反馈系统及反馈方法技术方案

本公开实施例提供了一种反馈系统及反馈方法。所述反馈系统包括：标记单元，对光刻胶依批次进行标记；识别单元，在晶圆生产时当光刻胶的标记发生变化时，获取当前所述标记的所述光刻胶的参数；比对单元，将当前所述标记的所述光刻胶的参数与预设光刻胶参数进行比对；执行单元，当当前所述标记的所述光刻胶的参数处于所述预设光刻胶参数范围外，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的曝光参数。上述技术方案，通过对光刻胶依批次进行标记，获取当前所述标记的所述光刻胶的参数，并将当前所述标记的所述光刻胶的参数与预设光刻胶参数进行比对，以便调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的曝光参数，实现了在光刻过程中自动调整准确的曝光参数。的曝光参数。的曝光参数。

【技术实现步骤摘要】
反馈系统及反馈方法


[0001]本申请涉及半导体光刻领域，尤其涉及一种反馈系统及反馈方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，通常采用光刻技术在晶片表面及介质层表面上定义图形，再通过图形转移的方式制造半导体器件。在定义图形的过程中，预先根据需要形成的图形计算出目标关键尺寸。但是，由于不同批次光刻胶的光阻不同，导致更换光刻胶后曝光形成的图形的关键尺寸与计算出的目标关键尺寸有偏差，最终会导致半导体器件的良率受到影响。
[0003]因此，提供能够准确调整或重置曝光参数的方法是需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本公开所要解决的技术问题是提供一种反馈系统及反馈方法，在光刻过程中能够准确调整或重置曝光参数。
[0005]为了解决上述问题，本公开实施例提供了一种反馈系统，包括：标记单元，对光刻胶依批次进行标记；识别单元，在晶圆生产时当光刻胶的标记发生变化时，获取当前所述标记的所述光刻胶的参数；比对单元，将当前所述标记的所述光刻胶的参数与预设光刻胶参数进行比对；执行单元，当当前所述标记的所述光刻胶的参数处于所述预设光刻胶参数范围外，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的曝光参数。
[0006]在一些实施例中，所述获取当前所述标记的所述光刻胶的参数包括：获取以当前所述标记的所述光刻胶为掩膜形成的图形的关键尺寸参数。
[0007]在一些实施例中，所述反馈系统还包括：当当前所述标记的所述光刻胶的参数处于所述预设光刻胶参数范围内，所述执行单元不改变当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数。
[0008]在一些实施例中，所述不改变当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数，包括：以前一所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数作为当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数的标准。
[0009]在一些实施例中，所述的反馈系统还包括：将以当前所述标记的所述光刻胶为掩膜形成的图形的关键尺寸参数与预设的目标关键尺寸进行比对；当以当前所述标记的所述光刻胶为掩膜形成的图形的关键尺寸参数处于所述预设的目标关键尺寸范围外时，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数。
[0010]在一些实施例中，所述调整所述光刻胶生产时的所述曝光参数包括：依据前一所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数及校准值，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数。
[0011]在一些实施例中，所述的反馈系统包括：将当前所述标记的所述光刻胶分为N批，N为大于或等于0的整数；第1批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据前一所述所述标记
的所述光刻胶生产时的所述曝光参数及校准值；第2批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据当前所述标记第1批所述光刻胶生产时的所述曝光参数及校准值；当N大于或等于3且小于或等于6时，第N批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据当前所述标记前N
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1批的所述光刻胶生产时的所述曝光参数的平均值及校准值；当N大于或等于7时，第N批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据当前所述标记N
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5批到所述N
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1批的所述光刻胶生产时的所述曝光参数的平均值及校准值。
[0012]在一些实施例中，所述反馈系统还包括：对与所述预设光刻胶参数匹配的所述曝光参数进行预先存储，当当前所述标记的所述光刻胶的参数与所述预设光刻胶参数一致时，调用与所述预设光刻胶参数匹配的所述曝光参数。
[0013]本公开实施例还提供了一种反馈方法，包括：对光刻胶依批次进行标记；在晶圆生产时当光刻胶的标记发生变化时，获取当前所述标记的所述光刻胶的参数；将当前所述标记的所述光刻胶的参数与预设光刻胶参数进行比对；当当前所述标记的所述光刻胶的参数处于所述预设光刻胶参数范围外，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的曝光参数。
[0014]在一些实施例中，所述获取当前所述标记的所述光刻胶的参数包括：获取以当前所述标记的所述光刻胶为掩膜形成的图形的关键尺寸参数。
[0015]在一些实施例中，所述反馈系统还包括：当当前所述标记的所述光刻胶的参数处于所述预设光刻胶参数范围内，所述执行单元不改变当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数。
[0016]在一些实施例中，所述不改变当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数，包括：以前一所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数作为当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数的标准。
[0017]在一些实施例中，所述的反馈方法还包括：将以当前所述标记的所述光刻胶为掩膜形成的图形的关键尺寸参数与预设的目标关键尺寸进行比对；当以当前所述标记的所述光刻胶为掩膜形成的图形的关键尺寸参数处于所述预设的目标关键尺寸范围外时，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数。
[0018]在一些实施例中，所述调整所述光刻胶生产时的所述曝光参数包括：依据前一所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数及校准值，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数。
[0019]在一些实施例中，所述的反馈方法包括：将当前所述标记的所述光刻胶分为N批，N为大于或等于0的整数；第1批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据前一所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数及校准值；第2批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据当前所述标记第1批所述光刻胶生产时的所述曝光参数及校准值；当N大于或等于3且小于或等于6时，第N批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据当前所述标记前N
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1批的所述光刻胶生产时的所述曝光参数的平均值及校准值；当N大于或等于7时，第N批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据当前所述标记N
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5批到所述N
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1批的所述光刻胶生产时的所述曝光参数的平均值及校准值。
[0020]在一些实施例中，所述反馈方法还包括：对与所述预设光刻胶参数匹配的所述曝光参数进行预先存储，当当前所述标记的所述光刻胶的参数与所述预设光刻胶参数一致时，调用与所述预设光刻胶参数匹配的所述曝光参数。
[0021]上述技术方案，通过对光刻胶依批次进行标记，使得在晶圆生产时当光刻胶的标记发生变化时，能够获取当前标记的光刻胶的参数，并将当前标记的光刻胶的参数与预设光刻胶参数进行比对，当当前标记的光刻胶的参数处于预设光刻胶参数范围外，调整当前标记的光刻胶生产时的曝光参数。实现了在光刻过程中自动调整准确的曝光参数。
[0022]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
附图说明
[0023]图1是本公开一实施例中的反馈系统的示意图。
[0024]图2是本公开一实施例中的更换光刻胶的示意图。
[0025]图3是本公开一实施例中的调整曝光参数的示意图。
[0026]图4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反馈系统，其特征在于，包括：标记单元，对光刻胶依批次进行标记；识别单元，在晶圆生产时当光刻胶的所述标记发生变化时，获取当前所述标记的所述光刻胶的参数；比对单元，将当前所述标记的所述光刻胶的参数与预设光刻胶参数进行比对；执行单元，当当前所述标记的所述光刻胶的参数处于所述预设光刻胶参数范围外，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的曝光参数。2.根据权利要求1所述的反馈系统，其特征在于，所述获取当前所述标记的所述光刻胶的参数包括：获取以当前所述标记的所述光刻胶为掩膜形成的图形的关键尺寸参数。3.根据权利要求1所述的反馈系统，其特征在于，还包括：当当前所述标记的所述光刻胶的参数处于所述预设光刻胶参数范围内，所述执行单元不改变当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数。4.根据权利要求3所述的反馈系统，其特征在于，所述不改变当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数，包括：以前一所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数作为当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数的标准。5.根据权利要求2所述的反馈系统，其特征在于，还包括：将以当前所述标记的所述光刻胶为掩膜形成的图形的关键尺寸参数与预设的目标关键尺寸进行比对；当以当前所述标记的所述光刻胶为掩膜形成的图形的关键尺寸参数处于所述预设的目标关键尺寸范围外时，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数。6.根据权利要求1所述的反馈系统，其特征在于，所述调整所述光刻胶生产时的所述曝光参数包括：依据前一所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数及校准值，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数。7.根据权利要求6所述的反馈系统，其特征在于，包括：将当前所述标记的所述光刻胶分为N批，N为大于或等于0的整数；第1批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据前一所述标记的所述光刻胶生产时的所述曝光参数及校准值；第2批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据当前所述标记第1批所述光刻胶生产时的所述曝光参数及校准值；当N大于或等于3且小于或等于6时，第N批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据当前所述标记前N
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1批的所述光刻胶生产时的所述曝光参数的平均值及校准值；当N大于或等于7时，第N批所述光刻胶的所述曝光参数的调整，依据当前所述标记N
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5批到所述N
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1批的所述光刻胶生产时的所述曝光参数的平均值及校准值。8.根据权利要求1所述的反馈系统，其特征在于，还包括：对与所述预设光刻胶参数匹配的所述曝光参数进行预先存储，当当前所述标记的所述光刻胶的参数与所述预设光刻胶参数一致时，调用与所述预设光刻胶参数匹配的所述曝光参数。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓方，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：