第二堆叠；以及如果所述第二晶圆的所述第一预定义质量因子的所述第二值与针对所述第一套刻标记图案和所述一组套刻标记图案中的所述第二套刻标记图案确定的所述第一预定义质量
因子的相应值不相符，调整以下至少一项：用于确定所述第一预定义质量因子的值的一组参数的参数类型；或用于确定所述第一预定义质量因子的值的所述一组参数的相应权重。7.根据权利要求3所述的版图标记方法，其特征在于，至少基于所述结构仿真结果确定所述质量指标包括：基于所述结构仿真结果，确定与所述第一套刻标记图案的结构有关的一组几何参数的相应仿真值；基于所述第一测量结果，确定所述一组几何参数的相应测量值；以及基于所述一组几何参数的所述相应仿真值和所述相应测量值，确定所述质量指标。8. 根据权利要求7所述的版图标记方法，其特征在于，所述版图标记方法还包括：获得第二晶圆的第二测量结果，所述第二晶圆包括基于所述第一套刻标记图案和所述第二套刻标记图案制造的所述第一堆叠和所述第二堆叠；以及如果所述第二测量结果与所述一组仿真结果中对应于所述第二套刻标记图案的仿真结果不相符，调整以下至少一项：所述一组几何参数的参数类型，或所述一组几何参数的相应权重，其中所述质量指标是基于所述权重确定的。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：